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Zn_(1/3)Nb_(2/3)含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响 被引量:2
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作者 周静 赵然 +1 位作者 孙华君 陈文 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1-3,共3页
以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,... 以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB(四方相边界)附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置。 展开更多
关键词 xPMnS-(1-x)Pzn陶瓷 准同型相区间 zn1/3nb2/3 性能
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0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长 被引量:6
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作者 徐家跃 范世(?) 孙仁英 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期721-724,共4页
研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只... 研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。 展开更多
关键词 0.91Pb(zn1/3nb2/3)O3-0.09PbTiO3 析晶行为 助溶剂法 铌锌钛酸铅 钙钛矿相 晶体生长
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(Zn1/3Nb2/3)^4+取代的BNT系无铅压电陶瓷性能 被引量:3
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作者 单召辉 刘心宇 周昌荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期32-34,共3页
采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存... 采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构。在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x为0.020时,d33为97pC/N,kt为0.47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值,低kp值;kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。 展开更多
关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 复合离子 钛酸铋钠 (zn1/3nb2/3)^4+
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B位取代PZT体系的电子结构与压电特性研究 被引量:3
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作者 周静 陈文 +1 位作者 孙华君 徐庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期464-468,共5页
采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影... 采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影响。结果表明,PZT铁电相较顺电相稳定,O的2p轨道与B位原子的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件,杂化的强弱可表明铁电性的强弱;Mn_(1/3)Sb_(2/3)、Zn_(1/3)Nb_(2/3)取代(Zr,Ti)若生成四方钙态矿结构,体系总能量降低、轨道杂化增强,可以提高PZT体系的铁电性能,若生成立方烧绿石结构,由于B—O(//轴向)与B—O(轴向)共价健强度差别太大,造成体系结构的不稳定,将导致铁电性的丧失。 展开更多
关键词 压电陶瓷 电子结构 压电特性 共价健极 Pb(Zr1/2Ti1/2)O3 PB(zn1/3nb2/3)O3 钙钛矿结构
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钛酸钙对BZN-CaTiO_3系统介电性能的影响 被引量:1
5
作者 赵康健 吴顺华 孙萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期35-37,共3页
研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1395℃烧结的BZN-CaTiO... 研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10^-4,αc为-13.05×10^-6℃^-1(25~85℃,1MHz下测量)。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Ba(zn1/3nb2/3)O3-CaTiO3 高介电常数 低介质损耗 热稳定 烧结温度
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Zr/Ti比对PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的影响 被引量:1
6
作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 孙琳 徐明霞 《陶瓷学报》 CAS 2004年第3期149-152,共4页
以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界(MPB)附近组成为0.03Pb(Sn1/3dNb2/3)O3-0.03Pb(Zn1/3Nb2/3O3-0.04Pb(MnSb2/3)03-xPbZrO3-(0.9-x)PbTiO3(x=0430-0.460)的陶瓷性能。结果发现:... 以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界(MPB)附近组成为0.03Pb(Sn1/3dNb2/3)O3-0.03Pb(Zn1/3Nb2/3O3-0.04Pb(MnSb2/3)03-xPbZrO3-(0.9-x)PbTiO3(x=0430-0.460)的陶瓷性能。结果发现:在合成温度860℃、保温3h时可以得到钙钛矿结构。当x=0.435,即Zr/Ti=0.935时,烧结温度1260℃,保温3h,其压电、介电性能在准同型相界处综合性能最佳:ε33T/ε0=1390,d33=300×10-12C/N,Kp=55.1%,Qm=1180。 展开更多
