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溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量：8
1
作者 化麒麟 付蕊 +1 位作者 杨雯 杨培志 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期16-18,22,共4页
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透光率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 zno∶b薄膜 溅射时间 光电特性 透光率
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溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响 被引量：4
2
作者 化麒麟 杨培志 +3 位作者 杨雯 付蕊 邓双 彭柳军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期833-836,共4页
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92～2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。 展开更多
关键词 磁控溅射 zno∶b薄膜 溅射气压 透过率 电阻率 折射率
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硼掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的研究 被引量：1
3
作者 王何美 朱华 +3 位作者 张金艳 王艳香 杨志胜 郭平春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期2100-2103,共4页
用射频磁控溅射技术改变工作压强(0.1~9Pa)在玻璃衬底上制备B掺杂ZnO薄膜,用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪分别对薄膜进行微结构及其光电性能表征。结果发现,所有薄膜样品在420~900nm区间内的平均透光... 用射频磁控溅射技术改变工作压强(0.1~9Pa)在玻璃衬底上制备B掺杂ZnO薄膜,用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪分别对薄膜进行微结构及其光电性能表征。结果发现,所有薄膜样品在420~900nm区间内的平均透光率>91%;ZnO∶B晶粒尺寸随工作压强增大有先增大后减小,而电阻率先减小后增大的趋势。工作压强为0.5Pa时电阻率达到最低1.53×10^(-3)Ω·cm,所有薄膜样品禁带宽度相对于本征ZnO出现蓝移现象。 展开更多
关键词 磁控溅射 zno∶b薄膜 溅射气压
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IWO缓冲层对MOCVD-ZnO：B薄膜性能的影响研究
4
作者 闫聪博 陈新亮 +6 位作者 陈雪莲 孙建 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期697-702,共6页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。 展开更多
关键词 MOCVD zno:b薄膜 透明导电氧化物(TCO) 薄膜太阳电池 电子束蒸发 掺W的In2O3(In2O3:W IWO)薄膜 绒度
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衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响
5
作者 王何美 朱华 +2 位作者 冯晓炜 况慧芸 王艳香 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1266-1270,1299,共6页
采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征。结果表明：ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择... 采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征。结果表明：ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向。所有薄膜样品在420~900 nm区间内的平均透光率大于91%。随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大。衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移。 展开更多
关键词 zno∶b薄膜 磁控溅射 光电特性
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“类金字塔”状ZnO改善硅异质结电池近红外波段外量子效率
6
作者 王宁 王奉友 +4 位作者 张晓丹 王利果 郝秋艳 刘彩池 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期311-315,共5页
因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收。为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的Zn O薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节Zn O∶B(BZO)薄膜的光学和电学性能。将BZO薄膜用于硅异质... 因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收。为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的Zn O薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节Zn O∶B(BZO)薄膜的光学和电学性能。将BZO薄膜用于硅异质结(SHJ)太阳电池的背反射电极,相比于传统结构,电池的反射率和外部量子效率在近红外波段得到显著改善。为进一步解释外量子效率增加的原因,在四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法制绒的硅衬底上沉积BZO薄膜,得到了新型微纳米嵌套结构,并对其光吸收进行了测试分析。 展开更多
关键词 zno:b薄膜 金属有机化学气相沉积 外量子效率 异质结太阳电池
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梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究 被引量：2
7
作者 闫聪博 陈新亮 +4 位作者 耿新华 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期280-285,共6页
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,... 采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,有利于应用于宽谱域薄膜太阳电池。生长获得的MOCVD-ZnO薄膜,其薄膜电子迁移率为24 cm2/V,电阻率为2.17×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.20×1020cm-3,且在小于1 000 nm波长范围内的平均透过率大于85%。 展开更多
关键词 金属有机化学气相淀积(MOCVD) 绒面结构zno:b薄膜 TCO 梯度掺杂技术 薄膜太阳电池
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