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A 3GHz Low-Power and Low-Phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source 被引量:3
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作者 陈普锋 李志强 +2 位作者 黄水龙 张海英 叶甜春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2106-2109,共4页
A fully integrated 3GHz low-power and low-phase-noise voltage-controlled oscillator (VCO) with a self-biasing current source was implemented in a standard 0.18μm CMOS process. A trade-off between noise and power wa... A fully integrated 3GHz low-power and low-phase-noise voltage-controlled oscillator (VCO) with a self-biasing current source was implemented in a standard 0.18μm CMOS process. A trade-off between noise and power was realized through the optimization of the improved current source. The VCO can be tuned from 2.83 to 3.25GHz with a 13.8% tuning range. The measured phase noise at 1MHz offset is -111dBc/Hz at a frequency of 3.22GHz while the core circuit draws less than 2mA from a 1.8V supply voltage. These results make the circuit suitable for a 5GHz wireless local area network (WLAN) receiver and 3.4 to 3.6GHz world interoperability for microwave access (WiMAX) application. 展开更多
关键词 3GHz LC VCO phase noise self-biasing current source CMOS
原文传递
Suppression of runaway current by electrode biasing and limiter biasing on J-TEXT
2
作者 Lingke MOU Zhongyong CHEN +15 位作者 Wei YAN You LI Weikang ZHANG Jiangang FANG Yingzhou JIANG Xiaobo ZHANG Yu ZHONG Feng LI Guinan ZOU Fanxi LIU Zhipeng CHEN Zhoujun YANG Nengchao WANG Yonghua DING Yuan PAN J-TEXT Team 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期7-14,共8页
The avoidance of runaway electrons(REs) generated during plasma disruption is of great concern for the safe operation of tokamak devices.Experimental study on the suppression of runaway current by electrode biasing(EB... The avoidance of runaway electrons(REs) generated during plasma disruption is of great concern for the safe operation of tokamak devices.Experimental study on the suppression of runaway current by electrode biasing(EB) and limiter biasing(LB) has been performed on the J-TEXT tokamak,which could be an alternative way to suppress the runaway current.The experimental results show that the higher the voltage value,the smaller the runaway current in both EB and LB experiments.The runaway current can be completely suppressed at an electrode biased voltage of +450 V and a limiter biased voltage of +300 V.The comparison of the energy spectra during the runaway plateau phase shows that the maximum energy max(E_(RE)) and radiation temperature T_(HXR)hard x-rays(HXRs)are significantly reduced after the application of +200 V limiter biased voltage.The electric field generated by the biased voltage may be the key factor to suppress the runaway current,and the measured radial electric field increases obviously after the voltage is applied.This may result in an increase in the loss of REs to realize the suppression of runaway current. 展开更多
关键词 plasma disruption electrode biasing limiter biasing runaway current
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基于磁滞回线数学模型的变压器励磁电流分析 被引量:2
