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Sn掺杂对ZnO晶体形貌和磁性的影响 被引量:11
1
作者 韦志仁 王伟伟 +4 位作者 蔡淑珍 付三玲 李军 刘超 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期81-84,75,共5页
采用水热法,在ZnO中添加SnCl2.2H2O作前驱物,3M KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,合成了掺杂Sn的ZnO晶体。当前驱物中添加SnCl2.2H2O可以明显影响部分晶体形态,使正极面c轴方向的生长速度受到抑制,较大面积显露正极面c{0001},... 采用水热法,在ZnO中添加SnCl2.2H2O作前驱物,3M KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,合成了掺杂Sn的ZnO晶体。当前驱物中添加SnCl2.2H2O可以明显影响部分晶体形态,使正极面c轴方向的生长速度受到抑制,较大面积显露正极面c{0001},同时也显露负极面-c{000 1}、正锥面p{10 10}、负锥面-p{101 1}和柱面m{10 10}。磁性测量结果显示Sn可微量掺入ZnO晶格中,且呈现顺磁性特征。X射线衍射和X光荧光能谱分析表明,SnCl2.2H2O的添加量较大时,还伴随生成金红相SnO2棒状晶体。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 晶体 磁性
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Cu对Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体磁性的影响 被引量:6
2
作者 韦志仁 李军 +6 位作者 刘超 林琳 郑一博 葛世艳 张华伟 董国义 窦军红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5521-5524,共4页
采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol·L-1KOH,前驱物为添加适量的FeCl2·6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xFexO和Zn1-xFexO:Cu稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的FeCl2·6H2O为前驱物,水热反应产... 采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol·L-1KOH,前驱物为添加适量的FeCl2·6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xFexO和Zn1-xFexO:Cu稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的FeCl2·6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Fe的Zn1-xFexO多种形态晶体混合物,其个体较大的晶体中的Fe原子百分比含量为0·49%—0·52%.采用超导量子干涉磁强计测量了材料的磁性,晶体的磁化强度随温度下降而减小.在前驱物中同时加入适量比例的Cu化合物,合成了共掺杂Cu的Zn1-xFexO:Cu,和Zn1-xFexO相比,其室温下的磁化强度有明显的提高,且在室温下具有铁磁性. 展开更多
关键词 氧化锌 水热 稀磁半导体 晶体
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ZnO棒晶阵列薄膜的水溶液法生长 被引量:6
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作者 刘晓新 靳正国 +2 位作者 王惠 赵娟 刘志锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期999-1004,共6页
采用低温水溶液法,在涂覆ZnO种子层的ITO基底上制备了高度取向的ZnO棒晶阵列,考察了棒晶的生长过程以及生长液浓度、生长时间对薄膜形貌的影响.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),场发射扫描显微镜(FESEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM... 采用低温水溶液法,在涂覆ZnO种子层的ITO基底上制备了高度取向的ZnO棒晶阵列,考察了棒晶的生长过程以及生长液浓度、生长时间对薄膜形貌的影响.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),场发射扫描显微镜(FESEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)对ZnO纳米棒的结构和形貌进行了表征.结果表明,ZnO薄膜的形貌强烈依赖于生长溶液的浓度和生长时间,ZnO棒是单晶,属于六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长的特征,生长方式为层层台阶生长,反应时间达到48h后,通过二次生长形成特殊的板状晶. 展开更多
关键词 zno 棒晶 水溶液法 生长机理
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不同烧蚀条件下飞秒激光脉冲诱导ZnO纳米结构研究 被引量:8
4
作者 郭晓东 李儒新 +1 位作者 余昺鲲 马洪良 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1017-1020,共4页
烧蚀条件对飞秒激光脉冲诱导氧化锌纳米结构有重要影响。研究了800nm,150fs,250kHz的飞秒激光脉冲分别在空气中,去离子水中以及无水乙醇中垂直聚焦于氧化锌晶体表面,诱导形成不同形态的纳米结构。实验结果表明,在空气中利用飞秒激光脉... 烧蚀条件对飞秒激光脉冲诱导氧化锌纳米结构有重要影响。研究了800nm,150fs,250kHz的飞秒激光脉冲分别在空气中,去离子水中以及无水乙醇中垂直聚焦于氧化锌晶体表面,诱导形成不同形态的纳米结构。实验结果表明,在空气中利用飞秒激光脉冲辐照样品表面,形成了周期为180nm的纳米线;在去离子水中辐照诱导形成了由氧化锌纳米线聚集而成的"纳米球";在无水乙醇中形成出现分叉结构的纳米线。拉曼光谱分析辐照前后晶体晶相结果表明,形成的纳米结构相对于辐照前特征峰437cm-1强度有所下降,在570cm-1处的峰值则显著增强。分析了在各种烧蚀条件下诱导形成纳米结构的演化过程以及物理机理。 展开更多
关键词 超快光学 飞秒激光 纳米结构 zno晶体 半导体材料
