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半导体量子点材料在Nd∶YAG激光辐照下的非线性光学效应(英文)
被引量：
7
1
作者
KUMBHAKAR P
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期228-236,共9页
使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光...
使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光光度计和分光荧光计测量了人工合成QDs胶体溶液的线性光学吸收特性以及光致发光的发射特性。样品的吸收特性表明,由于量子限制效应的影响,样品的截止吸收低于硫化锌的截止吸收。样品的光致发光特性显示,掺Mn2+的硫化锌样品显示出明显的光致发光现象,发射峰大约在580 nm;而无掺杂的硫化锌样品在紫外区辐射,发射峰大约在365 nm。对样品的UV-VIS吸收特性分析和TEMXRD分析表明,硫化锌样品的平均粒度(半径)大约为1.2 nm。分析开放光圈(OA)Z-scan技术得到的实验数据,发现在1 064 nm处两种试验样品都会发生四光子吸收(FPA)现象。拟合实验数据得到了两种试验样品的FPA系数以及FPA横截面,结果表明,ZnS QD的FPA横截面的计算值是4.9×10-106cm8.s3.photon-3,比硫化锌的FPA横截面大了5个数量级,而且人工合成的ZnS QD也有光学限制的性质。掺Mn2+离子的样品具有大的FPA横截面和在可见光区有高的发光效率这两个特点,使得该材料适合用于多光子荧光成像。
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关键词
半导体材料
zns
量子点
非线性光学特性
多光子吸收
zns
掺杂
MN
掺杂
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职称材料
Mn、Cu、Y掺杂ZnS纳米晶体的制备及表征
被引量：
6
2
作者
刘晓艳
曹健
+3 位作者
郎集会
高铭
冯博
杨景海
《吉林师范大学学报（自然科学版）》
2011年第4期28-30,共3页
采用溶剂热法制备出高质量的Mn、Cu、Y掺杂的ZnS纳米晶体,利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析研究了不同条件下制得样品的结构和形貌,通过实验确定出最佳制备条件,最后在乙醇中180℃反应12小时,锌源和硫源的比例为1:3的情况下...
采用溶剂热法制备出高质量的Mn、Cu、Y掺杂的ZnS纳米晶体,利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析研究了不同条件下制得样品的结构和形貌,通过实验确定出最佳制备条件,最后在乙醇中180℃反应12小时,锌源和硫源的比例为1:3的情况下,制备出掺杂浓度均为3%的Mn、Cu、Y掺杂的ZnS纳米晶体.XRD结果表明,掺杂后的样品仍然保持硫化锌的立方结构;从TEM图像可以看出,所得样品颗粒有团聚现象,颗粒尺寸在9-16纳米之间.
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关键词
溶剂热法
zns
掺杂
结构
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职称材料
ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能
被引量：
5
3
作者
魏少红
冯青琴
牛新书
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期14-16,共3页
采用共沉淀法制备了w（ZnS）为0-0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现：适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S...
采用共沉淀法制备了w（ZnS）为0-0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现：适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S的灵敏度。其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160℃时对体积分数为0.001%的H2S的灵敏度达到87,响应时间7s,恢复时间12s。
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关键词
WO3纳米粉体
zns
掺杂
共沉淀法
气敏元件
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职称材料
过渡金属TM(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和磁性
被引量：
2
4
作者
牛毅君
杨聚宝
+2 位作者
焦照勇
沈克胜
张现周
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期446-450,共5页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,对过渡金属V、Cr、Mn掺杂ZnS的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.研究结果表明:掺入V,Cr后,ZnS表现出明显的半金属性,而掺入Mn后,半金属性不明显...
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,对过渡金属V、Cr、Mn掺杂ZnS的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.研究结果表明:掺入V,Cr后,ZnS表现出明显的半金属性,而掺入Mn后,半金属性不明显;掺入过渡金属TM(V,Cr,Mn)后系统产生的磁矩主要有杂质的3d态电子贡献,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关.