3
作者 刘康 程汉湘 +1 位作者 郭有翠 朱贵辽 《黑龙江电力》 CAS 2015年第2期116-119,共4页
从铁芯饱和及其磁滞特性的角度研究变压器励磁涌流及直流偏磁条件下的励磁电流的重要性。利用磁滞回线的特征值及其关系得到了一种磁滞回线的数学模型,根据该数学模型求出了直流偏磁条件下变压器的励磁电流波形,经MATLAB仿真软件验证了... 从铁芯饱和及其磁滞特性的角度研究变压器励磁涌流及直流偏磁条件下的励磁电流的重要性。利用磁滞回线的特征值及其关系得到了一种磁滞回线的数学模型,根据该数学模型求出了直流偏磁条件下变压器的励磁电流波形,经MATLAB仿真软件验证了该模型的正确性,对于研究直流偏磁下变压器励磁电流的特性具有重要意义。 展开更多
关键词 磁滞回线 直流偏磁 励磁电流
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A Subthreshold Low-Voltage Low-Phase-Noise CMOS LC-VCO with Resistive Biasing
4
作者 Jungnam Bae Saichandrateja Radhapuram +2 位作者 Ikkyun Jo Takao Kihara Toshimasa Matsuoka 《Circuits and Systems》 2015年第5期136-142,共7页
This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconduct... This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconductance efficiency and low gate bias condition. The top resistive biasing has more benefit with the feature of phase noise than MOS current source since it can support the low-noise characteristics and large output swing. The LC-VCO designed in 130-nm CMOS process with 0.7-V supply voltage achieves phase noise of -116 dBc/Hz at 200 kHz offset with tuning range of 398 MHz to 408 MHz covering medical implant communication service (MICS) band. 展开更多
关键词 VCO Resistive biasing current Source CMOS Integrated Circuit Phase Noise MICS Band
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高线性光耦合型隔离放大器的研制 被引量:1
5
作者 林长贵 《工业仪表与自动化装置》 1993年第2期3-6,共4页
本文提出一种提高光耦合型隔离放大器线性度的新方法,它采用直流偏置、电流反馈及差分技术有效地补偿了光耦合器件的非线性误差。文中详细介绍了电路的基本原理,并给出了实验结果,它表明:在不需任何特殊元件和制作工艺条件下,放大器的... 本文提出一种提高光耦合型隔离放大器线性度的新方法,它采用直流偏置、电流反馈及差分技术有效地补偿了光耦合器件的非线性误差。文中详细介绍了电路的基本原理,并给出了实验结果,它表明:在不需任何特殊元件和制作工艺条件下,放大器的非线性误差小于0.1%FS,最高工作频率大于300kHz。 展开更多
关键词 直流偏置 电流反馈 缓冲放大器
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工作于亚阈值区的低功耗高线性CMOS混频器 被引量:1
6
作者 别梅 肖巍 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期983-987,共5页
设计了一种采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的2.4GHz低功耗亚阈值有源混频器,已应用于射频卫星电视接收机中。为了取得较高的线性度,该混频器引入交叉耦合技术以及级间匹配技术,并引入电流注入技术以提高混频器的增益。最终芯片测试结果... 设计了一种采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的2.4GHz低功耗亚阈值有源混频器,已应用于射频卫星电视接收机中。为了取得较高的线性度,该混频器引入交叉耦合技术以及级间匹配技术,并引入电流注入技术以提高混频器的增益。最终芯片测试结果表明,该混频器在仅消耗1.6mW功耗的状态下,输入三阶交调点IIP3高达5.41dBm,增益高达9.07dB,噪声系数为12.05dB。该混频器的版图尺寸为0.91mm×0.98mm。 展开更多
关键词 混频器 线性技术 低功耗 亚阈值偏置 电流注入
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录音偏磁电流的选取
7
作者 药树栋 《机械工程与自动化》 2004年第6期72-73,共2页
为了达到较好的录音效果,不仅要注重录音设备的选择,同时要注意设备潜力的充分发挥。分析了录音过程中偏磁电流对失真、动态范围、频率响应的影响,介绍了正确选取偏磁电流的方法。
关键词 偏磁电流 三次谐波失真 最高录音磁平 频率响应
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直流偏磁条件下电力变压器铁心B-H曲线及非对称励磁电流 被引量:56
8
作者 郭满生 梅桂华 +3 位作者 刘东升 刘艳村 程志光 张喜乐 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期46-51,59,共7页
基于变压器铁心的直流偏磁特性提出了一种有效获取大型电力变压器直流偏磁条件下绕组励磁电流的方法。首先在按与实际产品1/50比例制作的产品级模型上通过试验研究建立了处于不同直流偏磁水平铁心的磁通?激励电流(Φ-I)曲线族,(B-H)曲线... 基于变压器铁心的直流偏磁特性提出了一种有效获取大型电力变压器直流偏磁条件下绕组励磁电流的方法。首先在按与实际产品1/50比例制作的产品级模型上通过试验研究建立了处于不同直流偏磁水平铁心的磁通?激励电流(Φ-I)曲线族,(B-H)曲线族;其次通过仿真计算考虑了偏置磁通对这些曲线的影响;最后提出了适合变压器工程应用的直流偏磁条件下非对称励磁电流的计算方法。实际测量数据与仿真计算结果的比较表明文中提出的方法是正确的。 展开更多
关键词 直流偏磁 B-H曲线 偏置磁通 模型试验 非对称励磁电流
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换流变压器中直流偏磁电流的计算 被引量:37
9