关键词 合成工艺 准同型相界 合成温度 介电性能 PZT 压电陶瓷 制备 PB(zn1/3nb2/3)O3 钙钛矿结构 PBTIO3
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Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3基陶瓷预合成和烧结工艺的研究 被引量:2
7
作者 云斯宁 王晓莉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期3-7,共5页
基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660~800℃预合成,将... 基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660~800℃预合成,将预合成产物粉碎后再与TiO_2和BaCO_3按化学计量称量,充分混合后,在1060~1140℃保温1~2h烧结成陶瓷试样。实验结果表明:改进的两步法工艺能够将预合成温度降为660℃,烧结温度能被拓宽到80℃获得100%钙钛矿结构的固溶体陶瓷。不同于传统的预合成和烧结,改进的两步法工艺简单、有效,在预合成阶段没有形成钙钛矿相,烧结阶段陶瓷的成瓷和致密化同时进行,完成了中间相向钙钛矿相的转变,获得了介电性能优良的陶瓷试样。 展开更多
关键词 PB(zn1/3nb2/3)O3 电子陶瓷 烧结工艺 合成工艺 铌锌酸铝
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Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的研究进展 被引量:2
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作者 李曼 罗希 吕文中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期75-77,81,共4页
3G移动通信事业的迅速发展对应用于基站的微波介质谐振器陶瓷材料的Q值提出了更高的要求。Ba(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷材料因为具有很高的Q值、接近于零的τf和适宜的εr而备受关注。介绍了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷的结构和... 3G移动通信事业的迅速发展对应用于基站的微波介质谐振器陶瓷材料的Q值提出了更高的要求。Ba(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷材料因为具有很高的Q值、接近于零的τf和适宜的εr而备受关注。介绍了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷的结构和性能、改性研究、纳米化制备工艺及Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-Ba(Co1/3Nb2/3)O3复合技术,以期对该领域其他研究者有所帮助。 展开更多
关键词 Ba(zn1/3nb2/3)O3陶瓷 改性 综述 纳米化
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Li-Cu共替代对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷性能的影响 被引量:2
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作者 张东 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期29-32,共4页
采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2... 采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗出现明显的介电弛豫现象,运用缺陷偶极子和晶格畸变解释这一现象,比较了不同的缺陷偶极子对介电弛豫的影响。 展开更多
关键词 Bi2(zn1/3nb2/3)2O7基陶瓷 缺陷偶极子 介电弛豫 晶格畸变
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铌欠缺对PZN基陶瓷微观结构和介电性能的影响 被引量:1
10
作者 屈绍波 王书文 +1 位作者 郝涛 薛锦 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2004年第7期860-862,共3页
使用化学混合法制备了PZN基陶瓷 ,研究了铌离子欠缺对其相组成、微观结构和介电性能的影响。随着铌离子欠缺量的增加 ,预烧粉体中的焦绿石相含量大幅度增加 ;但是微量铌离子欠缺对烧结后陶瓷的相组成没有什么影响 ,甚至当铌欠缺量达到 ... 使用化学混合法制备了PZN基陶瓷 ,研究了铌离子欠缺对其相组成、微观结构和介电性能的影响。随着铌离子欠缺量的增加 ,预烧粉体中的焦绿石相含量大幅度增加 ;但是微量铌离子欠缺对烧结后陶瓷的相组成没有什么影响 ,甚至当铌欠缺量达到 2 %时 ,陶瓷仍然为 10 0 %的钙钛矿结构。随着铌欠缺的增加 ,晶粒尺寸增大 ,但是陶瓷仍具有良好的成瓷性。铌欠缺使介电常数减小 ,但是对介电损耗影响很小 ;介电常数减小的原因归结为“有效有序微区” 展开更多
关键词 PB(zn1/3nb2/3)O3 铌欠缺 相组成 微观结构 介电性能
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Ba(Zn_((1-x)/3)Ni_(x/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的微观结构 被引量:1
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作者 石锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期445-449,共5页
本文采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用Ni2+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+形成固溶体来研究其微观结构。XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb2O6等存在。随Ni2+含量增加,系统晶格常数a减小;而随烧... 本文采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用Ni2+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+形成固溶体来研究其微观结构。XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb2O6等存在。随Ni2+含量增加,系统晶格常数a减小;而随烧结温度升高,a逐渐增大。系统在1500℃下烧结时为固相烧结;当烧结温度为1550℃时,系统由固相烧结转变为液相烧结。较低温度下烧结时,在低角度区有很微弱的1∶2有序相产生;烧结温度升高,无序相增加,有序相消失。 展开更多
关键词 BA(zn1/3nb2/3)O3 固溶体 微观结构 有序相
