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Effect of Additives on the Sintering of Amorphous Nano-sized Silicon Nitride Powders 被引量:3
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作者 骆俊廷 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2009年第4期537-539,共3页
Amorphous nano-sized silicon nitride powders were sintered by liquid phase sintering. The influences of the additives of Y2O3 and Al2O3 prepared by two different ways, the polyacrylamide gel method and the precipitati... Amorphous nano-sized silicon nitride powders were sintered by liquid phase sintering. The influences of the additives of Y2O3 and Al2O3 prepared by two different ways, the polyacrylamide gel method and the precipitation method, were investigated. The grain sizes of the additives prepared by the first method were finer than those of prepared by the latter method. When sintered at the same temperature, 1700 ℃, the average grain size of the silicon nitride is 0.3 um for the sample with the former additives, which is much finer than the one with the latter additives. The density of additives prepared by precipitation method is clearly lower than those of prepared by polyacrylamide gel method. 展开更多
关键词 amorphous silicon nitride liquid phase sintering ADDITIVES
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液相烧结非晶纳米氮化硅陶瓷粉体结晶与相变行为研究 被引量:2
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作者 骆俊廷 张凯锋 +1 位作者 王国峰 陈国清 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期214-217,共4页
以Y2 O3 和Al2 O3 纳米陶瓷粉体作为烧结助剂 ,液相烧结非晶纳米Si3 N4陶瓷粉体 ,研究了不同温度下烧结体的结晶与相变行为。 1 5 0 0℃烧结 ,烧结体为非晶与晶体混合态 ,结晶相主要为α Si3 N4和 β Si3 N4,结晶度达到 70 %。温度超过 ... 以Y2 O3 和Al2 O3 纳米陶瓷粉体作为烧结助剂 ,液相烧结非晶纳米Si3 N4陶瓷粉体 ,研究了不同温度下烧结体的结晶与相变行为。 1 5 0 0℃烧结 ,烧结体为非晶与晶体混合态 ,结晶相主要为α Si3 N4和 β Si3 N4,结晶度达到 70 %。温度超过 1 6 0 0℃以后 ,烧结体已经完全结晶 ,为 β Si3 N4和Si2 N2 O双相陶瓷。当温度达到1 6 5 0℃ ,Si2 N2 O的体积分数达到最大值 ,说明烧结体中的O2 与Si3 N4已经反应完全。烧结温度超过 1 70 0℃时 ,Si2 N2 O的体积分数开始减小 ,烧结体中没有SiO2 出现 ,证明反应 2Si3 N4(s) +1 5O2 (g) =3Si2 N2 O(s) +N2(g)为可逆反应。 1 6 0 0℃烧结体的典型结晶形貌分析表明 :粒径尺寸基本分布在两个区域 ,大部分较大晶粒粒径在 1 5 0~ 2 5 0nm之间 ,小部分晶粒粒径 <1 0 0nm ,个别晶粒的长径比达到 1 5。 展开更多
关键词 液相烧结 非晶纳米氮化硅陶瓷粉体 结晶 相变 氮化硅陶瓷
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DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用 被引量:2
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作者 房少华 程秀兰 +1 位作者 黄晔 顾怀怀 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6634-6641,共8页
可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模型结构优化并计算... 可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模型结构优化并计算能量,得到缺陷俘获电荷过程的能量变化.发现缺陷俘获电子的能力比俘获空穴的能力好,电子释放过程应对温度敏感,而空穴释放过程主要由隧穿机理控制.预测与氧氮化硅一样,硫或磷掺杂氮化硅代替氮化硅作为SONOS器件的电荷储存层,可改善器件的保持性能. 展开更多
关键词 SONOS器件 密度泛函理论 无定形氮化硅 掺杂
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非晶态Si3N4结晶及α-Si3N4晶种的调控结晶行为
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作者 胡尊兰 谢志鹏 +2 位作者 康国兴 刘洁 颜强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1920-1926,共7页
采用液相界面反应法制备高α相的Si3N4粉体。以SiCl4为硅源,液氨为氮源,甲苯为溶剂,通过液相界面法合成硅亚胺,硅亚胺在1 000℃分解为非晶态Si3N4粉体,在1 550℃晶化为α-Si3N4粉体。研究了非晶态Si3N4的晶化过程,并讨论了添加α-Si3N4... 采用液相界面反应法制备高α相的Si3N4粉体。以SiCl4为硅源,液氨为氮源,甲苯为溶剂,通过液相界面法合成硅亚胺,硅亚胺在1 000℃分解为非晶态Si3N4粉体,在1 550℃晶化为α-Si3N4粉体。研究了非晶态Si3N4的晶化过程,并讨论了添加α-Si3N4晶种对非晶态Si3N4结晶过程的影响。结果表明:晶核从具有短枝状结构的非晶态Si3N4团聚体的表面和内部形成,进而生长成为α-Si3N4晶粒;添加α-Si3N4晶种,能够增加形核数量,加快了非晶态Si3N4向α-Si3N4的结晶转变,有效地提高了晶化质量。 展开更多
关键词 液相法 非晶态 氮化硅 晶种 结晶行为
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非晶氮化硅的研究 被引量:1
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作者 王树林 程如光 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期243-250,共8页
