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半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究
被引量：
6
1
作者
宁永铎
周旗钢
+3 位作者
钟耕杭
张建
赵伟
汪奇
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1062-1067,共6页
以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数...
以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数据分析,建立硅片酸腐蚀剥离去除量的分布与相应各因素之间的经验模型,根据各实验条件的腐蚀去除量的分布,结合酸腐蚀的化学反应机理,分析不同工艺条件下硅片形状的成因。实验结果表明:富硝酸体系中,在同等酸液配比条件下,腐蚀剂相对于硅材料表面的流速会影响化学反应中的物质交换效率,化学腐蚀速率与腐蚀剂相对流动速率显著相关;硅片的转动速率、外界引入的气泡扰动都会影响酸液的流动特征,进而改变物质交换效率的空间分布,最终影响硅片腐蚀后的形状。研究表明,硅片酸腐蚀后的几何形状受漩涡效应和边缘效应的共同影响。用宏观去除量模型、漩涡效应和边缘效应的经验模型叠加构造酸腐蚀硅片的经验模型,验证结果显示模型误差较小,可以预报在转动、气泡二因素交互作用下,酸腐蚀后硅片的几何形状。
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关键词
半导体硅片
酸腐蚀
总厚度差
硅片形状
原文传递
高光泽度的硅酸腐片制备研究
2
作者
由佰玲
孙希凯
+4 位作者
邓春星
周迎朝
董楠
原宇乐
谢艳
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期138-141,共4页
为提高酸腐片光泽度和实现稳定量产,通过优化硅单晶片加工流程,将双面研磨硅片进行旋转磨削加工,然后对该硅片进行酸性腐蚀;制备的酸腐片表面光泽度达到360 Gu以上(反射率大于98%),腐蚀液的寿命延长到50 000片;该制备技术使得酸腐片的...
为提高酸腐片光泽度和实现稳定量产,通过优化硅单晶片加工流程,将双面研磨硅片进行旋转磨削加工,然后对该硅片进行酸性腐蚀;制备的酸腐片表面光泽度达到360 Gu以上(反射率大于98%),腐蚀液的寿命延长到50 000片;该制备技术使得酸腐片的应用领域得到拓展,并降低生产成本和提高生产效率。
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关键词
酸腐片
旋转磨削
移除量
损伤层
反射率
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职称材料
题名
半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究
被引量：
6
1
作者
宁永铎
周旗钢
钟耕杭
张建
赵伟
汪奇
机构
有研半导体材料有限公司
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1062-1067,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)资助
文摘
以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数据分析,建立硅片酸腐蚀剥离去除量的分布与相应各因素之间的经验模型,根据各实验条件的腐蚀去除量的分布,结合酸腐蚀的化学反应机理,分析不同工艺条件下硅片形状的成因。实验结果表明:富硝酸体系中,在同等酸液配比条件下,腐蚀剂相对于硅材料表面的流速会影响化学反应中的物质交换效率,化学腐蚀速率与腐蚀剂相对流动速率显著相关;硅片的转动速率、外界引入的气泡扰动都会影响酸液的流动特征,进而改变物质交换效率的空间分布,最终影响硅片腐蚀后的形状。研究表明,硅片酸腐蚀后的几何形状受漩涡效应和边缘效应的共同影响。用宏观去除量模型、漩涡效应和边缘效应的经验模型叠加构造酸腐蚀硅片的经验模型,验证结果显示模型误差较小,可以预报在转动、气泡二因素交互作用下,酸腐蚀后硅片的几何形状。
关键词
半导体硅片
酸腐蚀
总厚度差
硅片形状
Keywords
semiconductor
silicon
wafer
acid
etching
total
thickness
variation
silicon
wafer
shape
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
高光泽度的硅酸腐片制备研究
2
作者
由佰玲
孙希凯
邓春星
周迎朝
董楠
原宇乐
谢艳
机构
天津中环领先材料技术有限公司
出处
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期138-141,共4页
文摘
为提高酸腐片光泽度和实现稳定量产,通过优化硅单晶片加工流程,将双面研磨硅片进行旋转磨削加工,然后对该硅片进行酸性腐蚀;制备的酸腐片表面光泽度达到360 Gu以上(反射率大于98%),腐蚀液的寿命延长到50 000片;该制备技术使得酸腐片的应用领域得到拓展,并降低生产成本和提高生产效率。
关键词
酸腐片
旋转磨削
移除量
损伤层
反射率
Keywords
acid
etching
wafer
rotating
grinding
removal
damage
layer
reflectivity
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究
宁永铎
周旗钢
钟耕杭
张建
赵伟
汪奇
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
原文传递
2
高光泽度的硅酸腐片制备研究
由佰玲
孙希凯
邓春星
周迎朝
董楠
原宇乐
谢艳
《机车电传动》
北大核心
2021
0
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职称材料
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