本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了具有ITO(indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件...本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了具有ITO(indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件.通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压,串联电阻,反向漏电流及整流比等参数,认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低,整流比显著增强,展现出更优异的电子传输性能.光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制,弱化了电场激发下的载流子陷获,改善了器件的导电特性.展开更多
文摘本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了具有ITO(indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件.通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压,串联电阻,反向漏电流及整流比等参数,认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低,整流比显著增强,展现出更优异的电子传输性能.光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制,弱化了电场激发下的载流子陷获,改善了器件的导电特性.
