a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响 被引量：5

1

作者 王长安 熊智斌 +2 位作者 张少强 赵伯芳 徐重阳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期45-49,共5页

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜... 介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 展开更多

关键词 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管

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a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究 被引量：2

2

作者 邵喜斌 王丽娟 李梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期267-272,共6页

研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区... 研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。 展开更多

关键词 a—si:h tft SPICE模型 亚阈值区

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塑料基底a-Si∶H TFT制备技术 被引量：1

3

作者 姚建可 许宁生 +3 位作者 邓少芝 陈军 佘峻聪 王彬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期542-545,共4页

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-S... 采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H（原子数分数）约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10^-78.8×10^-6S/cm;n＋a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10^-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能：Ioff≈1×10^-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/（V.s）,S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。 展开更多

关键词 塑料基底 a-si∶h tft 柔性显示

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a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 被引量：2

4

作者 张少强 徐重阳 +3 位作者 王长安 周雪梅 邹雪城 赵伯芳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期9-14,共6页

对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响，研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。

关键词 有源矩阵 液晶显示器 光敏性

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高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制 被引量：1

5

作者 袁剑峰 杨柏梁 +8 位作者 朱永福 李牧菊 刘传珍 吴渊 廖燕平 王刚 邵喜斌 刘宏武 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第3期181-186,共6页

介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ ... 介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。 展开更多

关键词 htft 开关器件 有源层 栅绝缘层 液晶显示器

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AMOLED电流镜像像素电路的稳定性分析 被引量：1

6

作者 曹伟 林祖伦 何世东 《现代显示》 2009年第4期44-47,61,共5页

a-Si:HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理,结合a-Si:HTFT阈值漂移模... a-Si:HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理,结合a-Si:HTFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性。 展开更多

关键词 氢化非晶硅薄膜晶体管 有机电致发光二极管 电流镜像像素电路 电流稳定性

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一种WXGA液晶显示器的非晶硅栅极驱动电路 被引量：1

7

作者 何常德 廖聪维 +4 位作者 梁逸南 张盛东 David Dai Smart Chung T.S.Jen 《测试技术学报》 2011年第3期249-253,共5页

介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中所有的薄膜晶体管器件均不会长期工作在直流偏置电压下.这种电路结构设计能够极大地减小非晶硅薄... 介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中所有的薄膜晶体管器件均不会长期工作在直流偏置电压下.这种电路结构设计能够极大地减小非晶硅薄膜晶体管的阈值电压漂移,从而保证该栅极驱动电路能够长期可靠地工作.实验结果表明:非晶硅薄膜晶体管制作的栅极驱动电路能够正常地工作,并能够应用于TFT-LCD中. 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 移位寄存器 栅极驱动电路 阈值电压漂移

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氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究

8

作者 万新恒 徐重阳 +2 位作者 邹雪城 丁晖 OulachgarHassan 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期291-298,共8页

发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟... 发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 局域态电荷密度 静态特性

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a-Si:H TFT电流-电压特性研究

9

作者 万新恒 徐重阳 +3 位作者 邹雪城 张少强 袁奇燕 丁晖 《光电子技术》 CAS 1996年第3期193-200,共8页

本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用... 本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 电流-电压 特性

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非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

10

作者 王长安 徐重阳 +1 位作者 赵伯芳 于天洪 《微细加工技术》 1997年第2期37-42,共6页

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。

关键词 非晶硅基薄膜 等离子体刻蚀 光发射谱检测

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Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

11

作者 陈斌 徐重阳 +1 位作者 王长安 赵伯芳 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期8-9,共2页

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高... 研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比． 展开更多

关键词 绝缘膜 栅电容 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管

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PECVD a-Si:H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究 被引量：7

12

作者 丁晖 徐重阳 +1 位作者 邹雪城 张少强 《光电子技术》 CAS 1997年第1期28-32,共5页

分析了a－Si：HTFT有源层──a－Si：H薄膜质量和厚度对于a－Si：HTFT关键性指标（通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率）的影响，深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si：H... 分析了a－Si：HTFT有源层──a－Si：H薄膜质量和厚度对于a－Si：HTFT关键性指标（通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率）的影响，深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si：H薄膜组分、结构的影响，并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线，确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a－Si：HTFT有源矩阵。 展开更多

关键词 PECVD tft有源矩阵 半导体薄膜技术

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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量：4

13

作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页

a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多

关键词 OLED 阈值电压漂移 N/si C-V 2-a-si:h tft

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基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量：2

14

作者 李蕾 温殿忠 +1 位作者 李刚 赵晓锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页

采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶... 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。 展开更多

关键词 α-si:h tft 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性

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基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器

15

作者 董良 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z2期590-592,共3页

基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度... 基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度变化有较好的线性关系,温度响应灵敏度为4.1mV/K。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室 温 红外探测器

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a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计 被引量：3

16

作者 刘金娥 廖燕平 +3 位作者 荆海 张志伟 付国柱 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期491-496,共6页

分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据... 分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 展开更多

关键词 OLED a—si:h—tft 阈值电压漂移 电荷注入 亚稳态 补偿方法

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