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衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响
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作者 叶康 叶志镇 +3 位作者 胡少华 赵炳辉 何海平 朱丽萍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期499-502,共4页
利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征... 利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明,Ga-N共掺杂p型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、(111)Si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示p型导电性,而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最优,载流子浓度为2.28×1017cm-3,电阻率为27.7Ω·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的薄膜。Ga2p和N1s的XPS谱表明Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜中存在Ga—N键,有利于N的掺入,从而易于实现p型生长。 展开更多
关键词 znmgo薄膜 Ga-N共掺杂 磁控溅射 衬底
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Sol-gel法制备Mg掺杂ZnO纳米薄膜晶体结构和发光特性的研究 被引量：5
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作者 胡界博 《襄樊学院学报》 2008年第2期23-25,共3页
采用溶胶-凝胶(Sol-gel)旋涂法在石英衬底上制备Mg掺杂ZnO纳米薄膜,室温下利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnMgO合金薄膜的晶体结构和发光特性.结果表明:在0.1<x<0.37范围内,合金薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿... 采用溶胶-凝胶(Sol-gel)旋涂法在石英衬底上制备Mg掺杂ZnO纳米薄膜,室温下利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnMgO合金薄膜的晶体结构和发光特性.结果表明:在0.1<x<0.37范围内,合金薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿结构,(002)衍射峰位随x的增大向大角度方向移动.室温光致发光谱表明:ZnMgO合金薄膜PL谱由较弱的紫外发射带和较强的可见发射带组成,且随着Mg含量的增加紫外发射峰位发生蓝移,同时可见发射增强. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 znmgo合金薄膜 晶体结构 光致发光
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