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阳极线性离子源辅助磁控溅射沉积氮化钛薄膜的研究 被引量：4
1
作者 卢春灿 聂朝胤 +3 位作者 潘婧 贾晓芳 谢红梅 杨娟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期29-32,共4页
采用阳极线性离子源辅助磁控溅射技术,通过改变氮气流量以及离子源功率,在低温(150℃)条件下以不锈钢为基体制备了氮化钛薄膜。采用X射线衍射技术、显微硬度计、球盘式摩擦磨损仪、压痕法研究了薄膜的结构、硬度、耐磨性和结合强度,结... 采用阳极线性离子源辅助磁控溅射技术,通过改变氮气流量以及离子源功率,在低温(150℃)条件下以不锈钢为基体制备了氮化钛薄膜。采用X射线衍射技术、显微硬度计、球盘式摩擦磨损仪、压痕法研究了薄膜的结构、硬度、耐磨性和结合强度,结果表明,采用阳极线性离子源辅助磁控溅射法在150℃低温条件下能制备出具有良好特性的金黄色的氮化钛薄膜。当氮气流量为20sccm、离子源功率为300W时,制备的薄膜硬度达到2039HV,且薄膜的耐磨性与结合强度最佳。离子的轰击作用使薄膜的力学性能得到了较大改善。 展开更多
关键词 阳极线性离子源 磁控溅射 低温 氮化钛 结合强度
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离子源对磁控溅射制备TiNC膜基结合力的影响
2
作者 钱锋 林晶 刘树红 《真空》 CAS 2012年第1期78-82,共5页
由于膜基附着力不好,膜层脱落问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题。本实验采用阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术制备了TiNC薄膜,探讨解决TiNC膜基附着力不好的问题。初步实验结果表明,离子束辅助沉积对于改善... 由于膜基附着力不好,膜层脱落问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题。本实验采用阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术制备了TiNC薄膜,探讨解决TiNC膜基附着力不好的问题。初步实验结果表明,离子束辅助沉积对于改善膜基附着力的作用并不明显,本文还比较了脉冲偏压清洗对膜基附着力的影响,探讨了其可能影响因素。 展开更多
关键词 阳极层离子源 膜基附着力 TiNC 中频磁控溅射
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靶电流对掺钨类金刚石膜的结构与摩擦学行为的影响 被引量：1
3
作者 付志强 王成彪 +6 位作者 杜秀军 王伟 邬苏东 于翔 彭志坚 林松盛 代明江 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期250-253,257,共5页
利用真空阴极电弧+磁控溅射+阳极层条形离子源制备了带梯度过渡层的掺钨类金刚石(DLC)膜,并研究了靶电流对掺钨DLC膜结构和性能的影响,结果表明:制备的掺钨DLC膜光滑致密,表面存在1~2μm的液滴。靶电流不大于3.5A时,随着靶电流的增加,掺... 利用真空阴极电弧+磁控溅射+阳极层条形离子源制备了带梯度过渡层的掺钨类金刚石(DLC)膜,并研究了靶电流对掺钨DLC膜结构和性能的影响,结果表明:制备的掺钨DLC膜光滑致密,表面存在1~2μm的液滴。靶电流不大于3.5A时,随着靶电流的增加,掺钨DLC膜的钨含量逐渐增加,但sp3的含量基本不变;靶电流为5A时,制备的薄膜成分接近WC的理想化学计量比,薄膜中的sp3含量增加到48%。当靶电流不大于2A时,靶电流对掺钨DLC膜的显微硬度和摩擦系数影响较小;在高的靶电流条件下,掺钨DLC膜的显微硬度和摩擦系数随着靶电流的增加而明显增大。 展开更多
关键词 掺钨类金刚石 靶电流 结构 力学性能 磁控溅射+阳极层条形离子源
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