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锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率 被引量：2
1
作者 杨建广 唐谟堂 +2 位作者 张保平 唐朝波 杨声海 《中国粉体技术》 CAS 2004年第4期1-4,共4页
归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型... 归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49％(质量分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×10~4(Ω·cm)^(-1),氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×10~4(n·cm)^(-1),大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×10~4(Ω·cm)^(-1))。 展开更多
关键词 锑掺杂二氧化锡 电导率 导电机理
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