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氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响 被引量：1
1
作者 邵静 沈鸿烈 +2 位作者 王学文 高凯 赖斌康 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第2期240-245,共6页
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜... 采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析。结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低。在氧含量为10%、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9%升高至85.8%,2000nm处透光率由84.6%下降至23.0%。 展开更多
关键词 磁控溅射 ATO 近红外阻隔 氮气退火 溅射功率 压强
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氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响 被引量：9
2
作者 杨盟 刁训刚 +1 位作者 刘海鹰 王天民 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1637-1641,共5页
利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜... 利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现在不同气氛下热处理均能明显提高ITO薄膜在可见光区的透过率,氨气气氛下更有利于薄膜导电特性的改善。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氨气和氮气气氛 热处理 ITO薄膜
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氮化处理对ITO薄膜光电特性影响 被引量：1
3
作者 杨盟 刁训刚 +2 位作者 刘海鹰 武哲 舒远杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1518-1521,共4页
利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-... 利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率。氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氨气和氮气气氛下热处理 氮气共溅射 ITO薄膜
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硅钢退火炉氮气冷却的碳套辊分析 被引量：1
4
作者 夏天 徐祖敦 +1 位作者 姚文方 易炳生 《冶金设备》 2012年第S1期155-156,共2页
阐述了传统硅钢退火炉无冷却碳套辊的缺点,并介绍和分析了通氮气冷却碳套辊的技术特点。
关键词 硅钢 退火炉 碳套辊 氮气
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