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Zr_(0.8)Sn_(0.2)TiO_4微波介质陶瓷材料的掺杂改性 被引量：2
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作者 陈玉华 刘嵩松 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期447-450,共4页
以Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 作为主配方 ,以ZnO ,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂 ,采用传统陶瓷制备工艺 ,对其进行了掺杂改性的初步探索。在优选的配方和工艺条件下 ,得到Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 添加0 .5wt%ZnO(即质量分数为 0 .5 %的ZnO)的相对... 以Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 作为主配方 ,以ZnO ,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂 ,采用传统陶瓷制备工艺 ,对其进行了掺杂改性的初步探索。在优选的配方和工艺条件下 ,得到Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 添加0 .5wt%ZnO(即质量分数为 0 .5 %的ZnO)的相对介电常数εr≈ 33.2 31,品质因数Q≈ 5 5 2 8(7GHz) ;添加 0 .5wt %ZnO ,0 .5wt%Fe2 O3和 0 .2wt%NiO ,其εr≈ 33.73,Q≈ 5 2 5 4(7GHz) ;添加 1wt%ZnO和 0 .5wt %La2 O3,材料的εr≈ 37.996 ,Q≈ 4 72 3(7GHz)。 展开更多
关键词 zr0.8sn0.2tio4 微波介质陶瓷材料 介电常数 品质因数 掺杂改性 掺杂量 烧结温度
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沉淀法制备SnO_2-ZnO/ZST陶瓷及其Q值的研究 被引量：2
2
作者 吴坚强 郭慧锋 曹洋 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第2期217-220,共4页
以Zn(NO_3)_2·6H_2O和SnO_2粉体为原料,采用沉淀法制备纳米ZnO包裹SnO_2粉体(SnO_2-ZnO),用TEM观察和表征了纳米ZnO包覆微米SnO_2粉体。再以SnO_2-ZnO粉体、SnO_2、TiO_2和ZrO_2为原料,采用固相法制备SnO_2-ZnO/ZST陶瓷。ZST陶瓷... 以Zn(NO_3)_2·6H_2O和SnO_2粉体为原料,采用沉淀法制备纳米ZnO包裹SnO_2粉体(SnO_2-ZnO),用TEM观察和表征了纳米ZnO包覆微米SnO_2粉体。再以SnO_2-ZnO粉体、SnO_2、TiO_2和ZrO_2为原料,采用固相法制备SnO_2-ZnO/ZST陶瓷。ZST陶瓷研究表明:SnO_2-ZnO粉体能降低ZST陶瓷烧结温度和改善介电性能。当SnO_2-ZnO中ZnO加入量为(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷的0.8wt.%和烧结温度为1260℃时,得到了Q值为4200.8(10 GHz),ε_r为38.2,体积密度为5.25 g/cm^3的微波陶瓷。 展开更多
关键词 沉淀法 ZnO包裹snO2 (zr0.8sn0.2)tio4微波陶瓷 Q值
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