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In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响 被引量:5
5
作者 韦志仁 李哲 +4 位作者 胡志鹏 罗小平 高平 王伟伟 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期755-758,共4页
本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{000 1-}、六棱锥面+p{10 1-1}和-p{10 1-1-},一般不显露{0001}... 本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{000 1-}、六棱锥面+p{10 1-1}和-p{10 1-1-},一般不显露{0001}面。前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5~20μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{10 1-1}、负锥面-p{10 1-1-}和负极面-c{000 1-}。由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷。当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm^2/(V.s),载流子浓度约为2×10^20cm^-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 晶体 三氧化二铟
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氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究 被引量:2
6
作者 霍汉德 左艳彬 +8 位作者 卢福华 覃世杰 张海霞 张昌龙 周卫宁 杭寅 宋词 夏长泰 顾书林 《超硬材料工程》 CAS 2006年第2期60-62,共3页
报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果.以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃~400℃、压力为120MPa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体.测量了晶... 报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果.以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃~400℃、压力为120MPa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体.测量了晶体的杂质含量、光吸收率和双晶摇摆曲线. 展开更多
关键词 水热法 氧化锌 晶体生长
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光子晶体的研究进展 被引量:3
7
作者 李燕 谢娟 +1 位作者 邓宏 徐自强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期10-12,共3页
从20世纪80年代末提出光子晶体的概念以来,由于光子晶体独特的调节光子运动状态的特性,使其在许多领域有着广泛的用途。系统叙述了光子晶体的产生、结构、制备和应用,介绍了ZnO光子晶体的最新研究进展。
关键词 光子晶体 光子禁带 胶体自组装 zno 20世纪80年代 运动状态
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水热法合成In掺杂ZnO晶体 被引量:4
8
作者 韦志仁 刘新辉 +4 位作者 武明晓 张金平 尹利君 黄存新 李志强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期153-155,159,共4页
本文采用水热法,在ZnO前驱物中添加少量的In2O3,合成了掺In的ZnO晶体。结果显示:生长的掺In的ZnO晶体呈六角片状,大面积显露{0001}面和负极面-c{000}。In掺杂后晶体的形态得到了明显的改变,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善。当采用... 本文采用水热法,在ZnO前驱物中添加少量的In2O3,合成了掺In的ZnO晶体。结果显示:生长的掺In的ZnO晶体呈六角片状,大面积显露{0001}面和负极面-c{000}。In掺杂后晶体的形态得到了明显的改变,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善。当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过SEM和光学显微观察,所生长的晶体表面光滑平整,双晶衍射摇摆曲线半宽度小于39弧秒,显示具有较高的晶体质量。 展开更多
关键词 氧化锌晶体 水热法 IN2O3 摇摆曲线
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多孔氧化铝/氧化锌组装体的光子带隙和发光性能 被引量:4
9
作者 王丹丽 阮永丰 +2 位作者 杨红波 张灵翠 何丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期83-87,106,共6页
从光子晶体的角度研究了AAO/ZnO组装体的光子带隙和发光性能,并解释了该组装体中ZnO发光增强的原因。利用平面波法对AAO及AAO/ZnO组装体的带隙结构进行了研究,得到了该组装体在可见光范围内TE波和TM波的不同的禁带结构特征,讨论了晶格... 从光子晶体的角度研究了AAO/ZnO组装体的光子带隙和发光性能,并解释了该组装体中ZnO发光增强的原因。利用平面波法对AAO及AAO/ZnO组装体的带隙结构进行了研究,得到了该组装体在可见光范围内TE波和TM波的不同的禁带结构特征,讨论了晶格常数、填充比及填充介质的介电常数对带隙结构和禁戒波长的影响,找到了使AAO/ZnO组装体产生与ZnO的缺陷发光峰匹配的完全光子禁带的条件。 展开更多
关键词 氧化锌 阳极氧化铝(AAO) 光子晶体 光子能带结构
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水热合成奇异形态的ZnO晶体 被引量:2
10
作者 蔡淑珍 韦志仁 +6 位作者 王伟伟 高平 李哲 罗小平 胡志鹏 付三玲 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期323-326,共4页