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关键词
zns
掺杂
电子结构
磁性
第一性原理计算
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职称材料
题名
半导体量子点材料在Nd∶YAG激光辐照下的非线性光学效应(英文)
被引量：
7
1
作者
KUMBHAKAR P
机构
Nanoscience Laboratory
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期228-236,共9页
基金
DST(Grant No.SR/FTP/PS-67/2008),Govt. of India
文摘
使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光光度计和分光荧光计测量了人工合成QDs胶体溶液的线性光学吸收特性以及光致发光的发射特性。样品的吸收特性表明,由于量子限制效应的影响,样品的截止吸收低于硫化锌的截止吸收。样品的光致发光特性显示,掺Mn2+的硫化锌样品显示出明显的光致发光现象,发射峰大约在580 nm;而无掺杂的硫化锌样品在紫外区辐射,发射峰大约在365 nm。对样品的UV-VIS吸收特性分析和TEMXRD分析表明,硫化锌样品的平均粒度(半径)大约为1.2 nm。分析开放光圈(OA)Z-scan技术得到的实验数据,发现在1 064 nm处两种试验样品都会发生四光子吸收(FPA)现象。拟合实验数据得到了两种试验样品的FPA系数以及FPA横截面,结果表明,ZnS QD的FPA横截面的计算值是4.9×10-106cm8.s3.photon-3,比硫化锌的FPA横截面大了5个数量级,而且人工合成的ZnS QD也有光学限制的性质。掺Mn2+离子的样品具有大的FPA横截面和在可见光区有高的发光效率这两个特点,使得该材料适合用于多光子荧光成像。
关键词
半导体材料
zns
量子点
非线性光学特性
多光子吸收
zns
掺杂
MN
掺杂
Keywords
semiconductor material
zns
Quantum dots
nonlinear optical properties
multiphoton absorption
zns
doping
Mn doping
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Mn、Cu、Y掺杂ZnS纳米晶体的制备及表征
被引量：
6
2
作者
刘晓艳
曹健
郎集会
高铭
冯博
杨景海
机构
吉林师范大学物理学院
吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室
出处
《吉林师范大学学报（自然科学版）》
2011年第4期28-30,共3页
基金
国家自然科学基金项目(61008051
61178074)
吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目(2011169)
文摘
采用溶剂热法制备出高质量的Mn、Cu、Y掺杂的ZnS纳米晶体,利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析研究了不同条件下制得样品的结构和形貌,通过实验确定出最佳制备条件,最后在乙醇中180℃反应12小时,锌源和硫源的比例为1:3的情况下,制备出掺杂浓度均为3%的Mn、Cu、Y掺杂的ZnS纳米晶体.XRD结果表明,掺杂后的样品仍然保持硫化锌的立方结构;从TEM图像可以看出,所得样品颗粒有团聚现象,颗粒尺寸在9-16纳米之间.
关键词
溶剂热法
zns
掺杂
结构
Keywords
solvothermal method
doped
zns
structure
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能
被引量：
5
3
作者
魏少红
冯青琴
牛新书
机构
安阳师范学院化学系
河南师范大学化学与环境科学学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期14-16,共3页
基金
河南省杰出青年科学基金资助项目(No.0012)
河南省教育厅自然科学研究计划资助项目(No.2009A150001)
文摘
采用共沉淀法制备了w（ZnS）为0-0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现：适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S的灵敏度。其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160℃时对体积分数为0.001%的H2S的灵敏度达到87,响应时间7s,恢复时间12s。
关键词
WO3纳米粉体
zns
掺杂
共沉淀法
气敏元件
Keywords
WO3 nanopowder
zns
doping
copercipitation method
gas sensor
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
过渡金属TM(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和磁性
被引量：
2
4
作者
牛毅君
杨聚宝
焦照勇
沈克胜
张现周
机构
河南师范大学物理与电子工程学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期446-450,共5页
基金
教育部科学技术研究重点项目(212104)
河南省教育厅自然科学研究计划项目(2011A140010)
文摘
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,对过渡金属V、Cr、Mn掺杂ZnS的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.研究结果表明:掺入V,Cr后,ZnS表现出明显的半金属性,而掺入Mn后,半金属性不明显;掺入过渡金属TM(V,Cr,Mn)后系统产生的磁矩主要有杂质的3d态电子贡献,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关.
关键词
zns
掺杂
电子结构
磁性
第一性原理计算
Keywords
zns
, doping, electronic structure, Magnetism, First-principles calculations
分类号
O641 [理学—物理化学]
O649 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体量子点材料在Nd∶YAG激光辐照下的非线性光学效应(英文)
KUMBHAKAR P
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
下载PDF
职称材料
2
Mn、Cu、Y掺杂ZnS纳米晶体的制备及表征
刘晓艳
曹健
郎集会
高铭
冯博
杨景海
《吉林师范大学学报（自然科学版）》
2011
6
下载PDF
职称材料
3
ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能
魏少红
冯青琴
牛新书
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
下载PDF
职称材料
4
过渡金属TM(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和磁性
牛毅君
杨聚宝
焦照勇
沈克胜
张现周
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
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