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芯片铜互连研究及进展
被引量：
11
1
作者
金磊
杨家强
+3 位作者
杨防祖
詹东平
田中群
周绍民
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期521-530,共10页
本文详细介绍芯片制造中铜互连技术,综述酸性硫酸铜电镀工艺要点及常用添加剂作用机理,并概述国内外新型添加剂研究进展.在此基础上,展望新型铜互连工艺替代酸性硫酸电镀铜工艺的可能性.
关键词
芯片
铜互连
酸性硫酸铜电镀
添加剂
下载PDF
职称材料
题名
芯片铜互连研究及进展
被引量：
11
1
作者
金磊
杨家强
杨防祖
詹东平
田中群
周绍民
机构
固体表面物理化学国家重点实验室
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期521-530,共10页
基金
国家自然科学基金项目(No.21972118,No.21827802)资助。
文摘
本文详细介绍芯片制造中铜互连技术,综述酸性硫酸铜电镀工艺要点及常用添加剂作用机理,并概述国内外新型添加剂研究进展.在此基础上,展望新型铜互连工艺替代酸性硫酸电镀铜工艺的可能性.
关键词
芯片
铜互连
酸性硫酸铜电镀
添加剂
Keywords
chips
copper
interconnection
acidic
copper
sulfate
electroplating
additives
分类号
O646 [理学—物理化学]
TQ153 [理学—化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
芯片铜互连研究及进展
金磊
杨家强
杨防祖
詹东平
田中群
周绍民
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020
11
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