本文采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,在Zn(OH)2中添加SnC l2.2H2O,添加量为Sn2+:Zn2+=2%条件下,合成出ZnO晶体。产物中除了大量短六棱柱形晶体外,还出现了部分冰激凌形晶体。六棱柱形晶体具有典型的ZnO特征,显露... 本文采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,在Zn(OH)2中添加SnC l2.2H2O,添加量为Sn2+:Zn2+=2%条件下,合成出ZnO晶体。产物中除了大量短六棱柱形晶体外,还出现了部分冰激凌形晶体。六棱柱形晶体具有典型的ZnO特征,显露正极面c{0001}、负极面-c{000}、柱面m{100}、正锥面p{101}和负锥面-p{10}。而冰激凌形晶体有明显的六棱锥晶体外壳,X光能谱(EDS)检测证实晶体各部位的组分均为ZnO。 展开更多
关键词 水热法 氧化锌 极性 晶体形态
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ZnO光子晶体的制备及其光子带隙特性研究 被引量:2
11
作者 谢娟 邓宏 +2 位作者 徐自强 李燕 黄君 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期300-302,共3页
利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体。通过扫描电镜图谱、透射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征。结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,并且改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸。制得的... 利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体。通过扫描电镜图谱、透射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征。结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,并且改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸。制得的样品有较宽的光子禁带,且禁带波长位置随胶体球粒径的减小和前处理温度的降低而蓝移。当入射光角度逐渐增大时,禁带中心位置有规律地向短波长方向移动。 展开更多
关键词 zno 光子晶体 自组装 光子禁带 蓝移
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Al掺杂对甲醇醇解法合成ZnO纳米粉体的影响 被引量:3
12
作者 陈义川 胡跃辉 +3 位作者 张效华 杨丰 陈新华 陈俊 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2011年第4期577-580,共4页
采用醇解法,在130℃的甲醇溶液中分别合成纯的和Al掺杂纳米氧化锌(ZnO)晶体。使用X射线衍射仪,透射电子显微镜,Fourier红外光谱和偏振稳态荧光光谱对其晶体结构和光学性能进行了表征。结果表明:在甲醇溶液中,在较低的温度(130℃)下,成... 采用醇解法,在130℃的甲醇溶液中分别合成纯的和Al掺杂纳米氧化锌(ZnO)晶体。使用X射线衍射仪,透射电子显微镜,Fourier红外光谱和偏振稳态荧光光谱对其晶体结构和光学性能进行了表征。结果表明:在甲醇溶液中,在较低的温度(130℃)下,成功制备出纳米ZnO晶体。Fourier红外吸收光谱表明醇解法合成的ZnO纳米晶体含有较少的有机物杂质。荧光光谱结果可以看出,纯ZnO和Al掺杂的ZnO纳米晶体在可见光范围(400nm~700nm)内有一个高的蓝光发光带(峰位为440nm)和一个绿光发光带(纯的和Al掺杂的峰位分别为520nm和530nm)。通过对比发现掺杂Al可以有效的改变ZnO纳米粉体的可见光发光特性。 展开更多
关键词 zno晶体 醇解法 结构 性能
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高浓度Co掺杂ZnO晶体的水热法制备及磁性 被引量:2
13
作者 刘清波 马玲鸾 +3 位作者 强勇 段平光 韩伟超 韦志仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期956-961,共6页
采用水热法以CoO、ZnO混合为前驱物制备了ZnO晶体,矿化剂为6 mol/L KOH,填充度70%,温度430℃,两种样品CoO、ZnO组分物质的量百分比分别为0.5∶1和1∶1。当前驱物为nCo∶nZn=0.5∶1时,合成出Zn1-xCoxO晶体,Co元素掺杂量分别为6.83 at%和9... 采用水热法以CoO、ZnO混合为前驱物制备了ZnO晶体,矿化剂为6 mol/L KOH,填充度70%,温度430℃,两种样品CoO、ZnO组分物质的量百分比分别为0.5∶1和1∶1。当前驱物为nCo∶nZn=0.5∶1时,合成出Zn1-xCoxO晶体,Co元素掺杂量分别为6.83 at%和9.30 at%。当前驱物中nCo∶nZn=1∶1时,Zn1-xCoxO晶体中Co掺杂比例达到9.31 at%,同时伴有Co3O4生成,其中Zn掺杂比例达到14.59 at%,SEM显示,所制备的Zn1-xCoxO具有明显的ZnO晶体特征,形态完整,最大尺度约为50μm。SQUID测量显示,生成物中Zn1-xCoxO晶体具有顺磁性,Zn1-xCoxO和Co3-xZnxO混合晶体也显示为顺磁性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 水热法 氧化锌晶体
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均匀沉淀法制备纳米氧化锌研究 被引量:1
14
作者 曾宪华 史运泽 樊慧庆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期165-167,共3页
以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构... 以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构进行了研究。该方法制备的纳米氧化锌平均粒径在11 nm 左右。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米粒子 均匀沉淀法 六角纤锌矿型晶体结构
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Piezoelectric Zinc Oxides with High Polar Facets Ratios for Mechanically Controlled RAFT Polymerization 被引量:1
