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复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响
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作者 栾晓东 樊硕晨 +3 位作者 贾儒 刘童亲 张拓 陆伟航 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第5期803-809,共7页
针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复... 针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复配2种表面活性剂研究其对Cu和TEOS抛光速率一致性以及杀菌效果的影响,并阐述相关的影响机制。实验结果表明:Cu和TEOS抛光速率随着复配表面活性剂体积分数的增加而降低,复配表面活性剂主要控制测量点到晶圆中心的距离为70~150 mm区域内的铜抛光速率,对于TEOS,复配表面活性剂主要控制0~70 mm区域内的铜抛光速率;复配表面活性剂体积分数的增加可同时提高Cu和TEOS抛光速率一致性,但高体积分数复配表面活性剂可造成表面划伤;DDBAC作为非氧化性的杀菌剂,具有较强的抗菌抑菌能力,可通过改变细菌膜通透性,使细菌裂解死亡,杀菌效果显著。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 阻挡层抛光 复配表面活性剂 抛光速率一致性 杀菌剂
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阻挡层CMP中螯合剂FA/OII对抛光效果的影响(英文) 被引量：5
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作者 荣颖佳 王胜利 +3 位作者 刘玉岭 王辰伟 高娇娇 张文倩 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第9期603-610,共8页
主要研究了螯合剂FA/O II在阻挡层抛光中对去除速率和表面形貌的影响。通过对开路电压和塔菲尔曲线的检测,研究了Cu在螯合剂溶液中的溶解过程,结果表明FA/O II对Cu有很强的螯合能力,能够提高Cu的去除速率。此外,研究了螯合剂对12英寸(1... 主要研究了螯合剂FA/O II在阻挡层抛光中对去除速率和表面形貌的影响。通过对开路电压和塔菲尔曲线的检测,研究了Cu在螯合剂溶液中的溶解过程,结果表明FA/O II对Cu有很强的螯合能力,能够提高Cu的去除速率。此外,研究了螯合剂对12英寸(1英寸=2.54 cm)Cu,Ta和TEOS光片去除速率的影响,结果表明当抛光液由体积分数为50%的硅溶胶、体积分数为0.07%的螯合剂和体积分数为3%的活性剂组成时,Cu的去除速率被提高到31 nm/min,并且满足Cu,Ta和TEOS的速率选择比,这种情况非常有利于碟形坑/蚀坑的修正,而且抛光后的表面粗糙度较低。此外,在不同浓度的螯合剂下,对12英寸布线片电阻差值进行了检测,发现体积分数为0.1%的FA/O II对细线条处Cu的钝化作用最强,FA/O II的体积分数为0.05%时,细线条处Cu的去除速率达到最大。上述结果对阻挡层抛光的进一步研究有重要参考价值。 展开更多
关键词 阻挡层化学机械抛光(CMP) 去除速率 电化学 表面粗糙度 螯合剂FA/O II 碟形坑 蚀坑
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