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氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响 被引量:4
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作者 自兴发 叶青 +1 位作者 刘瑞明 何永泰 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期883-888,共6页
利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O2/Ar,研究了对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室温下O2/Ar... 利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O2/Ar,研究了对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室温下O2/Ar在1∶1~3∶1范围内制备的薄膜均为单相的ZnO(002)薄膜,薄膜具有三维(3D)的结核生长模式;沉积的ZnO:Mg薄膜在N2氛下200℃退火处理后,O2/Ar为3∶1制备的薄膜在380~1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平均透过率约为85%、最大透过率达90%;薄膜的光学带隙Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有较为明显的调制作用;采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm处的折射率为1.963,膜厚约285nm。 展开更多
关键词 射频(RF)磁控溅射 zno:mg薄膜 透射光谱 光学带隙
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