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用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术
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作者 余金豪 杨炳辰 +6 位作者 杨超 陈奇 凌海容 王蓟 王国政 杨继凯 端木庆铎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期603-609,共7页
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）... 为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系。研究表明,硅（100）晶面和（110）晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素。当硅（100）晶面与（110）晶面腐蚀速率比大于2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列。使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列。通过高温填充CsI（Tl）制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能。 展开更多
关键词 X射线闪烁屏 硅微通道阵列 各向异性腐蚀 整形技术 开口面积比
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一种面向MEMS矢量水听器的硅纳米线制备方法 被引量：2
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作者 史一明 齐秉楠 +3 位作者 白建新 宋金龙 王卫东 王任鑫 《中北大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第5期455-460,共6页
为了进一步提高MEMS矢量水听器灵敏度,把硅纳米线作为压敏单元,将硅纳米线工艺引入到MEMS矢量水听器制备过程中,利用其所具有的巨压阻效应来提高MEMS矢量水听器的灵敏度.本文提出了一种自上而下的微加工工艺方法,将TMAH(四甲基氢氧化铵... 为了进一步提高MEMS矢量水听器灵敏度,把硅纳米线作为压敏单元,将硅纳米线工艺引入到MEMS矢量水听器制备过程中,利用其所具有的巨压阻效应来提高MEMS矢量水听器的灵敏度.本文提出了一种自上而下的微加工工艺方法,将TMAH(四甲基氢氧化铵)各向异性腐蚀和干法刻蚀法结合来制备出硅纳米线,其中TMAH腐蚀形成屋檐结构,干法刻蚀形成氧化硅掩模图形以及硅纳米线.该制备方法与半导体工艺相兼容,能够实现与MEMS水声传感器的集成. 展开更多
关键词 MEMS矢量水听器 硅纳米线 自上而下法 TMAH各向异性腐蚀 干法刻蚀 半导体工艺
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