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PrMnO_3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征 被引量：2
1
作者 赵鸣 韩佳 +2 位作者 杨敏 乔凯 陆干祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2258-2264,共7页
传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4 h制备了0～0.3mol%PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2（ZnVTiO）基压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM＋EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性。研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3... 传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4 h制备了0～0.3mol%PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2（ZnVTiO）基压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM＋EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性。研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3（VO4）2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相。Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长。PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用。0.05%PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1 V,漏电流为19.6μA。 展开更多
关键词 PrMnO3 znvtio 压敏陶瓷 显微结构 非线性
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铈镧复合碳酸盐掺杂ZnVTiO基低压压敏陶瓷制备
2
作者 赵鸣 李天宇 石钰 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2016年第3期221-226,共6页
为探索现有稀土分离生产线中间产品-铈镧复合碳酸盐在制备ZnVO基低压压敏陶瓷中应用的可能性,采用传统混合氧化物工艺在900℃4h烧结条件下制备了以TiO2作为晶粒生长促进剂、以质量分数为0~0.3%镧铈复合碳酸盐作为改性剂的低压ZnVO基压... 为探索现有稀土分离生产线中间产品-铈镧复合碳酸盐在制备ZnVO基低压压敏陶瓷中应用的可能性,采用传统混合氧化物工艺在900℃4h烧结条件下制备了以TiO2作为晶粒生长促进剂、以质量分数为0~0.3%镧铈复合碳酸盐作为改性剂的低压ZnVO基压敏陶瓷.除ZnO主晶相、Zn_3(VO_4)_2和Zn_2TiO_4第二相,复合稀土碳酸盐在烧结中的分解还促使陶瓷中形成了CeVO4结构第二相,其中的Ce由La部分取代,并固溶有Zn,Mn和Co.Ti掺杂促进部分ZnO晶粒异常长大的作用未因复合稀土的引入而改变,导致陶瓷晶粒尺寸大小两极分化.质量分数为0.1%的稀土复合掺杂样品性能最佳:非线性系数15.3,压敏电压129V/mm,漏电流密度183.7μA/cm^2. 展开更多
关键词 铈镧复合碳酸盐 znvtio基压敏陶瓷 低压
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