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薄膜厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光电性能的影响 被引量：11
1
作者 刘汉法 张化福 +1 位作者 类成新 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期707-710,共4页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%。当薄膜厚度从125nm增加到350nm时,薄膜的光学带隙从3.58eV减小到3.50eV。 展开更多
关键词 zno:zr 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能
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利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文) 被引量：7
2
作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 类成新 袁玉珍 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期183-186,共4页
利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获... 利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO:Zr薄膜的最小电阻率为1 .55×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90 %。 展开更多
关键词 zno:zr薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜
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透明导电薄膜ZnO∶Zr的制备及特性研究 被引量：2
3
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-65,共5页
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。在溅射功率为115W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7cm2.V-1.s-1和2.07×1020cm-3。所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%。 展开更多
关键词 zno∶zr薄膜 透明导电薄膜 溅射功率 磁控溅射
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直流磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及性能研究
4
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期78-80,共3页
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm。所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%。 展开更多
关键词 zno∶zr薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 透明导电薄膜
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在柔性衬底上制备透明导电薄膜ZnO:Zr(英文) 被引量：1
5
作者 张化福 类成新 +2 位作者 刘汉法 袁玉珍 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期153-157,共5页
采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底... 采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底和玻璃衬底上制备ZZO薄膜的择优取向不同,前者为(100)晶面,而后者为(002)晶面。在有ZnO缓冲层的PET衬底上制备的ZZO薄膜电阻率比直接生长在玻璃衬底样品上的小。通过优化参数,在PET衬底上制备出了最小电阻率为1.7×10-3Ω.cm、可见光透过率超过93%的ZZO薄膜。实验表明,镀膜之前在柔性衬底上沉积ZnO缓冲层能有效地提高ZZO薄膜的质量。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜
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直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)
6
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期977-981,共5页
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉... 以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 zno∶zr薄膜 透明导电薄膜 沉积压强
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缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)
7
作者 张化福 李雪 +2 位作者 类成新 刘汉法 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期490-493,共4页
利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒... 利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。 展开更多
关键词 zno∶zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜
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利用直流磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr新型透明导电薄膜(英文) 被引量：6
8
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期732-737,共6页
室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO∶Zr薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。实验获... 室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO∶Zr薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为2.4×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率为18.9 cm2.V-1.s-1,载流子浓度为2.3×1020cm-3。实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光平均透过率超过92%。 展开更多
关键词 zno∶zr薄膜 柔性衬底 直流磁控溅射 透明导电薄膜
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