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高分子辅助沉积法在镍基片上制备的钛酸钡薄膜的漏电机制
1
作者 李洋 高敏 +2 位作者 杜辉 张胤 林媛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1240-1246,共7页
采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜。对其漏电特性测试及分析发现,在测试电压区间和极性不同时,分别具有不同的漏电机制,可分别用Frankel-Pool emission,space charge limited c... 采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜。对其漏电特性测试及分析发现,在测试电压区间和极性不同时,分别具有不同的漏电机制,可分别用Frankel-Pool emission,space charge limited current(SCLC)与Schottky emission等机制来描述。由于界面缓冲层分解以及界面扩散等原因,BTO/Ni界面呈现Ohmic接触,而Au/BTO界面呈现Schottky势垒接触。通过测量不同温度下的漏电流大小,得到Au/BTO界面的有效势垒为0.32eV,从而得到Au/BTO/Ni能带结构图。利用一阶线性电路模型对其界面电阻与体电阻进行计算,得到的界面电阻与体电阻大小及变化趋势与实验及理论相符合。 展开更多
关键词 高分子辅助沉积 钛酸钡薄膜 漏电机制 镍衬底
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基于钛酸锶钡介电非线性效应的可调谐太赫兹人工电磁媒质 被引量：1
2
作者 赵强 文岐业 +4 位作者 戴雨涵 张继华 陈宏伟 杨传仁 张万里 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期130-134,共5页
数值仿真研究了内嵌钛酸锶钡薄膜夹层的金属网格谐振单元人工电磁媒质的谐振行为.垂直电磁波激励下,电磁响应频率随着内嵌夹层钛酸锶钡薄膜介电常数的变大呈现红移,调谐率为22.6%.本文提出的人工电磁媒质调谐方法只需要以结构单元的上... 数值仿真研究了内嵌钛酸锶钡薄膜夹层的金属网格谐振单元人工电磁媒质的谐振行为.垂直电磁波激励下,电磁响应频率随着内嵌夹层钛酸锶钡薄膜介电常数的变大呈现红移,调谐率为22.6%.本文提出的人工电磁媒质调谐方法只需要以结构单元的上下两层金属图形本身作为电极对内嵌夹层钛酸锶钡薄膜施加电压,极大地简化了可调谐人工电磁媒质的制备及应用,在太赫兹人工电磁媒质调制器等方面具有潜在的应用. 展开更多
关键词 人工电磁媒质 钛酸锶钡薄膜 介电非线性 调谐
原文传递
Mg掺杂对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜介电性能的影响
3
作者 韦其红 陶文宏 +1 位作者 付兴华 侯文萍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期18-21,共4页
用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用solgel工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃。通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌。采用美国HPAngilent4294A阻抗分析... 用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用solgel工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃。通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌。采用美国HPAngilent4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能。实验结果表明:掺镁Sr0.5Ba0.5xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低。介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势。 展开更多
关键词 钛酸锶钡薄膜 X射线衍射 介频谱 介温谱
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BST薄膜射频磁控溅射工艺与介电性能研究
4
作者 李明利 余琼 +1 位作者 汤彬彩 陈晓露 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期81-86,共6页
用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜。研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电... 用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜。研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电常数随外加偏置电场的变化。结果表明:靶基距为100 mm,溅射功率为300~320 W,气氛压力为0.8 Pa,氩氧比为5∶1时,沉积时间在2~4 h,沉积速率适中,薄膜致密性好,厚度约为0.8~1.0μm;600℃热处理30 min得到晶粒为纳米尺寸且结构致密的BST薄膜;BST薄膜介电常数随测试频率升高略有下降,介电损耗随测试频率升高明显增大,介电常数随外加偏置电场变化展现出较好的偏场可调特性。 展开更多
关键词 钛酸锶钡薄膜 射频磁控溅射 工艺参数 表面形貌 介电性能
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