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溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响 被引量：5
1
作者 祐卫国 张勇 +3 位作者 李璟 杨峰 CHENG C H 赵勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期503-508,共6页
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有... 用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5sccm时,（002）晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,（O02）XRD峰半峰全宽（FWHM）最小,光致发光紫外峰强度最强。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光
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氩氧比与退火温度对磁控溅射VO_(2)薄膜结构与电学性能的影响 被引量：1
2
作者 高振雨 刘哲 +4 位作者 马紫腾 郭佳成 刘雍 魏长伟 何春清 《半导体光电》 北大核心 2021年第3期353-357,363,共6页
采用反应直流磁控溅射法,通过调控溅射过程中的氩氧比,在石英玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,研究了溅射气氛及后处理条件对其微结构与电学性能的影响。经450和500℃退火,薄膜中易形成VO_(2),而550℃退火时薄膜中会形成大量非4价的钒氧化... 采用反应直流磁控溅射法,通过调控溅射过程中的氩氧比,在石英玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,研究了溅射气氛及后处理条件对其微结构与电学性能的影响。经450和500℃退火,薄膜中易形成VO_(2),而550℃退火时薄膜中会形成大量非4价的钒氧化物。薄膜在较高温度500℃下退火时结晶度增加,但薄膜颗粒之间的间隙更为明显,导致电阻率显著提高;同时其电阻率-温度曲线的热滞回线宽度较窄,在加热过程中相转变温度较高。当氩氧比中氧含量增加时,沉积的VO_(2)薄膜中生成了少量非4价的钒氧化物。结果表明,反应磁控溅射法制备的氧化钒薄膜的微结构、电阻率、相变温度等特性与氩氧比和后退火温度密切相关。 展开更多
关键词 磁控溅射 退火 氩氧比 氧化钒 相变
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低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
3
作者 张含悦 王超 +2 位作者 杨帆 王艳杰 刘芙男 《吉林建筑大学学报》 CAS 2022年第4期78-83,共6页
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响... 本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响规律.结果表明,磁控溅射的氩氧比为80∶20时,AZO薄膜表面的粗糙度较小,其值RMS=1.867 nm;制备的AZO-TFT均为n-沟道增强型器件,且呈现良好的饱和特性.该晶体管的电学性能较优,其亚阈值摆幅为2.64 V/decade,阈值电压为1.2 V,电流开关比可达4.08×10^(3),为新型可生物降解薄膜晶体管技术奠定了实验基础. 展开更多
关键词 玉米蛋白膜 可降解薄膜晶体管 铝掺杂氧化锌(AZO) 氩氧比
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分离打拿极电子倍增器性能提升技术研究
4
作者 李洁 杨济世 +4 位作者 刘虎林 刘碧野 赵源 胡文波 吴胜利 《真空电子技术》 2023年第1期18-24,共7页
研究了磁控溅射法制备二次电子发射薄膜过程中氩气与氧气流量比和打拿极极间分压方式对电子倍增器增益及衰减特性的影响。研究表明,采用25∶5的氩气与氧气流量比所制备的MgO/(MgO-Au)双层结构薄膜具有最大的二次电子发射系数(SEY)和最小... 研究了磁控溅射法制备二次电子发射薄膜过程中氩气与氧气流量比和打拿极极间分压方式对电子倍增器增益及衰减特性的影响。研究表明,采用25∶5的氩气与氧气流量比所制备的MgO/(MgO-Au)双层结构薄膜具有最大的二次电子发射系数(SEY)和最小的SEY衰减率,同时利用该薄膜制作的九级打拿极电子倍增器具有最高的增益和最小的增益衰减率,这与该薄膜拥有最大的MgO晶粒尺寸和合适的导电性密切相关;采用第九打拿极与地之间的分压电阻阻值为3 MΩ且前八级打拿极极间分压电阻阻值均为6 MΩ的打拿极极间差异化分压方式制作电子倍增器能够提高器件增益,降低器件工作电压,并减缓在电子持续轰击下的增益衰减。该研究结果对高性能分离打拿极电子倍增器研制及其应用具有重要意义。 展开更多
关键词 电子倍增器 二次电子发射 氩气与氧气流量比 打拿极极间分压方式
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氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响 被引量：2
5
作者 李星活 王聪 彭强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期16-19,23,共5页
采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为... 采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。 展开更多
关键词 氧化锌 氩氧分压比 氧化锌基薄膜晶体管 射频磁控溅射法 场效应迁移率 输出特性 转移特性
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