作者 马为民 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期48-49,共2页
根据背靠背直流系统的技术特点 ,详细计算了由于触发不平衡和交流系统正序二次谐波在换流变压器中产生的直流偏磁电流。计算结果表明 ,2 2 0kV和 330kV侧每台换流变压器网侧绕组中最大等效直流电流的计算值分别为 5 .2和 3.5A ,符合设... 根据背靠背直流系统的技术特点 ,详细计算了由于触发不平衡和交流系统正序二次谐波在换流变压器中产生的直流偏磁电流。计算结果表明 ,2 2 0kV和 330kV侧每台换流变压器网侧绕组中最大等效直流电流的计算值分别为 5 .2和 3.5A ,符合设计要求。 展开更多
关键词 换流变压器 直流偏磁电流
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消减变压器中性点直流电流抑制直流偏磁的电位补偿方法 被引量:26
10
作者 马志强 《广东电力》 2007年第5期1-5,共5页
提出了一种基于电位补偿原理的消减变压器中性点直流电流,抑制直流偏磁的新方法,应用网络分析算法推演了以电位补偿抑制变压器中性点直流电流的机理,给出了电位补偿装置的原理性结构和装置参数整定原则,将电位补偿法与目前采用的小电阻... 提出了一种基于电位补偿原理的消减变压器中性点直流电流,抑制直流偏磁的新方法,应用网络分析算法推演了以电位补偿抑制变压器中性点直流电流的机理,给出了电位补偿装置的原理性结构和装置参数整定原则,将电位补偿法与目前采用的小电阻限流法、电容隔直法、中性点注入反向电流限制法进行了比较,最后用算例分析说明了电位补偿法的有效性。 展开更多
关键词 电力系统 直流输电 变压器直流偏磁 中性点直流电流 电位补偿
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直流接地极近区三维大地电阻率模型建立方法 被引量:17
11
作者 刘连光 姜克如 +4 位作者 李洋 谢浩铠 韩江涛 黄勇 张燕秉 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期1622-1630,共9页
大地电阻率模型不准确是造成对直流输电接地极极址周边地面、地下导电体以及交流电网影响评估不准确的主要原因。根据接地极电流产生的地表电位(earth surface potential,ESP)具有以接地极为中心类同心圆分布的特点,利用地壳/上地幔... 大地电阻率模型不准确是造成对直流输电接地极极址周边地面、地下导电体以及交流电网影响评估不准确的主要原因。根据接地极电流产生的地表电位(earth surface potential,ESP)具有以接地极为中心类同心圆分布的特点,利用地壳/上地幔历史电磁测深数据、资料和直流接地极工程选址设计电磁测深数据、资料,提出评估接地极近区ESP分布的大地电阻率三维模型建立方法。利用?800 k V天中直流输电工程哈密接地极周边交流电网直流偏磁电流(DC biasing current,DCBC)的实测数据,证明利用大地电阻率三维模型计算的电网DCBC准确、可靠,所建模型对接地极选址设计和电网DCBC治理方案优化都有重要意义。 展开更多
关键词 高压直流输电 直流接地极 三维大地电阻率模型 直流偏磁电流 影响评估
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低杂散锁相环中的电荷泵设计 被引量:11
12
作者 薛红 李智群 +2 位作者 王志功 李伟 章丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1988-1992,共5页
用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆... 用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。 展开更多
关键词 参考杂散 电流火配 电荷泵 运算放大器 自偏置电流镜
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变压器直流偏磁的仿真研究 被引量:9
13
作者 党克 张晓宇 +4 位作者 张峰 党震宇 闫娟 王磊 王坤 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2009年第20期189-192,共4页
基于经验模态分解(empirical mode decomposition,EMD)和Hilbert变换,提出了一种新的变压器直流偏磁分析方法。首先对变压器励磁电流进行EMD分解,提取包含最多励磁电流畸变信息的基本模式分量(intrinsic mode function,IMF);再对IMF分量... 基于经验模态分解(empirical mode decomposition,EMD)和Hilbert变换,提出了一种新的变压器直流偏磁分析方法。首先对变压器励磁电流进行EMD分解,提取包含最多励磁电流畸变信息的基本模式分量(intrinsic mode function,IMF);再对IMF分量作Hilbert变换,得出其瞬时频率和幅值。仿真结果表明:该方法能够准确检测出励磁电流畸变的时间、频率和幅值。 展开更多
关键词 直流偏磁 经验模态分解(EMD) HILBERT变换 励磁电流
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一种降低对数域滤波器噪声和功耗的方法 被引量:3
14
作者 郭继昌 童央群 +2 位作者 郭利斌 汪林 滕建辅 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1105-1109,共5页
针对现代电子设备微型化的需要,对数域滤波器更适合于低电压工作,动态偏置技术可以降低电路系统的噪声和功耗.文中提出了一种动态偏置应用于对数域滤波器中的方法,可以在不改变滤波器传输函数的情况下降低对数滤波器噪声的功耗.以一个... 针对现代电子设备微型化的需要,对数域滤波器更适合于低电压工作,动态偏置技术可以降低电路系统的噪声和功耗.文中提出了一种动态偏置应用于对数域滤波器中的方法,可以在不改变滤波器传输函数的情况下降低对数滤波器噪声的功耗.以一个三阶差分对数域滤波器的设计为例说明了动态偏置技术的应用.Pspice模拟结果表明,与恒定偏置滤波器相比,当输入信号为最大允许输入信号的1/10时,动态偏置滤波器的输出噪声和功耗分别下降了约17dB和12dB,但滤波器的动态范围基本保持与最大输入信号时相同. 展开更多
关键词 动态偏置 对数域滤波器 电流峰值检测器 动态范围
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交直流共走廊输电系统换流变偏磁特性研究 被引量:5
15
作者 张龙伟 吴广宁 +2 位作者 范建斌 黄渤 朱军 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3375-3380,共6页
