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基于电子散斑干涉技术的IC芯片加速寿命预测研究
被引量：
4
1
作者
熊显名
黄莉
周雄
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期68-70,共3页
提出了基于电子散斑干涉技术(ESPI)可预估局部温度最高区域的加速寿命预测方法。实验通过对芯片样品进行了动态工作模式下的功耗评估,预估了芯片局部温度最高的热源区域,尔后对此区域进行去封装处理;在芯片去封装区域,分别测出常温和高...
提出了基于电子散斑干涉技术(ESPI)可预估局部温度最高区域的加速寿命预测方法。实验通过对芯片样品进行了动态工作模式下的功耗评估,预估了芯片局部温度最高的热源区域,尔后对此区域进行去封装处理;在芯片去封装区域,分别测出常温和高温环境下芯片动态工作模式的裸片表面温度,以此数据作为Arrhenius模型中加速因子的结温,求出加速因子;最后,根据实验得出芯片在高温环境下的寿命时间,即可推出其在正常工作条件下的寿命。结果表明,这种方法具有准确、快速和简单的特点,可广泛应用于微电子器件的正常工作寿命预测。
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关键词
电子散斑干涉技术(ESPI)
加速寿命预测
热源
Arrhenius模型
加速因子
原文传递
题名
基于电子散斑干涉技术的IC芯片加速寿命预测研究
被引量：
4
1
作者
熊显名
黄莉
周雄
机构
桂林电子科技大学电子工程学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期68-70,共3页
基金
广西科学技术厅基金资助项目(桂科基0731017)
文摘
提出了基于电子散斑干涉技术(ESPI)可预估局部温度最高区域的加速寿命预测方法。实验通过对芯片样品进行了动态工作模式下的功耗评估,预估了芯片局部温度最高的热源区域,尔后对此区域进行去封装处理;在芯片去封装区域,分别测出常温和高温环境下芯片动态工作模式的裸片表面温度,以此数据作为Arrhenius模型中加速因子的结温,求出加速因子;最后,根据实验得出芯片在高温环境下的寿命时间,即可推出其在正常工作条件下的寿命。结果表明,这种方法具有准确、快速和简单的特点,可广泛应用于微电子器件的正常工作寿命预测。
关键词
电子散斑干涉技术(ESPI)
加速寿命预测
热源
Arrhenius模型
加速因子
Keywords
electronic
speckle
pattern
interferometry(ESPI)
accelerated
life
predicting
heat
source
Arrhenius
model
acceler
ation
factor
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于电子散斑干涉技术的IC芯片加速寿命预测研究
熊显名
黄莉
周雄
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
原文传递
已选择
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参考文献
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