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雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化
1
作者
李庆忠
高渊魁
朱强
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期95-99,共5页
通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,...
通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明:研究的3种参数中,对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速,对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力;在相同的实验条件下,精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5%,有效减少了资源的浪费。
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关键词
正交试验
工艺参数
雾化抛光
氮化硅陶瓷
表面粗糙度
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职称材料
雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究
2
作者
李庆忠
孙苏磊
李强强
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2019年第8期2369-2374,2383,共7页
调节自配抛光液的H 2O 2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H...
调节自配抛光液的H 2O 2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H 2O 2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm。
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关键词
雾化互抛抛光
抛光参数
电化学
抛光速率
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职称材料
原子层制造的研究现状与科学挑战
3
作者
钱林茂
陈蓉
+11 位作者
朱利民
赵德文
彭小强
周平
邓辉
余家欣
曹坤
杜春阳
武恩秀
江亮
石鹏飞
陈磊
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2024年第1期99-114,共16页
原子层制造是指加工精度达到原子层量级的可控制造技术,包括原子层去除、添加、迁移等。针对信息、能源、航空航天等领域核心零部件超高性能构建的发展需求,通过原子层可控去除制造全频段原子级精度无损表面,并结合原子层增材制造原子...
原子层制造是指加工精度达到原子层量级的可控制造技术,包括原子层去除、添加、迁移等。针对信息、能源、航空航天等领域核心零部件超高性能构建的发展需求,通过原子层可控去除制造全频段原子级精度无损表面,并结合原子层增材制造原子级新结构,有望实现特殊功能的有效创成,保证超高性能的安全可靠。另外,后摩尔时代先进芯片的制造工艺将迈入亚纳米物理极限,原子层制造需求贯穿芯片制造工艺的全流程。本文阐述了原子层制造技术的发展需求与研究进展,围绕原子层抛光、原子层沉积/刻蚀、原子层损伤控制、原子层工艺与装备等领域,梳理了原子层制造的发展方向及研究目标,凝练了原子层制造领域未来的关键科学问题及面临的挑战,探讨了前沿研究方向和发展战略。
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关键词
原子层制造
原子层抛光
原子层沉积/刻蚀
原子层损伤控制
原子层制造工艺与装备
原文传递
亚纳米级抛光加工实验室的管理与维护
被引量:
6
4
作者
尹红
黄崇利
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2012年第4期204-206,213,共4页
亚纳米级抛光是获得超光滑表面的主要方法。目前,常用的亚纳米级抛光方法有化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛光(ECMP)、无磨料化学机械抛光(AP-CMP)、磁流变抛光(MRP)等。亚纳米级抛光质量受抛光液、抛光条件和抛光环境等诸多方面的影...
亚纳米级抛光是获得超光滑表面的主要方法。目前,常用的亚纳米级抛光方法有化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛光(ECMP)、无磨料化学机械抛光(AP-CMP)、磁流变抛光(MRP)等。亚纳米级抛光质量受抛光液、抛光条件和抛光环境等诸多方面的影响。抛光实验室的抛光环境是超光滑表面的重要影响因素之一,必须对抛光环境的各个方面加以科学管理和维护。
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关键词
亚纳米级抛光
平整度
超光滑表面
超洁净
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职称材料
题名
雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化
1
作者
李庆忠
高渊魁
朱强
机构
江南大学机械工程学院
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期95-99,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51175228)
文摘
通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明:研究的3种参数中,对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速,对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力;在相同的实验条件下,精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5%,有效减少了资源的浪费。