交直流共走廊输电系统换流变偏磁直流量构成比较复杂,正确分析其构成分量对系统稳定运行具有重要意义。建立了换流变直流偏磁模型和交直流共走廊输电线路模型,分别计算了土壤地电位和交直流工频感应产生的直流量;研究了交直流线路平行... 交直流共走廊输电系统换流变偏磁直流量构成比较复杂,正确分析其构成分量对系统稳定运行具有重要意义。建立了换流变直流偏磁模型和交直流共走廊输电线路模型,分别计算了土壤地电位和交直流工频感应产生的直流量;研究了交直流线路平行架设长度、交直流杆塔中心接近距离对换流变偏磁的影响规律。研究结果表明:交直流线路平行架设长度越长,换流变偏磁直流量越大,工频感应产生直流量占总直流量的比重越大,且土壤地电位对此比重影响越小;交直流杆塔中心接近距离越大,换流变偏磁直流量越小,工频感应产生直流量占总直流量的比重越小,且土壤地电位对此比重影响越大。 展开更多
关键词 交直流共走廊 换流变 直流偏磁 直流量 线路 平行架设长度 杆塔接近距离
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偏磁及其抑制技术在全桥变换器中的作用分析 被引量:4
16
作者 邵楚雯 王书征 《电工电气》 2012年第1期9-13,共5页
针对副边无源箝位全桥软开关脉宽调制变换器的结构特点,论述了变压器产生偏磁的主要原因、后果及传统偏磁抑制的方法。讨论了串隔直电容的方法用以偏磁抑制的可行性,提出了一种新型峰值电流偏磁抑制方案,新方案能够减小传统峰值电流控... 针对副边无源箝位全桥软开关脉宽调制变换器的结构特点,论述了变压器产生偏磁的主要原因、后果及传统偏磁抑制的方法。讨论了串隔直电容的方法用以偏磁抑制的可行性,提出了一种新型峰值电流偏磁抑制方案,新方案能够减小传统峰值电流控制方式误差,通过Matlab仿真结果表明该方法可以有效抑制偏磁。 展开更多
关键词 偏磁 软开关 变换器 新型峰值电流控制
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锁相环中电荷泵的分析与设计 被引量:3
17
作者 马辰光 冯军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期124-128,共5页
用SMIC0.18μmCMOS工艺设计了一种改进型电荷泵电路。该电路基本思想是使用电流参考支路和运放来实现充放电电流的高度匹配,改进则基于重复利用运放的考虑。传统结构为了消除电荷共享效应需要一个单位增益运放,而这一设计省去这个运放,... 用SMIC0.18μmCMOS工艺设计了一种改进型电荷泵电路。该电路基本思想是使用电流参考支路和运放来实现充放电电流的高度匹配,改进则基于重复利用运放的考虑。传统结构为了消除电荷共享效应需要一个单位增益运放,而这一设计省去这个运放,简化了设计,同时也能够达到充放电电流的良好匹配。芯片测试结果显示,输出电压在0.4~1.4V的范围内,电荷泵充放电电流约为1.1mA,失配小于2%。 展开更多
关键词 电荷泵 电流失配 单位增益运放 自偏置电流镜
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CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计 被引量:3
18
作者 张春华 常昌远 《电子工程师》 2007年第1期12-13,34,共3页
由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源... 由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源变化敏感度极低,在电源电压0.7 V^5 V变化时输出电流仅变化不到0.9%。整个电路采用CSMC 0.6μm双层多晶硅双层金属标准工艺实现,采用Cadence Spectre进行模拟仿真,仿真结果证明了该电流源具有低功耗和高电源抑制比特性。 展开更多
关键词 亚阈区偏置 低功耗 低工作电压 恒流源
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恒定、匹配的大电流输出电荷泵电路 被引量:3
19
作者 薛珂 冯军 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期20-23,共4页
用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷... 用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW. 展开更多
关键词 电荷泵 电压跟随 自偏置电流源
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Study on Earth Surface Potential and DC Current Distribution around DC Grounding Electrode 被引量:1
20
作者 Zhi-chao Ren Chun-yan Ye Hai-yan Wang 《Energy and Power Engineering》 2013年第4期792-796,共5页
DC magnetic biasing problem,caused by the DC grounding electrode, threatened the safe operation of AC power grid. In this paper, the characteristics of the soil stratification near DC grounding electrode was researche... DC magnetic biasing problem,caused by the DC grounding electrode, threatened the safe operation of AC power grid. In this paper, the characteristics of the soil stratification near DC grounding electrode was researched. The AC-DC interconnected large-scale system model under the monopole operation mode was established. The earth surface potential and DC current distribution in various stations under the different surface thickness was calculated. Some useful conclusions are drawn from the analyzed results. 展开更多
关键词 DC GROUNDING ELECTRODE Magnetic biasing Soil STRATIFICATION Earth Surface Potential DC current DISTRIBUTION
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