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TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善
被引量:
1
1
作者
张正林
曹淑辉
+2 位作者
王炎
吕琛
封振宇
《光电子技术》
CAS
2022年第1期47-52,共6页
针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接...
针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接触角变小,造成显影后背面曝光工艺中BM未固化层发生热融溢流(Melt Flow)现象,固化工艺后形成BM边缘内切。研究发现,通过优化背面曝光工艺参数和关闭曝光上灯可以有效改善条纹Mura的程度;且将显影机导轮“平行式”排列改造成“之字式”排列,可以进一步改善条纹Mura现象。改善后条纹Mura的发生率由0.8%降至0,改善效果显著。
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关键词
条纹缺陷
内切
背面曝光
静电积累
“之字式”排列
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职称材料
背向曝光表面等离子体激元干涉光刻系统中银层超透镜的优化设计
被引量:
2
2
作者
肖啸
张志友
+2 位作者
何明阳
肖志刚
许德富
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期230-234,共5页
利用表面等离子体激元(SPP)的局域能量增强效应可提高现有光学光刻的分辨率。背向曝光SPP干涉光刻技术可以大面积制备低成本的纳米周期性结构。理论分析了SPP在背向曝光系统中的共振透射特性,提出了背向曝光SPP干涉光刻系统核心元件—...
利用表面等离子体激元(SPP)的局域能量增强效应可提高现有光学光刻的分辨率。背向曝光SPP干涉光刻技术可以大面积制备低成本的纳米周期性结构。理论分析了SPP在背向曝光系统中的共振透射特性,提出了背向曝光SPP干涉光刻系统核心元件———银层超透镜的优化设计方法,并利用时域有限差分法和理论解析式模拟计算了背向曝光SPP干涉光场分布,通过优化设计银层超透镜厚度和共振角,实验获得了较好的周期性光刻线条。
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关键词
表面光学
表面等离波子激元干涉光刻
背向曝光
银层超透镜
原文传递
背面夹缝曝光的光学模拟及其实验
3
作者
朱军
陈翔
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期367-371,共5页
背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,...
背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,即微结构的侧壁倾斜角度取决于夹缝大小;当夹缝不变时,微结构的侧壁倾斜度不变,但微结构的大小随曝光时间而变化.
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关键词
背面夹缝曝光
三维微结构
SU-8胶
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职称材料
题名
TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善
被引量:
1
1
作者
张正林
曹淑辉
王炎
吕琛
封振宇
机构
南京京东方显示技术有限公司
山东大学化学与化工学院
出处
《光电子技术》
CAS
2022年第1期47-52,共6页
文摘
针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接触角变小,造成显影后背面曝光工艺中BM未固化层发生热融溢流(Melt Flow)现象,固化工艺后形成BM边缘内切。研究发现,通过优化背面曝光工艺参数和关闭曝光上灯可以有效改善条纹Mura的程度;且将显影机导轮“平行式”排列改造成“之字式”排列,可以进一步改善条纹Mura现象。改善后条纹Mura的发生率由0.8%降至0,改善效果显著。
关键词
条纹缺陷
内切
背面曝光
静电积累
“之字式”排列
Keywords
stripe
Mura
undercut
backside
exposure
electrostatic
accumulation
Zigzag
arrangement
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
背向曝光表面等离子体激元干涉光刻系统中银层超透镜的优化设计
被引量:
2
2
作者
肖啸
张志友
何明阳
肖志刚
许德富
机构
乐山师范学院物理与电子工程学院
四川大学物理科学与技术学院纳光子技术研究所
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期230-234,共5页
基金
乐山师范学院资助项目(Z1007)
四川省教育厅科研项目(11ZB133)
乐山市科技局重点项目(10GZD022)资助课题
文摘
利用表面等离子体激元(SPP)的局域能量增强效应可提高现有光学光刻的分辨率。背向曝光SPP干涉光刻技术可以大面积制备低成本的纳米周期性结构。理论分析了SPP在背向曝光系统中的共振透射特性,提出了背向曝光SPP干涉光刻系统核心元件———银层超透镜的优化设计方法,并利用时域有限差分法和理论解析式模拟计算了背向曝光SPP干涉光场分布,通过优化设计银层超透镜厚度和共振角,实验获得了较好的周期性光刻线条。
关键词
表面光学
表面等离波子激元干涉光刻
背向曝光
银层超透镜
Keywords
surface
optics
surface
plasmon
polaritons
interference
lithography
backside
exposure
technique
silver
superlens
分类号
O436.1 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
背面夹缝曝光的光学模拟及其实验
3
作者
朱军
陈翔
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期367-371,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50775149
60976081)
+1 种基金
教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708037)
国家质检总局公益性基金资助项目(201110051)
文摘
背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,即微结构的侧壁倾斜角度取决于夹缝大小;当夹缝不变时,微结构的侧壁倾斜度不变,但微结构的大小随曝光时间而变化.
关键词
背面夹缝曝光
三维微结构
SU-8胶
Keywords
backside
gap
exposure
three-dimensional
microstructure
SU-8
photo
resist
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善
张正林
曹淑辉
王炎
吕琛
封振宇
《光电子技术》
CAS
2022
1
下载PDF
职称材料
2
背向曝光表面等离子体激元干涉光刻系统中银层超透镜的优化设计
肖啸
张志友
何明阳
肖志刚
许德富
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
原文传递
3
背面夹缝曝光的光学模拟及其实验
朱军
陈翔
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
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