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基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究 被引量：2
1
作者 刘学超 黄建立 叶春显 《电源学报》 CSCD 2016年第4期59-65,81,共8页
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT... 研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限
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基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究 被引量：1
2
作者 刘学超 黄建立 叶春显 《磁性元件与电源》 2018年第6期143-151,共9页
研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IG... 研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限
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基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法 被引量：32
3
作者 陈材 裴雪军 +2 位作者 陈宇 汪洪亮 康勇 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第21期40-47,共8页
由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数... 由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数,其计算结果并不精确。为得到更精确的结果,提出一种新的参数抽取方法,通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段,并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响,在此基础上得到电压过冲ΔUce和相对应的di/dt,进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后,将该分析方法在一台75 kVA的单相逆变器进行实验验证,利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取,均得到一致的结果,从而证明了本方法的有效性与正确性。 展开更多
关键词 电压尖峰 杂散电感 反并联二极管 开通 关断
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基于混合电路模型的亚毫米波谐波混频器的实现 被引量：2
4
作者 于伟华 牟进超 +2 位作者 安大伟 吕昕 刘新宇 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期187-190,195,共5页
针对亚毫米波频段混频二极管管对模型获取困难的问题,提出了利用全波电磁场分析算法提取管对无源结构参数,并与管对直流电流-电压特性参数结合获取混合电路等效模型的建模方法.分析了谐波混频器原理,设计并实现了一个工作于2mm波段的二... 针对亚毫米波频段混频二极管管对模型获取困难的问题,提出了利用全波电磁场分析算法提取管对无源结构参数,并与管对直流电流-电压特性参数结合获取混合电路等效模型的建模方法.分析了谐波混频器原理,设计并实现了一个工作于2mm波段的二次谐波混频器.测试结果显示在116～120GHz频率范围内,其变频损耗小于20dB,与仿真数据基本吻合,证明本文提出的混合电路建模方法及所提取模型的有效性. 展开更多
关键词 亚毫米波谐波混频器 混合电路模型 全波电磁场仿真 管对模型
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基于大功率逆变器IGBT开关瞬态电压、电流波形的杂散参数抽取方法 被引量：2
5
作者 陈材 陈宇 +1 位作者 裴雪军 康勇 《电力电子》 2010年第3期66-69,65,共5页
由于线路杂散电感的存在,IGBT(insulated gate bipolar transistor)开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响,需要对线路杂散电感进行抽取。为此,本文提出一种基于IGBT开关瞬态电压、电流波形的杂散参数抽取方法。在IGB... 由于线路杂散电感的存在,IGBT(insulated gate bipolar transistor)开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响,需要对线路杂散电感进行抽取。为此,本文提出一种基于IGBT开关瞬态电压、电流波形的杂散参数抽取方法。在IGBT的开通过程中,考虑了IGBT反并联二极管的反向恢复过程,并且利用由该过程引起电压尖峰进行线路的杂散电感的抽取;在IGBT的关断过程中,通过对关断波形进行了更详细的分析,给出更精确的线路杂散电感的抽取方法。最后,将该方法应用于一台75kVA的单相逆变器,实验结果证明了本方法的有效性与正确性。 展开更多
关键词 IGBT 电压尖峰 杂散电感 反并联二极管 开通 关断
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8 mm波段四次谐波混频器的设计 被引量：1
6
作者 何荣 韩波 +2 位作者 缪旻 李振松 崔小乐 《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 2018年第6期7-12,共6页
针对毫米波接收机直接采用同频段本振源所带来的高成本、难获得的问题,对毫米波谐波混频器降低本振信号频率的原理进行了分析,设计了一款8 mm波段的四次谐波混频器。选用型号为MA4E2039的肖特基势垒二极管对作为核心混频器件,在管对两... 针对毫米波接收机直接采用同频段本振源所带来的高成本、难获得的问题,对毫米波谐波混频器降低本振信号频率的原理进行了分析,设计了一款8 mm波段的四次谐波混频器。选用型号为MA4E2039的肖特基势垒二极管对作为核心混频器件,在管对两边加入了匹配电路和滤波器以提高混频效率。仿真结果表明混频器在射频频率34～36 GHz,本振频率7.5～9.5 GHz时的变频损耗约为9 dB,端口隔离度大于20 dB,不仅将混频器的本振频率降为原来所需本振频率的1/4,同时保证了器件的性能。 展开更多
关键词 毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对
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W波段宽带倍频器的设计与仿真
7
作者 严琳 董俊 +2 位作者 李天明 汪海洋 周翼鸿 《电子设计工程》 2013年第4期68-70,74,共4页
本文介绍了一种由低次级联形式构成的W波段宽带六倍频器。输入信号先经过MMIC得到二倍频,再由反向并联二极管对平衡结构实现宽带三倍频,从而将Ku波段信号六倍频到W波段。该倍频器的输入端口为玻璃绝缘子同轴转换接头,输出为WR-10标准矩... 本文介绍了一种由低次级联形式构成的W波段宽带六倍频器。输入信号先经过MMIC得到二倍频,再由反向并联二极管对平衡结构实现宽带三倍频,从而将Ku波段信号六倍频到W波段。该倍频器的输入端口为玻璃绝缘子同轴转换接头,输出为WR-10标准矩形波导结构。仿真结果表明当输入信号功率为20dBm时,三倍频器在整个W波段的输出三次谐波功率为4.5dBm左右,变频损耗小于17dB。该设计可以降低毫米波设备的主振频率,扩展已有微波信号源的工作频段。 展开更多
关键词 W波段倍频器 带通滤波器 平衡电路 反向并联二极管对
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三毫米波段二次谐波混频器 被引量：6
8
作者 向博 窦文斌 何敏敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期343-346,349,共5页
采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大... 采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.还设计了三毫米波波导到微带过渡转换,整个电路设计和安装在介电常数为2.22,厚度为0.127 mm的RT/Duroid 5880基片上.当本振频率为46.3 GHz时,该混频器射频输入90～95 GHz,实测带内变频损耗小于15 dB. 展开更多
关键词 3毫米波 二次谐波混频器 变频损耗 肖特基势垒二极管对
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三毫米波段四次谐波混频器的研究 被引量：1
9
作者 向博 窦文斌 何敏敏 《空间电子技术》 2012年第2期54-57,共4页
文章采用微带结构研制出三毫米波四次谐波混频器。该混频器核心器件采用型号为MS8251-P261的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,并由此设计出本振网络;然后模拟... 文章采用微带结构研制出三毫米波四次谐波混频器。该混频器核心器件采用型号为MS8251-P261的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,并由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络。整个电路设计和安装在介电常数为2.22、厚度为0.127mm的RT/Duriod 5880基片上。当本振频率为23.15GHz时,该混频器射频输入88GHz～94.4GHz,实测带内变频损耗小于20dB。 展开更多
关键词 三毫米波 四次谐波混频器 变频损耗 肖特基势垒二极管对
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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量：1
10
作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页
基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多
关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器
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