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InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
被引量：
4
1
作者
肖雪芳
杨国华
+4 位作者
归强
王国宏
马晓宇
陈朝
陈良惠
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期460-463,共4页
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性...
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。
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关键词
静态光电特性的自动测试系统
雪崩光电二极管
大面积APD
倍增因子
下载PDF
职称材料
题名
InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
被引量：
4
1
作者
肖雪芳
杨国华
归强
王国宏
马晓宇
陈朝
陈良惠
机构
中国科学院半导体研究所
厦门大学物理系
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期460-463,共4页
文摘
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。
关键词
静态光电特性的自动测试系统
雪崩光电二极管
大面积APD
倍增因子
Keywords
auto
-
measurement
system
of
static
optoelectronic
characteristics
avalanche
photodiodes
large
areaAPD
multiplication
gain
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
肖雪芳
杨国华
归强
王国宏
马晓宇
陈朝
陈良惠
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
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