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稀土Tb^(3+)掺杂纳米ZnO的发光性质 被引量：5
1
作者 宋国利 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2409-2412,共4页
ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料(Eg=3.4 eV),具有优异的晶格、光学和电学性质,稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re3+纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在不同退火温度下,制备... ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料(Eg=3.4 eV),具有优异的晶格、光学和电学性质,稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re3+纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在不同退火温度下,制备了不同浓度的ZnO∶Tb3+纳米晶。室温下,测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。观察到纳米ZnO基质在520 nm附近宽的绿光可见发射和稀土Tb3+在485,544,584和620 nm附近的特征发射。通过ZnO基质可见发射强度和稀土Tb3+特征发射强度随Tb3+掺杂浓度、退火温度的变化关系,获得了5D4→7F5跃迁的绿色主发射峰最强的样品制备工艺参数,其退火温度为600℃、掺杂浓度为4 at%;给出了稀土Tb3+的激发态5D4→7F6(485 nm),5D4→7F5(544 nm)和5D4→7F4(584 nm)的发射机制;证实了稀土Tb3+与纳米ZnO基质之间存在双向能量传递。 展开更多
关键词 ^zno∶tb^3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光 能量传递
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ZnO∶Tb^(3+)纳米晶的制备及发光性质研究 被引量：2
2
作者 宋国利 梁红 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1589-1592,共4页
利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了不同浓度的ZnO∶Tb3+纳米晶,测量了样品的光致发光谱(PL)和激发谱(PLE).在ZnO宽的可见发射背景上,观察到样品在485nm、544nm、584nm和620nm附近出现了稀土Tb3+的特征发射.给出了ZnO∶Tb3+纳米晶光致发光... 利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了不同浓度的ZnO∶Tb3+纳米晶,测量了样品的光致发光谱(PL)和激发谱(PLE).在ZnO宽的可见发射背景上,观察到样品在485nm、544nm、584nm和620nm附近出现了稀土Tb3+的特征发射.给出了ZnO∶Tb3+纳米晶光致发光的峰值强度随掺Tb3+浓度的变化关系,分析了稀土Tb3+的激发态5D4→7F6、5D4→7F5和5D4→7F4的发射机制,证实了稀土Tb3+的特征发射来源于稀土离子内部4f电子的f-f跃迁和ZnO基质与稀土Tb3+离子之间能量传递. 展开更多
关键词 ^zno:tb^3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光
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