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背面Ar^+轰击对n^-沟MOSFET特性的影响 被引量：2
1
作者 黄美浅 李观启 曾绍洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期774-778,共5页
研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减... 研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减小 ,随后变大 ;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大 ,随后减小 .实验证明 。 展开更多
关键词 背面ar^+轰击 MOSFET 场效应晶体管
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背面Ar^+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响 被引量：1
2
作者 黄美浅 李观启 +1 位作者 李斌 曾绍鸿 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期307-311,共5页
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释 ,而线性区低频噪声的减小可... 研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释 ,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释 ;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅 二氧化硅界面的界面态密度的变化有关 . 展开更多
关键词 N-MOSFET 背面ar^+轰击 低频噪声 迁移率 界面态
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利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性 被引量：1
3
作者 黄美浅 陈平 +1 位作者 李旭 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期65-69,共5页
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪... 研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅 展开更多
关键词 背面ar^+轰击 n沟MOSFET 线性区 MOS场效应晶体管 跨导 迁移率 噪声 直流特性
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利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
4
作者 陈平 黄美浅 +1 位作者 李旭 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期70-74,共5页
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率... 用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后 减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化 是硅—二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果. 展开更多
关键词 背面ar^+轰击 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 跨导 阈值电压 噪声
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