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地震的孕育发生与双向应变结构相伴 被引量：5
1
作者 周友华 胡奉湘 +2 位作者 饶云阶 童迎世 燕为民 《国际地震动态》 2004年第2期28-34,共7页
介绍了地震孕育发生与双向应变结构相伴的形成机制及地震发生时位错空间的来源机制 ,并初步得到了地震实践较为普遍的证实。
关键词 地震孕育 双向应变结构 位错空间 来源 机制
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适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
2
作者 卢盛辉 杨洪东 +2 位作者 李竞春 谭开州 张静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期1-4,共4页
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n... 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。 展开更多
关键词 局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长
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双轴应变对纤锌矿GaN、AlN、InN及其合金电子有效质量的影响(英文)
3
作者 周卓帆 张继华 +3 位作者 刘伟 杨传仁 陈宏伟 赵强 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期318-324,340,共8页
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质... 利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质量在张应变和压应变下都增大。由于三元合金(AlxGa1-xN,InxGa1-xN和AlxIn1-xN)与GaN异质结的新颖特性,同时计算了三元合金在松弛和应变下电子有效质量的变化趋势。受制于GaN基板的平面应力,外延AlxGa1-xN和AlxIn1-xN电子有效质量将减少,而InxGa1-xN电子有效质量增大,且随着In含量变大而更显著。对铟氮化合物应变下电子有效质量异常的机制也做了讨论。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 电子有效质量 双轴应变 能带结构 第一性原理
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面内双轴应力作用下单层黑磷能带性质研究
4
作者 王洁 许炎 +2 位作者 刘贵鹏 田永辉 杨建红 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2020年第2期199-205,共7页
通过第一性原理对平面内双轴应力作用下的单层黑磷能带结构进行了计算.双轴拉伸应力作用下单层黑磷始终保持直接带隙性质,双轴压缩应力作用下的单层黑磷则发生了直接带隙转变为间接带隙的现象,当双轴压缩应力增加到7%时单层黑磷带隙闭合.
关键词 单层黑磷 平面内双轴应力 能带结构 带隙
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非对称双轴张应变对锗能带的影响
5
作者 戴中华 钱一辰 +3 位作者 谢耀平 胡丽娟 李晓娣 马海涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第16期220-230,共11页
采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转... 采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿(101)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿(111)面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的应变Ge带隙值都与应变前后拉伸面面积变化大小成反比. 展开更多
关键词 应变Ge 双轴张应变 能带结构 第一性原理
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双轴拉伸应变对二硫化钼单层能带结构的影响
6
作者 郭菲 陶苏云 《化工设计通讯》 CAS 2021年第10期38-39,共2页
研究了室温下双轴拉伸应变对2H型二硫化钼单层电子能带结构和声子谱的影响。研究结果表明,二硫化钼单层的电子能隙随应变强度的增加而线性递减,而声子谱与应变的依赖关系则较弱,意味着在所考虑的应变强度范围内,材料结构并没有被破坏,... 研究了室温下双轴拉伸应变对2H型二硫化钼单层电子能带结构和声子谱的影响。研究结果表明,二硫化钼单层的电子能隙随应变强度的增加而线性递减,而声子谱与应变的依赖关系则较弱,意味着在所考虑的应变强度范围内,材料结构并没有被破坏,为进一步研究室温下双轴拉伸应变对受电子-声子散射影响的二硫化钼单层的载流子迁移率的影响奠定了良好的基础。结果完全是基于第一性原理计算得到,没有采用任何经验参数,因此计算结果对实验具有可靠的理论指导依据。 展开更多
关键词 双轴拉伸应变 二硫化钼 单层电子能带结构 声子谱
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