本文报道了非晶氮化硅薄膜的组成、结构与性能关系的研究结果。采用高频辉光放电工艺,改变硅烷、纯氨及氢气的配比可制备各种N/Si比的非晶氮化硅。这类膜中都含有氢,因此其结构式可用a-SiN_x:H表示。红外吸收光谱、氢释放谱、光电性能... 本文报道了非晶氮化硅薄膜的组成、结构与性能关系的研究结果。采用高频辉光放电工艺,改变硅烷、纯氨及氢气的配比可制备各种N/Si比的非晶氮化硅。这类膜中都含有氢,因此其结构式可用a-SiN_x:H表示。红外吸收光谱、氢释放谱、光电性能测试的实验结果表明:当膜中N/Si<0.56时,膜的结构以a-Si:H相为主,是一种半导体,当N/Si比>0.73,膜的结构以a-Si_3N_4:H相为主,是一种绝缘体,在0.56<N/S_1<0.73之间发现有一结构转变点。文内还报道了各种组分的非晶氮化硅的应用可能性。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 非晶体 薄膜 红外光谱
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具有分束和聚焦功能的氮化硅二元位相型光学元件
6
作者 黄信凡 李志锋 +3 位作者 高文琦 周进 顾晓峰 陈坤基 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第12期945-948,共4页
报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(α-SiNx:H)薄膜制作了这样的元... 报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(α-SiNx:H)薄膜制作了这样的元件,成功地实现了设计的功能,分束阵列为3×3,焦距为18cm,分束后的光强分布相对误差小于5%。 展开更多
关键词 光学元件 氮化硅 分束 聚焦 光栅
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非晶氮化硅分束-聚焦集成二元位相型光学元件
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作者 李志锋 黄信凡 +3 位作者 高文琦 周进 顾晓峰 陈坤基 《南京大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第3期434-438,共5页
报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(a-SiNx:H)薄膜制作了这样的元... 报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(a-SiNx:H)薄膜制作了这样的元件,成功地实现了设计的功能,分束阵列为3×3,焦距18cm,分束后的光强分布相对误差小于5%. 展开更多
关键词 非晶氮化硅 光分束器 分束 聚焦
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α-Si_3N_4晶须的制备与分析 被引量:7
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作者 曹阳 齐龙浩 潘伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期89-91,共3页
采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0~ 2 0 0nm ,无明显... 采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0~ 2 0 0nm ,无明显缺陷 ,其晶须生长方向为〈0 110〉。 展开更多
关键词 α-Si3N4 晶须 制备 分析 等离子体 气相反应 无定型氮化硅
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氢对非晶氮化硅薄膜键合结构和光学吸收特性的影响 被引量:3
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作者 于威 孟令海 +1 位作者 丁文革 苑静 《信息记录材料》 2010年第1期8-11,共4页
采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15-25Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析... 采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15-25Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析。结果表明,氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大,薄膜无序度最减小;薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐增大。薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用。 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 対靶磁控溅射 键合结构 光学吸收特性
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氮气对PECVD制备氮化硅薄膜结构与性质的影响 被引量:3
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作者 部芯芯 周炳卿 丁德松 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 北大核心 2017年第3期350-353,357,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气体,研究氮气对制备氮化硅薄膜及其结构与性质影响.研究结果表明,利用PECVD沉积非晶SiNx薄膜时,薄膜中含有大量以Si-H和N-H键存在的H+离子,当其键合断裂时,大量H从... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气体,研究氮气对制备氮化硅薄膜及其结构与性质影响.研究结果表明,利用PECVD沉积非晶SiNx薄膜时,薄膜中含有大量以Si-H和N-H键存在的H+离子,当其键合断裂时,大量H从膜中扩散出来并与其他杂质和缺陷发生反应,在沉积SiNx薄膜的过程中形成H空位,H以氢-空位对方式迅速扩散,完成钝化过程,导致薄膜致密性降低.适当增加氮流量,导致薄膜中N/Si比增大,Si-Si键浓度减少,Si-N键浓度增加,并出现轻微的蓝移;继续增加氮流量,薄膜逐渐呈富N态,伴随缺陷态增多,辐射增强,导致光学带隙迅速展宽,带尾态能量逐渐减小;当氮流量较高时,薄膜中形成了包埋在非晶SiNx中的Si_3N_4晶粒,实现了从非晶SiNx薄膜向包含Si_3N_4小晶粒薄膜材料的演变过程. 展开更多
关键词 非晶氮化硅薄膜 PECVD 光学带隙 Si3N4晶粒
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非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究 被引量:2
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作者 岳瑞峰 王燕 +3 位作者 廖显伯 王永谦 刁宏伟 孔光临 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期425-429,共5页