15
作者 Chengqiang Ding Ziye Ren +5 位作者 Jian Wang Longfei Zhang Yuhan Yan Danming Wu Zhao Wang Zhengbiao Zhang 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2023年第20期2691-2696,共6页
Mechanoredox chemistry that uses highly polarized piezoelectric materials as mechanoredox catalysts to promote redox reactions has emerged recently.It provides an alternative approach alongside the existing polymeriza... Mechanoredox chemistry that uses highly polarized piezoelectric materials as mechanoredox catalysts to promote redox reactions has emerged recently.It provides an alternative approach alongside the existing polymerization methods.Despite recent accomplishments,determining the quantitative relationship between the structure of ZnO and its catalytic performance for polymerization is still challenging.Herein,we prepared various ZnO crystals with different polar facets ratios to achieve efficient mechanically induced reversible addition-fragmentation chain transfer polymerization(mechano-RAFT).ZnO prepared from Zn(NO3)2 showed a high polar facet ratio of 1.66 and offered the highest catalytic activity among all ZnO samples.A near-quantitative initiator efficiency of 99.5%and narrow molecular weight distribution were achieved for the polymerization of n-butyl acrylate.Furthermore,the high chain-end fidelity and chain extension capability were also evidenced by MALDI-TOF MS and GPC analysis.This work highlighted the significant contribution of polar facets in ZnO to its catalytic activity and will guide the design of mechanoredox catalysis with superior catalytic performance in the future. 展开更多
关键词 Mechanoredox chemistry Catalytic activity zno crystals RAFT polymerization
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退火处理对ZnO晶体材料光学性能的影响 被引量:1
16
作者 冯魏良 黄培 +3 位作者 王晓东 俞娟 张宜坤 王宝才 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第4期6-10,共5页
采用热液法制备ZnO晶体材料,分别在空气、N2和水蒸气条件下进行退火处理。采用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)考察不同退火处理对ZnO结构和光学性能的影响。结果表明:热液法制... 采用热液法制备ZnO晶体材料,分别在空气、N2和水蒸气条件下进行退火处理。采用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)考察不同退火处理对ZnO结构和光学性能的影响。结果表明:热液法制备的ZnO呈六角相棒状形貌,棒直径约为2μm,长度约为10μm。经3种退火方法处理的样品的形貌和尺寸没有明显变化,取向性和结晶度都有所改善,透光率升高,光致发光近带边发射峰强度增大。相比ZnO体材料的紫外吸收(380 nm),处理后样品出现了轻微蓝移现象。初步探讨了不同退火处理方法改善ZnO晶体材料光学性能的机制。 展开更多
关键词 热液法 zno晶体材料 退火处理
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水热法生长的Co、Sn共掺杂ZnO晶体厚膜的顺磁性 被引量:1
17
作者 韦志仁 马玲鸾 +5 位作者 段光杰 韩伟超 刘清波 强勇 高平 张晓军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期316-320,共5页
采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶([0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显... 采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶([0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显示Co和Zn元素的相对含量为7.47∶92.53。电学测量晶体膜层为n型导电类型,载流子浓度1.15×1020cm-3,电阻率1.94×10-3Ω.cm,迁移率27.8 cm2/V.s,SQUID测量表明厚膜为顺磁性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 氧化锌 水热法 掺杂 晶体
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升华法制备氧化锌的研究
18
作者 张沛 《江西科技学院学报》 2014年第2期30-33,共4页
