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NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 被引量:7
1
作者 王锐 薛俊明 +7 位作者 俞远高 侯国付 李林娜 孙建 张德坤 杨瑞霞 赵颖 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期511-514,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。 展开更多
关键词 非晶硅(a-si) 太阳能电池 I/P界面 NIP电池
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综述:低温多晶硅技术 被引量:6
2
作者 Jenny Donelan 张晓晋 《现代显示》 2010年第10期5-7,共3页
低温多晶硅技术是有源矩阵LCD领域的一项关键技术,它的未来会怎样,而目前它是否又得到了充分应用呢?此文章将解答这些问题。
关键词 非晶硅 多晶硅 低温多晶硅
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AM-OLED的像素电路集锦(一) 被引量:4
3
作者 应根裕 《现代显示》 2011年第5期11-21,共11页
用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的... 用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求(文章分为两期刊登,本篇为第一部分)。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管显示器 低温多晶硅 非晶硅 薄膜晶体管 像素电路
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全球光伏电池的生产趋势及市场分析 被引量:1
4
作者 侯岩 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期338-339,共2页
随着传统能源消费的增长和生态环境的日益恶化,世界各国都在积极开发无污染可再生的新能源。简述了近年全球光伏电池的生产趋势,包含生产水平,过去几十年的增长情况和排名前几位制造商的情况,分析了全球光伏电池的市场状况,指出了未来... 随着传统能源消费的增长和生态环境的日益恶化,世界各国都在积极开发无污染可再生的新能源。简述了近年全球光伏电池的生产趋势,包含生产水平,过去几十年的增长情况和排名前几位制造商的情况,分析了全球光伏电池的市场状况,指出了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 晶体硅 非晶硅 光伏市场 预测
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AM-OLED的像素电路集锦(二) 被引量:3
5
作者 应根裕 《现代显示》 2011年第6期11-19,共9页
用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的... 用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求(文章分为两期刊登,本篇为第二部分)。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管显示器 低温多晶硅 非晶硅 薄膜晶体管 像素电路
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激光波长对非晶硅薄膜晶化效果的影响 被引量:3
6
作者 周德让 段国平 +2 位作者 陈俊岭 韩俊鹤 黄明举 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1948-1952,共5页
为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si)薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶化,在5ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究在不同激光功率密度下薄膜晶化后的特性。结果表明,a... 为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si)薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶化,在5ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究在不同激光功率密度下薄膜晶化后的特性。结果表明,a-Si薄膜的晶化阈值随着波长的增大而增大,当波长为458nm时薄膜晶化阈值为13.2kW/cm2,波长为647nm时,晶化阈值为19.2kW/cm2;在激光功率密度范围为0~27.1kW/cm2内,薄膜的最大晶化率受波长的影响相对较小,但总体也随着波长的增大而呈增大趋势,当波长为647nm时,在激光功率密度26.5kW/cm2处,晶化率达到最大值75.85%。 展开更多
关键词 薄膜 非晶硅(a-si) 连续激光晶化 波长 晶化率
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新一代X射线探测器在射线实时成像检测中的应用
7
作者 李衍 《无损检测》 北大核心 2006年第9期488-490,492,共4页
介绍非晶硅(a-Si)平板探测器的技术特性,及其取代常用的图像增强器在焊缝和铸件的工业射线实时成像(RTR)检测中的应用。试验结果证明,选用适当型号的a-Si平板探测器,可获得优于图像增强器的像质计(IQI)灵敏度和空间分辨率。
关键词 非晶硅(a-si) 平板探测器 图像增强器 射线实时成像 射线直接数字成像 像质计灵 敏度 空间分辨率
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平板式探测器和常规X射线数字化成像未来 被引量:28
8
作者 郭长运 《医疗设备信息》 2002年第2期1-8,共8页
本文综合论述、分析和讨论了平板检测器 (FPD )主要组成部分和整体检测器工作机理、优良特性和现有水平。将用于数字化X射线摄影 (DR )的FPD和传统射线摄影用胶片—增感屏系统 (简称屏—片系统 )进行了比较。提及了FPDDR系统代表着数字... 本文综合论述、分析和讨论了平板检测器 (FPD )主要组成部分和整体检测器工作机理、优良特性和现有水平。将用于数字化X射线摄影 (DR )的FPD和传统射线摄影用胶片—增感屏系统 (简称屏—片系统 )进行了比较。提及了FPDDR系统代表着数字摄影系统优点且较其它系统具有优势。将用于数字化X射线透视 (DF )的FPD和传统射线透视用图像增强器 -摄像器件系统 (简称IIT系统 )进行了对比 ,也简述了FPDDR和DF系统某些产品的应用。文中分析认为 ,未来常规X射线成像系统是和FPD技术联系在一起的。 展开更多
关键词 平板检测器 常规X射线数字化成像 非晶硅(a-si)FPD 非晶硒(a-Se)FPD Csi:Tl a-Se层 PIN光电二极管 薄膜晶体管(TFT)
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基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响 被引量:6
9
作者 王守坤 孙亮 +3 位作者 郝昭慧 朱夏明 袁剑峰 林承武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期613-617,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积法 基撑梢 氮化硅膜 氢化非晶硅膜 傅里叶红外分析
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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率 被引量:1
10
作者 瞿敏妮 刘思琦 +4 位作者 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。 展开更多
关键词 超浅光栅耦合器 高侧壁垂直度 聚焦离子束(FIB) 铌酸锂(LN) 非晶硅(α-si)
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RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究 被引量:3
11
作者 蔡宏琨 张德贤 +4 位作者 何青 赵飞 陶科 席强 孙云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期545-549,共5页
采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的... 采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。 展开更多
关键词 X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-si:H)薄膜 氢化微晶硅(μc-si:H)薄膜 晶粒尺寸
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P型微晶硅薄膜材料性能的研究 被引量:2
12
作者 蔡宏琨 张德贤 +3 位作者 冯凯 齐龙茵 王雅欣 孙云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期927-930,共4页
本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化。采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降... 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化。采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。 展开更多
关键词 太阳电池 微晶硅 非晶硅
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飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究 被引量:3
13