用X射线光电子谱研究了由等离子体增强化学气相沉积方法制备的富硅a SiNx∶H(x≤ 0 .80 )薄膜的结构。实验中选取两类典型样品 ,x分别为 0 2 8和 0 80。对Si 2 p峰用两个高斯峰来拟合 ,结果表明样品中确实存在分凝现象 ,是由a Si原子... 用X射线光电子谱研究了由等离子体增强化学气相沉积方法制备的富硅a SiNx∶H(x≤ 0 .80 )薄膜的结构。实验中选取两类典型样品 ,x分别为 0 2 8和 0 80。对Si 2 p峰用两个高斯峰来拟合 ,结果表明样品中确实存在分凝现象 ,是由a Si原子团和位于其边界的富氮a SiNy∶H组成 ,其中y约为 1 5。随N含量增加 ,两相所对应的Si2 p峰的位置和半高宽均不发生变化 ,但两相相对强度的变化导致了Si 2 p峰向高能方向移动。 75 0℃高温退火后 ,样品中发生结构重组 ,对x =0 .2 8的样品 ,H释放后形成的硅悬挂键与N结合 ,使a Si相所占比例从 5 8 9%下降到 46 3% ,而且键角畸变增加引起各峰半高宽大大展宽 ;对x =0 .80的样品 ,高温退火使两个Si—N—H结合形成两个Si—N键并释放出氢 ,因此无论是两相比例还是半高宽均无大的变化 ,相应的 y增至 2。 展开更多
关键词 X射线光电子谱 a-SiNx∶H薄膜 分凝
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Interfacial Polarization and Its Mechanism of Nanostructured Amorphous Silicon Nitride 被引量:1
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作者 王涛 张立德 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1994年第18期1511-1515,共5页
Nanostructured amorphous silicon nitride (NASN) was obtained by compacting the particles of the order of nanometer. The volume of interfaces occupies a large fraction of the total volume. This type of solid possesse... Nanostructured amorphous silicon nitride (NASN) was obtained by compacting the particles of the order of nanometer. The volume of interfaces occupies a large fraction of the total volume. This type of solid possesses some novel physical properties. The conventional Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> is a kind of excellent insulator, and thus it is 展开更多
关键词 NANOSTRUCTURED amorphous silicon nitride DIELECTRIC CONSTANT SPACE-CHARGE polarization.
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Mechanical strains in pecvd SiN_x:H films for nanophotonic application
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作者 O.Semenova A.Kozelskaya +1 位作者 Li Zhi-Yong Yu Yu-De 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期395-399,共5页
Hydrogenated amorphous silicon nitride films(Si N x:H) are deposited at low temperature by high-frequency plasmaenhanced chemical vapor deposition(HF PECVD). The main effort is to investigate the roles of plasma ... Hydrogenated amorphous silicon nitride films(Si N x:H) are deposited at low temperature by high-frequency plasmaenhanced chemical vapor deposition(HF PECVD). The main effort is to investigate the roles of plasma frequency and plasma power density in determining the film properties particularly in stress. Information about chemical bonds in the films is obtained by Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR). The stresses in the Si N x:H film are determined from substrate curvature measurements. It is shown that plasma frequency plays an important role in controlling the stresses in Si N x:H films. For silicon nitride layers grown at plasma frequency 40.68 MHz initial tensile stresses are observed to be in a range of 400 MPa-700 MPa. Measurements of the intrinsic stresses of silicon nitride films show that the stress quantity is sufficient for film applications in strained silicon photonics. 展开更多
关键词 silicon photonics intrinsic stress amorphous silicon nitride films
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PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较
14
作者 陆忠乾 江东亮 谭寿洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期435-439,共5页
