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InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
1
作者 雷玮 郭方敏 +2 位作者 胡大鹏 朱自强 褚君浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1000-1003,共4页
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的... 根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。 展开更多
关键词 雪崩光电探测器 SACM结构 SAGCM结构 暗电流 增益 APSYS
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Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究
2
作者 郭康瑾 胡维央 +1 位作者 姚文兰 陈莲勇 《电子科学学刊》 CSCD 1992年第5期517-522,共6页
Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形... Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。 展开更多
关键词 雪崩 光电探测器 GAAS 肖特基势垒
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