作者 邵珠峰 杨秀娟 +1 位作者 陆晓东 钟敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期608-614,共7页
通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域... 通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成。比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子。结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm^2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9%,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍。同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔"光俘获"微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用。 展开更多
关键词 飞秒激光 非晶硅(a-si)太阳电池 微纳加工 多孔微结构 刻蚀
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Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films 被引量:2
14
作者 朱秀红 陈光华 +5 位作者 张文理 丁毅 马占洁 胡跃辉 何斌 荣延栋 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第11期2348-2351,共4页
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films with high and same order of magnitude photosensitivity (-10^5) but different stability were prepared by using microwave electron cyclotron resonance chemical vapour d... Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films with high and same order of magnitude photosensitivity (-10^5) but different stability were prepared by using microwave electron cyclotron resonance chemical vapour deposition system under the different deposition conditions. It was proposed that there was no direct correlation between the photosensitivity and the hydrogen content (CH) as well as H-Si bonding configurations, but for the stability, they were the critical factors. The experimental results indicated that higher substrate temperature, hydrogen dilution ratio and lower deposition rate played an important role in improving the microstructure of a-Si:H films. We used hydrogen elimination model to explain our experimental results. 展开更多
关键词 hydrogenated amorphous silicon (a-si:H) films PHOTOSENsiTIVITY STABILITY microstructure hydrogen elimination (HE) model
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基于不同单光子能量拉曼谱的氢化硅薄膜微观特性研究 被引量:1
15
作者 王权 胡然 +2 位作者 蒋力耘 丁建宁 何宇亮 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1528-1531,共4页
用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)在玻璃和单晶硅(c-Si)衬底上分别制备了氢化纳米硅(nc-Si:H)和非晶硅(a-Si:H)薄膜,用紫外、可见和近红外3种不同波长的激光线对不同形态的Si薄膜进行拉曼散射实验研究。研究发现,这些Si薄膜在不同... 用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)在玻璃和单晶硅(c-Si)衬底上分别制备了氢化纳米硅(nc-Si:H)和非晶硅(a-Si:H)薄膜,用紫外、可见和近红外3种不同波长的激光线对不同形态的Si薄膜进行拉曼散射实验研究。研究发现,这些Si薄膜在不同的单光子能量的激光线激发下的拉曼谱线形也不同。进而通过对Si薄膜材料中光吸收系数、折射率、消光系数和穿透深度等的理论分析以及薄膜内部原子数密度及键能密度的计算,对实验结果进行了详细的解释。研究表明,在对Si薄膜微观特性的拉曼光谱研究中,应根据薄膜的具体厚度选择最合适的激发波长,才能对精细微结构获得更为深层次的认识。 展开更多
关键词 非晶硅(a-si:H)薄膜 纳米硅(nc-si:H)薄膜 拉曼散射 单光子能量 波长 穿透深度 应力
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非晶硅材料研究进展
16
作者 陈光华 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第4期1-4,共4页
介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。
关键词 氢化非晶硅 非晶硅基合金膜 非晶硅材料
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基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型 被引量:1
17
作者 何红宇 郑学仁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期551-555,共5页
对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所... 对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。 展开更多
关键词 非晶硅(a-si:H) 薄膜晶体管 开态电流 陷落电荷 陷阱态
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热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜 被引量:1
18
作者 田罡煜 王涛 +6 位作者 黄海宾 孙喜莲 高超 岳之浩 袁吉仁 周耐根 周浪 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期376-381,386,共7页
采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表... 采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表明,热丝电流为21.5~23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0 A时,钝化效果最好;H_2体积流量为5~20 cm^3/min时,少子寿命随着H_2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm^3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4~5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-si:H)薄膜 钝化 带有 本征薄层的异质结(HIT)
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淬火制备非晶硅的分子动力学模拟研究
19
作者 戴永兵 徐重阳 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期267-271,共5页
在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000... 在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000K左右的体积一次性膨胀法克服这一困难。对模拟制备的a-Si的径向偶对分布函数、键角分布函数及配位数的分析表明,a-Si中的四面体网络结构已得到了比较好的恢复。对制备过程的分析则显示,体积膨胀及随后的弛豫所导致的三体能大幅度下降是使体积一次性膨胀法有效的主要原因。 展开更多
关键词 分子动力学模拟 非晶硅 淬火 半导体材料
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新一代X射线检测器在射线实时成像检测中的应用
20
作者 李衍 《中国特种设备安全》 2005年第4期68-71,共4页
介绍非晶硅(a-Si)平板检测器的技术特性,及其取代常用的图像增强器在工业射线实时成像检测中的应用——焊缝和铸件检验。实验结果证明:选用适当型号的a-Si平板检测器,可获得优于图像增强器的像质计(IQI)灵敏度和空阃分辨力。这是工业数... 介绍非晶硅(a-Si)平板检测器的技术特性,及其取代常用的图像增强器在工业射线实时成像检测中的应用——焊缝和铸件检验。实验结果证明:选用适当型号的a-Si平板检测器,可获得优于图像增强器的像质计(IQI)灵敏度和空阃分辨力。这是工业数字射线照相技术实用化的又一新突破。 展开更多
关键词 非晶硅(a-si) 平板检测器 图像增强器 射线实时成像 数字射线照相 IQI灵敏度 空间分辨力 实时成像检测 检测器 X射线
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