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多晶制绒工艺与设备的研究 被引量：4
1
作者 于皓洁 林立 姚雁林 《电子工业专用设备》 2011年第1期27-28,63,共3页
对多晶硅片的制绒方法进行了比较,分析了多晶酸制绒的反应机理,在此基础上设计研究了针对多晶酸制绒的设备。
关键词 酸制绒 进液量 溢流量
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金刚线切割多晶硅片预处理对太阳电池电性能的影响研究 被引量：1
2
作者 闫会珍 王少丽 +2 位作者 陈素素 许志卫 严金梅 《太阳能》 2021年第8期51-55,共5页
目前,在太阳电池生产过程中多采用酸性混合溶液HF-HNO_(3)-H_(2)O对硅片表面进行织构化处理,即进行制绒处理,以降低硅片表面的反射率,进而提高太阳电池的光电转换效率。对基于金刚线切割的多晶硅片进行预处理,并研究预处理对太阳电池电... 目前,在太阳电池生产过程中多采用酸性混合溶液HF-HNO_(3)-H_(2)O对硅片表面进行织构化处理,即进行制绒处理,以降低硅片表面的反射率,进而提高太阳电池的光电转换效率。对基于金刚线切割的多晶硅片进行预处理,并研究预处理对太阳电池电性能的影响。首先在硅片制绒前先对其表面进行喷砂处理(即预处理),使其表面形貌的微观结构发生变化,进而在制绒处理时得到更优的绒面结构,同时调节与太阳电池制备过程匹配的工艺参数。实验结果证实,在制绒前对金刚线切割多晶硅片进行预处理可以使太阳电池的光电转换效率得到一定提升。 展开更多
关键词 多晶硅 预处理 酸制绒 金刚线切割 太阳电池 光电转换效率 效率提升
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多晶Si酸制绒刻蚀稳定性的研究
3
作者 冯宇俊 梁玉玉 +3 位作者 焦朋府 张超 贾彦科 王森涛 《光电子》 2014年第1期1-5,共5页
多晶Si酸制绒刻蚀稳定性对制绒工艺有重要的影响。本文主要研究酸刻蚀量在横向和纵向的不同,结合槽体内部分析液体流向分布对刻蚀稳定性的影响,强调设备结构设计对工艺稳定性影响的重要性。
关键词 多晶硅 酸制绒 刻蚀稳定性
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多晶硅酸制绒工艺对扩散方阻均匀性的影响 被引量：1
4
作者 王森栋 白翔 《山西化工》 2017年第3期20-22,共3页
针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题,主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析。结果表明,刻蚀深度在(3.6±0.2)μm,温度控制在5.5℃7.5℃,0.2μm的刻蚀偏差调整扩散温度1℃,可以... 针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题,主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析。结果表明,刻蚀深度在(3.6±0.2)μm,温度控制在5.5℃7.5℃,0.2μm的刻蚀偏差调整扩散温度1℃,可以减少各个批次间的方阻偏差,从而提高电池片转换效率。 展开更多
关键词 方阻均匀性 酸制绒工艺 刻蚀深度 刻蚀温度
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在线式多晶制绒清洗设备数据质量控制 被引量：2
5
作者 杨筱娟 高丽颖 王青松 《电子工业专用设备》 2011年第11期41-45,共5页
讨论了在线式多晶制绒清洗设备系统数据质量控制的软件设计与实现方法,通过建立一种动态存取的数据映射,实现了对数据的采集、数据整合和数据清洗,建立一个可重复的数据收集、修改和维护的流程。实践证明,该数据质量控制的方法有效地提... 讨论了在线式多晶制绒清洗设备系统数据质量控制的软件设计与实现方法,通过建立一种动态存取的数据映射,实现了对数据的采集、数据整合和数据清洗,建立一个可重复的数据收集、修改和维护的流程。实践证明,该数据质量控制的方法有效地提高了软件控制系统的效能。 展开更多
关键词 在线式多晶制绒清洗设备 数据质量控制 软件控制系统
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在线式多晶制绒清洗设备软件控制系统设计与实现
6
作者 高丽颖 胡彩丰 +5 位作者 王达 李建国 杨浩 王青松 曹志刚 李凡 《电子工业专用设备》 2011年第10期7-10,44,共5页
介绍了适用于大规模太阳能生产线的在线式多晶制绒清洗设备软件控制系统的设计与实现。从设备拓扑结构出发,依据设备自动化程度高、功能模块耦合性低且多而复杂的特点,提出软件控制系统层次化和模块化的设计思想;重点介绍软件系统总体... 介绍了适用于大规模太阳能生产线的在线式多晶制绒清洗设备软件控制系统的设计与实现。从设备拓扑结构出发,依据设备自动化程度高、功能模块耦合性低且多而复杂的特点,提出软件控制系统层次化和模块化的设计思想;重点介绍软件系统总体框架设计、各功能模块的功能和底层通讯的开发过程。实践证明,该软件控制系统工作性能稳定、交互界面友好、易于操作、具有较强的可扩展性。 展开更多
关键词 在线式多晶制绒清洗设备 软件控制系统 自动化程度 通讯协议
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多晶硅表面织构化新工艺的研究 被引量：4
7
作者 王应民 程泽秀 +2 位作者 李清华 江龙迎 刘琪 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期176-181,共6页
先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为1∶2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,... 先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为1∶2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,去除多晶硅表面的疏松结构,得到高性能的多晶硅绒面。使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌。实验结果表明,当电流密度为30mA/cm2、腐蚀时间为300s时,多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构;预腐蚀后多晶硅片在HF和H2O2体积比为4∶1的化学腐蚀溶液中,在室温超声腐蚀60s后,腐蚀坑平均孔径为2～4μm,坑深为1.5～2μm,能达到良好的光陷阱作用和减反射效果,可以提高多晶硅太阳电池的光电转换效率。 展开更多
关键词 材料 多晶硅 电化学腐蚀 化学酸腐蚀 表面织构
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