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Y^(3+)取代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度的影响 被引量:1
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作者 张红霞 丁士华 +3 位作者 陈涛 宋天秀 李在映 刘勇 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第6期71-72,92,共3页
采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7微波陶瓷,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪,研究Y3+取代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性及介电性能的影响。研究结果表明:随着Y3+替代量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数先减小后增大,烧结... 采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7微波陶瓷,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪,研究Y3+取代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性及介电性能的影响。研究结果表明:随着Y3+替代量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数先减小后增大,烧结温度升高;适量的Y3+替代可以获得性能很好的BZN介质材料。 展开更多
关键词 Bi2(zn(1/3)nb2/3)2O7 单斜相焦绿石 烧结温度 取代 结构和性能
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Li-Zr替代对β-BZN陶瓷介电性能的研究 被引量:1
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作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期892-894,共3页
采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现... 采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型解释了这一现象。随着Li替代量的增加,介电弛豫峰值温度向高温方向移动,与x(Li)=0.025、0.05、0.075和0.1时相对应的介电损耗峰值温度为47℃、112℃、115℃、120℃。介电弛豫峰不对称性符合A.K.Jonscher的普适弛豫定律。 展开更多
关键词 Bi2(zn1/3nb2/3)2O7系陶瓷 替代 介电弛豫
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Co^(2+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响 被引量:1
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作者 张东 丁士华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期36-38,41,共4页
研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介... 研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料介电常数、介电损耗逐渐增大,样品的温度系数随掺杂量的增加而增大。 展开更多
关键词 Bi2(zn1/3nb2/3)2O7系陶瓷 替代 烧结温度
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Li-Sn共替代Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能 被引量:1
15
作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期467-470,共4页
采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分... 采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了该现象。x为0.05、0.15、0.30和0.40时,样品的介电损耗峰值温度为78℃、7℃、36℃、83℃,比较了介电弛豫温区移动的差异及分析介电弛豫现象的不对称。 展开更多
关键词 Bi2(zn1/3nb2/3)2O7系陶瓷 介电弛豫 介电性能 缺陷
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热处理温度对Ca(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3/CaTiO_3介电薄膜的影响
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作者 瞿晓玲 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2015年第2期337-340,共4页
采用溶胶一凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了多晶Ca(Zn1/3Nb2,3)O3/CaTiO3(CZN/CT)异质叠层薄膜。XRD分析表明,CZN/CT薄膜的结晶度随退火温度的升高而增大,CZN和CT相均在700℃时出现钙钛矿晶型,且CZN相... 采用溶胶一凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了多晶Ca(Zn1/3Nb2,3)O3/CaTiO3(CZN/CT)异质叠层薄膜。XRD分析表明,CZN/CT薄膜的结晶度随退火温度的升高而增大,CZN和CT相均在700℃时出现钙钛矿晶型,且CZN相的特征峰相对于CT相偏左微移。微观结构分析显示,薄膜于700℃快速退火2min并保温30min后晶粒尺寸为30-50nm,表面相当光滑,原子力显微镜分析显示其粗糙度(RMS)值仅为4.9nm,此时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为30和0.006。CZN/CT薄膜的介电常数和损耗与退火温度密切相关。 展开更多
关键词 介电薄膜 Ca(zn1/3nb2/3)O3/CaTiO3 钙钛矿 温度介电性能
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前驱体制备(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷的微波介电性能
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作者 沈杰 朱杰 +1 位作者 徐庆 陈文 《陶瓷学报》 CAS 2006年第3期255-258,共4页
