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题名基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器
被引量：4
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作者
郑泽宇
罗谦
徐开凯
刘钟远
朱坤峰
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团第四十四研究所
中国电子科技集团第二十四研究所
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期40-45,共6页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFE0181500)
科技部资助项目(2018YFB2201203)
+2 种基金
四川省杰出青年科学基金项目(2020JDJQ0022)
四川省科学技术厅资助项目(2019YFG0091)
四川省科学技术厅资助项目(2020ZHCG0008)。
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文摘
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案。测试结果表明,该器件的量子效率可达80%,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns。
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关键词
全硅pin光电探测器
黑硅
量子效率
光响应度
响应速度
暗电流
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Keywords
all-silicon pin photodetector
black silicon
quantum efficiency
light responsivity
responding speed
dark current
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分类号
TN36
[电子电信—物理电子学]
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