采用升华法制备出ZnO晶体,并对其XRD图谱和拉曼图谱进行了研究分析。测得的XRD图谱显示在2角为34.5602°处的(002)面的谱峰尖锐,半高宽为0.1771°,说明ZnO晶体沿C轴择优取向,晶体质量良好;拉曼图谱的特征谱出现在437... 采用升华法制备出ZnO晶体,并对其XRD图谱和拉曼图谱进行了研究分析。测得的XRD图谱显示在2角为34.5602°处的(002)面的谱峰尖锐,半高宽为0.1771°,说明ZnO晶体沿C轴择优取向,晶体质量良好;拉曼图谱的特征谱出现在437处,表明晶体的定向生长,表征了ZnO晶体的特征。对晶体的测试和分析表明采用升华法,并且合理地控制参数。能够生长出高质量的ZnO晶体。 展开更多
关键词 zno晶体 升华法 XRD图谱 拉曼图谱
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Preparation and Gas-sensing Characteristics of Na^+-doped ZnO Single Crystals
19
作者 Suying PAN and Junbiao MAO (Center for Materials Research and Analysis, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China)(To whom correspondence should be addressed) 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第4期289-292,共4页
ZnO single crystals were grown by vapor phase reaction of Zno powder with active carbon powdei at an elevated temperature The typical crystals were colorless and transparent with maximum size o4 0.1 mm in diameter and... ZnO single crystals were grown by vapor phase reaction of Zno powder with active carbon powdei at an elevated temperature The typical crystals were colorless and transparent with maximum size o4 0.1 mm in diameter and 25 mm in length, The gas-sensing characteristics of Na+-doped anc undoped single crystals were investigated in 1 %H2. Co and CH, in air between 1 50 and 600℃. It was found that the undoped ZnO single crystals showed little gas sensitivity in air. and Na+-doping can greatly enhance the senstivity by increasing the resistivities. The maximum sensitivity of the samples is 22 (Ra/ Rg) for H2. 1 2 for CO and 4 for CH4 展开更多
关键词 Preparation and Gas-sensing Characteristics of Na doped zno Single crystals zno
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Fabrication and Characteristics of Nano-Floating Gate Memories with ZnO Nano-Crystals as Charge-Storage Layer
20
作者 Lu Liu Yong Su +1 位作者 Jing-Ping Xu Yi-Xian Zhang 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第6期102-105,共4页
Nano-floating gate memory devices with ZnO nano-crystals as charge storage layers are fabricated,and the influence of post-deposition annealing temperature and thickness of the ZnO layer are investigated.Atomic force ... Nano-floating gate memory devices with ZnO nano-crystals as charge storage layers are fabricated,and the influence of post-deposition annealing temperature and thickness of the ZnO layer are investigated.Atomic force microscopy and scanning electron microscopy reveal the morphology of discrete ZnO nano-crystals.For capacitance-voltage measurements,it is found that the memory device with 1.5 nm ZnO and annealed at 700℃shows a larger memory window of 4.3 V(at±6 V)and better retention characteristics than memoriy devices with2.5 nm ZnO or annealed at other temperatures.These results indicate that the nano-floating gate memory with ZnO nano-crystals can obtain good trade-off memory properties. 展开更多
关键词 zno Fabrication and Characteristics of Nano-Floating Gate Memories with zno Nano-crystals as Charge-Storage Layer
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