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Zn^(2+)离子掺杂对纳米TiO_2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响
被引量：
1
1
作者
付姚
曹望和
彭勇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期1780-1783,共4页
采用sol-gel法制备了Zn2+离子掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、原子力显微镜(AFM),结合光电流作用谱研究了Zn2+离子掺杂对TiO2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响。结果表明,在所选浓度范围内,Zn2+...
采用sol-gel法制备了Zn2+离子掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、原子力显微镜(AFM),结合光电流作用谱研究了Zn2+离子掺杂对TiO2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响。结果表明,在所选浓度范围内,Zn2+离子掺杂浓度对薄膜的相组成和紫外光吸收强度无明显作用,但可显著改变薄膜表面颗粒大小和形貌特征,从而影响电极光电性能。0.1%(摩尔分数)Zn2+离子的掺杂使膜内颗粒尺寸由30nm增大至40nm,同时使表面颗粒的生长具有一定的择优取向,颗粒形状由本征薄膜的类球形变为垂直于膜面的柱状颗粒。这一结构大幅增大了薄膜的表面积,提高了载流子在固-液界面的传输效率,促使电极光电流密度(PCD)比本征电极提高40%。随掺杂浓度的提高,表面颗粒尺寸逐渐增大,形状恢复为类球形,电极光电性能有所降低。当掺杂浓度达到5%(摩尔分数)时,颗粒粒径急剧增大至130nm,表面颗粒因熔点降低而熔合成无孔表面,导致电极PCD急剧降低。
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关键词
zn
2
+离子掺杂
纳米TiO
2
薄膜电极
紫外光电性能
光电转换
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职称材料
B^(3+),Zn^(2+)掺杂与SiO_2薄膜驻极体的改性
被引量：
1
2
作者
黄志强
徐政
+1 位作者
方明豹
俞建群
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期445-448,共4页
用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ＜１１１＞型单晶硅基片上制备了非晶态态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体，实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性，恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（ｔｈｅｒｍａｌｌｇ ｓｔｉｍｕｌ...
用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ＜１１１＞型单晶硅基片上制备了非晶态态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体，实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性，恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（ｔｈｅｒｍａｌｌｇ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｃｈａｒｇｅｄ， ＴＳＤ）实验表明， Ｂ~３＋、Ｚｎ~２＋的掺杂对 ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响： ＴＳＤ放电电流峰稳定于 ｔ＝２３８℃处，峰位不随充电温度和充电电压变化；正、负 ＴＳＤ电流谱关于温度轴对称．用离子掺杂可以有效地改变ＳｉＯ２薄膜驻极体内的微观网络结构，影响其电荷贮存性能。
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关键词
离子掺杂
二氧化硅
复合膜
驻极体
改性
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职称材料
题名
Zn^(2+)离子掺杂对纳米TiO_2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响
被引量：
1
1
作者
付姚
曹望和
彭勇
机构
大连海事大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期1780-1783,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60274040)
辽宁省博士启动基金资助项目(20091006)
文摘
采用sol-gel法制备了Zn2+离子掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、原子力显微镜(AFM),结合光电流作用谱研究了Zn2+离子掺杂对TiO2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响。结果表明,在所选浓度范围内,Zn2+离子掺杂浓度对薄膜的相组成和紫外光吸收强度无明显作用,但可显著改变薄膜表面颗粒大小和形貌特征,从而影响电极光电性能。0.1%(摩尔分数)Zn2+离子的掺杂使膜内颗粒尺寸由30nm增大至40nm,同时使表面颗粒的生长具有一定的择优取向,颗粒形状由本征薄膜的类球形变为垂直于膜面的柱状颗粒。这一结构大幅增大了薄膜的表面积,提高了载流子在固-液界面的传输效率,促使电极光电流密度(PCD)比本征电极提高40%。随掺杂浓度的提高,表面颗粒尺寸逐渐增大,形状恢复为类球形,电极光电性能有所降低。当掺杂浓度达到5%(摩尔分数)时,颗粒粒径急剧增大至130nm,表面颗粒因熔点降低而熔合成无孔表面,导致电极PCD急剧降低。
关键词
zn
2
+离子掺杂
纳米TiO
2
薄膜电极
紫外光电性能
光电转换
Keywords
zn
2＋
ion
doping
nanocrystalline
TiO
2
film
electrode
UV
photoelectric
properties
photo-to-current
convers
ion
分类号
O649.4 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
B^(3+),Zn^(2+)掺杂与SiO_2薄膜驻极体的改性
被引量：
1
2
作者
黄志强
徐政
方明豹
俞建群
机构
同济大学
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期445-448,共4页
文摘
用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ＜１１１＞型单晶硅基片上制备了非晶态态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体，实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性，恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（ｔｈｅｒｍａｌｌｇ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｃｈａｒｇｅｄ， ＴＳＤ）实验表明， Ｂ~３＋、Ｚｎ~２＋的掺杂对 ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响： ＴＳＤ放电电流峰稳定于 ｔ＝２３８℃处，峰位不随充电温度和充电电压变化；正、负 ＴＳＤ电流谱关于温度轴对称．用离子掺杂可以有效地改变ＳｉＯ２薄膜驻极体内的微观网络结构，影响其电荷贮存性能。
关键词
离子掺杂
二氧化硅
复合膜
驻极体
改性
Keywords
B^3+,
zn
^2+
ion
doping
,
SiO2.
compound
film,
electret
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn^(2+)离子掺杂对纳米TiO_2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响
付姚
曹望和
彭勇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
2
B^(3+),Zn^(2+)掺杂与SiO_2薄膜驻极体的改性
黄志强
徐政
方明豹
俞建群
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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职称材料
已选择
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