关键词
正交试验
工艺参数
雾化抛光
氮化硅陶瓷
表面粗糙度
Keywords
orthogonal
test
process
parameters
atomization
polishing
silicon
nitride
ceramics
surface
roughness
分类号
TG356.28 [金属学及工艺—金属压力加工]
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职称材料
题名
雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究
2
作者
李庆忠
孙苏磊
李强强
机构
江南大学机械工程学院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2019年第8期2369-2374,2383,共7页
基金
国家自然科学基金(51175228)
文摘
调节自配抛光液的H 2O 2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H 2O 2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm。
关键词
雾化互抛抛光
抛光参数
电化学
抛光速率
Keywords
atomization
mutual
polishing
polishing
parameter
electrochemistry
polishing
rate
分类号
TU161.14 [建筑科学—建筑理论]
下载PDF
职称材料
题名
原子层制造的研究现状与科学挑战
3
作者
钱林茂
陈蓉
朱利民
赵德文
彭小强
周平
邓辉
余家欣
曹坤
杜春阳
武恩秀
江亮
石鹏飞
陈磊
机构
西南交通大学机械工程学院
华中科技大学机械科学与工程学院
上海交通大学机械与动力工程学院
清华大学机械工程系
国防科技大学人工智能学院
大连理工大学机械工程学院
南方科技大学机械与能源工程系
西南科技大学制造过程测试技术教育部重点实验室
天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室
出处
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2024年第1期99-114,共16页
基金
国家自然科学基金项目(52235004,51991373,52122507)的资助。
文摘
原子层制造是指加工精度达到原子层量级的可控制造技术,包括原子层去除、添加、迁移等。针对信息、能源、航空航天等领域核心零部件超高性能构建的发展需求,通过原子层可控去除制造全频段原子级精度无损表面,并结合原子层增材制造原子级新结构,有望实现特殊功能的有效创成,保证超高性能的安全可靠。另外,后摩尔时代先进芯片的制造工艺将迈入亚纳米物理极限,原子层制造需求贯穿芯片制造工艺的全流程。本文阐述了原子层制造技术的发展需求与研究进展,围绕原子层抛光、原子层沉积/刻蚀、原子层损伤控制、原子层工艺与装备等领域,梳理了原子层制造的发展方向及研究目标,凝练了原子层制造领域未来的关键科学问题及面临的挑战,探讨了前沿研究方向和发展战略。
关键词
原子层制造
原子层抛光
原子层沉积/刻蚀
原子层损伤控制
原子层制造工艺与装备
Keywords
atom
ic
layer
manufacturing
atom
ic
layer
polishing
atom
ic
layer
deposition/etching
atom
ic
layer
damage
control
atom
ic
layer
manufacturing
process
and
equipment
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
原文传递
题名
亚纳米级抛光加工实验室的管理与维护
被引量:
6
4
作者
尹红
黄崇利
机构
海南大学政治与公共管理学院
海南大学应用科技学院
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2012年第4期204-206,213,共4页
基金
教育部人文社科青年项目(11YJC630263)
上海市教育委员会科研创新项目资助(09ZZ86)
+1 种基金
海南大学青年基金项目(qnjj1102)
海南省自然科学规划项目(710243)
文摘
亚纳米级抛光是获得超光滑表面的主要方法。目前,常用的亚纳米级抛光方法有化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛光(ECMP)、无磨料化学机械抛光(AP-CMP)、磁流变抛光(MRP)等。亚纳米级抛光质量受抛光液、抛光条件和抛光环境等诸多方面的影响。抛光实验室的抛光环境是超光滑表面的重要影响因素之一,必须对抛光环境的各个方面加以科学管理和维护。
关键词
亚纳米级抛光
平整度
超光滑表面
超洁净
Keywords
atom
-scale
polishing
planarization
super
smooth
surface
ultra-cleaning
分类号
TG580.692 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化
李庆忠
高渊魁
朱强
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
2
雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究
李庆忠
孙苏磊
李强强
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
3
原子层制造的研究现状与科学挑战
钱林茂
陈蓉
朱利民
赵德文
彭小强
周平
邓辉
余家欣
曹坤
杜春阳
武恩秀
江亮
石鹏飞
陈磊
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2024
0
原文传递
4
亚纳米级抛光加工实验室的管理与维护
尹红
黄崇利
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2012
6
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职称材料
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