用等离子冷放电化学气相法(PCVD)合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末,储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后,进行红外光谱的测定.发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化,而后随着储放时问的延长,表面氧化愈来愈严重,Si-... 用等离子冷放电化学气相法(PCVD)合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末,储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后,进行红外光谱的测定.发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化,而后随着储放时问的延长,表面氧化愈来愈严重,Si-O键的吸收峰强度明显增强,而Si-N-Si键,Si-H键的吸收峰则愈来愈弱,直至仅有极小的吸收.而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强,与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处,但峰的形状,强度不随时间的变化而变化. 展开更多
关键词 氧化 红外光谱 氮化硅陶瓷 纳米粉末 PCVD法
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纳米非晶氮化硅块体能态结构的紫外发射谱研究
15
作者 牟季美 张立德 +1 位作者 蔡树芝 李在涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期466-470,共5页
用紫外荧光发射谱较系统地研究了纳米非晶氮化硅块体(粒径~10nm)的能态结构,观察到三个发射带,它们分别对应2.0、2.8和3.2eV.随热处理温度升高,峰高增大,低真空下1000℃退火又出现一个新峰,对应3.0eV.分析表明,2.0和3.2eV 发射峰与纳... 用紫外荧光发射谱较系统地研究了纳米非晶氮化硅块体(粒径~10nm)的能态结构,观察到三个发射带,它们分别对应2.0、2.8和3.2eV.随热处理温度升高,峰高增大,低真空下1000℃退火又出现一个新峰,对应3.0eV.分析表明,2.0和3.2eV 发射峰与纳米非晶氮化硅高比例界面中 Si 悬键形成受主型和施主型局域态能级有关.能级2.0eV 和3.2eV 分别对应导带电子与受主型缺陷局域态空穴复合及施主型缺陷局域态电子及价带空穴复合,只有在高温(1000℃)退火才出现的3.0eV 发射带与O-Si-N 生成新的缺陷局域态有关. 展开更多
关键词 非晶氮化硅 紫外发射谱 氮化硅
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反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
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作者 朱海丰 杨彦斌 +1 位作者 路万兵 于威 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第3期247-250,共4页
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5e... 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV. 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 光致发光 反应气压
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氮化硅的光致发光
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作者 刘士彦 郑玉龙 +2 位作者 甄聪棉 潘成福 侯登录 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第4期373-376,共4页
采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(-αSiNx),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜(N2与SiH4流量比>20∶1)的发光... 采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(-αSiNx),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜(N2与SiH4流量比>20∶1)的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强. 展开更多
关键词 PECVD 非晶氮化硅薄膜 能隙态模型 光致发光效应
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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
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作者 朱永福 李牧菊 +5 位作者 杨柏梁 刘传珍 廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第4期279-283,共5页
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的... 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响。 展开更多
关键词 等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 含氢范围
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有序可控纳米银球阵列对a-SiN_x∶O薄膜光致发光增强的研究
19
作者 徐奇峰 张鑫鑫 +8 位作者 马忠元 吴仰晴 林泽文 徐岭 李伟 陈坤基 黄信凡 徐骏 冯端 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期387-391,共5页
采用聚苯乙烯(PS)纳米小球自组装技术结合激光退火方法制备了三种不同尺寸纳米银球阵列,研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响.首先,在p型硅衬底上铺有三种不同尺寸的聚苯乙烯(PS)纳米小球,再采... 采用聚苯乙烯(PS)纳米小球自组装技术结合激光退火方法制备了三种不同尺寸纳米银球阵列,研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响.首先,在p型硅衬底上铺有三种不同尺寸的聚苯乙烯(PS)纳米小球,再采用磁控溅射系统蒸镀银薄膜,然后用激光对该银薄膜进行处理.最后,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在样品表面生长非晶掺氧氮化硅薄膜.实验结果表明,相比于未引入纳米银球阵列的a-SiN_x∶O薄膜,引入170nm、220nm和300nm银球阵列的a-SiN_x∶O薄膜,其光致发光强度(PL)分别增强4.6、3.1和1.3倍.样品的原子力显微镜(AFM)图像显示,纳米银颗粒呈周期性排列且尺寸可控.荧光光谱分析表明,随着纳米银球阵列尺寸的增加,薄膜的发光峰位出现了红移.通过分光光度计UV-3600对a-SiN_x∶O薄膜的消光谱进行了测量计算.为了进一步研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响,对其消光谱和PL谱进行了对比分析.实验证实了a-SiN_x∶O薄膜光致发光的增强来自于金属银局域表面等离激元(LSP)与a-SiN_x∶O薄膜光发射之间的耦合. 展开更多
关键词 非晶掺氧氮化硅薄膜 局域表面等离激元 光致发光 激光退火
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