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高温水中添加微量Zn^(2+)对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响
被引量：
1
1
作者
张胜寒
檀玉
梁可心
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第23期2801-2806,共6页
核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相...
核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV,Cr2O3 3.5 eV,FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2eV;在开路电压下,无Zn2+参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应,有Zn2+参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应.Mott-Schottky结果表明,有Zn2+参与生成的氧化膜平带电位较负,相同极化电压下CS-C2(CSC空间电荷电容)值较大.高温水中添加微量Zn2+离子,能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质.光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法.
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关键词
Inconel600合金
氧化膜
半导体性质
zn
注入
高温水
光电化学响应
原文传递
Zn离子注入增强TiO2纳米管光电效应
被引量：
1
2
作者
梁宏
廖斌
+3 位作者
马芙蓉
吴先映
张旭
刘安东
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期903-907,共5页
用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO_2纳米管阵列,用MEVVA源离子束技术在其上进行金属Zn离子的掺杂注入。用电镜观察离子束轰击对TiO_2纳米管阵列结构的影响。研究了掺杂前后TiO_2纳米管阵列在紫外光和可见光区域的光电效应...
用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO_2纳米管阵列,用MEVVA源离子束技术在其上进行金属Zn离子的掺杂注入。用电镜观察离子束轰击对TiO_2纳米管阵列结构的影响。研究了掺杂前后TiO_2纳米管阵列在紫外光和可见光区域的光电效应。用全势线性缀加平面波(FP-LAPW)法讨论了TiO_2纳米管对可见光响应的机理。
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关键词
TIO2纳米管
zn
离子
注入
光电效应
原文传递
题名
高温水中添加微量Zn^(2+)对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响
被引量：
1
1
作者
张胜寒
檀玉
梁可心
机构
华北电力大学环境科学与工程学院
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第23期2801-2806,共6页
基金
国家自然科学基金(No.50971059)
中央高校基本科研业务费(10QX42)资助项目
文摘
核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV,Cr2O3 3.5 eV,FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2eV;在开路电压下,无Zn2+参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应,有Zn2+参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应.Mott-Schottky结果表明,有Zn2+参与生成的氧化膜平带电位较负,相同极化电压下CS-C2(CSC空间电荷电容)值较大.高温水中添加微量Zn2+离子,能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质.光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法.
关键词
Inconel600合金
氧化膜
半导体性质
zn
注入
高温水
光电化学响应
Keywords
Inconel600
oxide film
semiconductor property
zinc addition
high temperature water
photoelectrochemical response
分类号
TL341 [核科学技术—核技术及应用]
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
Zn离子注入增强TiO2纳米管光电效应
被引量：
1
2
作者
梁宏
廖斌
马芙蓉
吴先映
张旭
刘安东
机构
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
北京市辐射中心
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期903-907,共5页
文摘
用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO_2纳米管阵列,用MEVVA源离子束技术在其上进行金属Zn离子的掺杂注入。用电镜观察离子束轰击对TiO_2纳米管阵列结构的影响。研究了掺杂前后TiO_2纳米管阵列在紫外光和可见光区域的光电效应。用全势线性缀加平面波(FP-LAPW)法讨论了TiO_2纳米管对可见光响应的机理。
关键词
TIO2纳米管
zn
离子
注入
光电效应
Keywords
Titania nanotube,
zn
implantation, Photoelectric efficiency
分类号
O59 [理学—应用物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温水中添加微量Zn^(2+)对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响
张胜寒
檀玉
梁可心
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
原文传递
2
Zn离子注入增强TiO2纳米管光电效应
梁宏
廖斌
马芙蓉
吴先映
张旭
刘安东
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
原文传递
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