以ZnNb2O6为前驱体,通过固相反应合成了(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3体系微波介质陶瓷。对固溶体进行了结构与性能测试,研究了体系结构与性能随组份变化规律。结果表明,由于Zn,Nb对Ti的B位取代增大了B-O八面体的倾斜角,从而... 以ZnNb2O6为前驱体,通过固相反应合成了(1-x)CaTiO_3-xCa(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3体系微波介质陶瓷。对固溶体进行了结构与性能测试,研究了体系结构与性能随组份变化规律。结果表明,由于Zn,Nb对Ti的B位取代增大了B-O八面体的倾斜角,从而导致随着Ca(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量从0.2增加至0.8,介电常数从109减小为49,Q×f值从8340GHz增至13200GHz,频率温度稳定系数由321ppm/℃降为-18ppm/℃。在x=0.7时获得ε_1≈56,Q×f≈11500GHz,τ_f≈-5ppm/℃的最佳性能。 展开更多
关键词 前驱体法 (1-x)CaTiO3-xCa(zn1/3nb2/3)O3 复合钙钛矿结构 微波介电性能
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0.2Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.8Pb(Zr_(0.5),Ti_(0.5))O_3(1-x)(Ni_(51.5)Mn_(25)Ga_(23.5))x固溶体系磁电性能研究
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作者 仲麒 张铭 +5 位作者 邓浩亮 郑木鹏 胡州 侯育冬 朱满康 严辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期201-203,共3页
采用传统的固相烧结法合成了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷。XRD结果表明,随着Ni51.5Mn25Ga23.5(NMG)掺入,Ni51.5Mn25Ga23.5先溶于0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3中,后NMG... 采用传统的固相烧结法合成了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷。XRD结果表明,随着Ni51.5Mn25Ga23.5(NMG)掺入,Ni51.5Mn25Ga23.5先溶于0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3中,后NMG量超过5%不溶于复合体系中,使得0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3的峰位向右偏移;铁电性能测试结果表明,0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷随着Ni51.5Mn25Ga23.5的掺入量的增加矫顽场E先降低后增加,剩余极化强度Pr逐渐降低,这与XRD的测试结果相一致;磁性测试结果表明,0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x随着Ni51.5Mn25Ga23.5掺入量的增加,以独立相析出在复合体系中,剩余磁化强度Mr逐渐增大。 展开更多
关键词 0.2Pb(zn1/3nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5 Ti0.5)O3 Ni51.5Mn25Ga23.5 固相烧结 复合材料
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Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-BaWO_4复相陶瓷的合成与性能研究
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作者 杨东海 姚林侠 《中国电子科学研究院学报》 2014年第2期140-144,共5页
以Ba(Zn1/3Nb2/3)O3和BaWO4复合的方式,利用固相合成法,制备了(1-x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-xBaWO4复合陶瓷(x=0.1~0.4),XRD表明上述两相能在烧结样品中共存。当x=0.3~0.4,在1 225℃烧结时,可以获得近零温度系数的性能优异的微波介质陶瓷,其... 以Ba(Zn1/3Nb2/3)O3和BaWO4复合的方式,利用固相合成法,制备了(1-x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-xBaWO4复合陶瓷(x=0.1~0.4),XRD表明上述两相能在烧结样品中共存。当x=0.3~0.4,在1 225℃烧结时,可以获得近零温度系数的性能优异的微波介质陶瓷,其介电性能为:εr=27.4~24.0,Q×f=53 800~65 300 GHz,τf=5.0^-2.1 ppm/℃。 展开更多
关键词 复相陶瓷 BA(zn1/3nb2/3)O3 BaWO4 零温度系数
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[001]c极化0.93Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.07PbTiO_3单晶中声表面波传播特性
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作者 李秀明 吴广涛 +2 位作者 徐权 张锐 李玉春 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1222-1226,1253,共6页
利用室温下弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3的材料参数,计算了[001]c极化PZN-7%PT晶体中的声表面波传播特性。结果表明,[001]c极化0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb TiO3单晶具有明显优于传统压电材料的声表面波特性。0.93Pb(Z... 利用室温下弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3的材料参数,计算了[001]c极化PZN-7%PT晶体中的声表面波传播特性。结果表明,[001]c极化0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb TiO3单晶具有明显优于传统压电材料的声表面波特性。0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb Ti O3单晶的声表面波特性随着传播方向发生明显的变化。综合考虑晶体的三种声表面波特性,发现Y切型晶体的综合声表面波性能最好,声表面波机电耦合系数k2值较大,能流角和声表面波自由表面相速度值较小,有望应用于下一代低频声表面波设备中。 展开更多
关键词 0.93Pb(zn1/3nb2/3)O3-0.07PbTiO3 声表面波 机电耦合系数
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