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芯片传导瞬态电磁干扰下的防护特性研究 被引量:2
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作者 付路 阎照文 +1 位作者 刘玉竹 苏丽轩 《安全与电磁兼容》 2022年第4期38-42,66,共6页
瞬态电压抑制器(TVS)二极管作为常用的抑制瞬态电磁干扰的防护器件,在芯片的防护中有关键作用。文章采用传输线脉冲(TLP)测试方法,对有一定代表性的六款TVS二极管在10~1000 ns五组脉冲宽度、0.5~1800 V的TLP干扰信号作用下的瞬态响应进... 瞬态电压抑制器(TVS)二极管作为常用的抑制瞬态电磁干扰的防护器件,在芯片的防护中有关键作用。文章采用传输线脉冲(TLP)测试方法,对有一定代表性的六款TVS二极管在10~1000 ns五组脉冲宽度、0.5~1800 V的TLP干扰信号作用下的瞬态响应进行了多角度分析。重点研究了工程中常用的三款不同型号的数字芯片和模拟芯片在TVS二级管防护后,受到不同脉宽TLP应力作用下的防护特性。测试结果表明:芯片并联TVS二极管后,多数情况下即使TLP电压达到1800 V,TVS二极管对芯片仍有较好的防护。这种基于不同脉宽特性的研究思路,为不同应用场景的器件防护奠定了基础,实测数据为精确建立TVS仿真模型提供了可能。 展开更多
关键词 tvs二极管 浪涌 芯片 防护 TLP测试
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