ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能 被引量：11

1

作者 方国家 王明军 +4 位作者 刘逆霜 李春 艾磊 李军 赵兴中 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期421-424,共4页

采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择... 采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 光致发光 场致电子发射

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掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究 被引量：9

2

作者 唐斌 邓宏 +3 位作者 税正伟 韦敏 陈金菊 郝昕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5176-5179,共4页

采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si(100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的... 采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si(100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373nm,375nm,389nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343eV,束缚激子结合能为0.156eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射峰为377nm,379nm,389nm.其禁带宽度为3.301eV,束缚激子结合能为0.113eV.通过比较发现掺Al增大了ZnO纳米线的禁带宽度. 展开更多

关键词 光致发光 化学气相沉积(CVD) 激子 zno纳米线阵列

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ZnO纳米线阵列湿度传感器研究 被引量：8

3

作者 顾磊磊 郑凯波 +2 位作者 孙大林 莫晓亮 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期352-356,共5页

采用水热法在Au/Ni叉指电极上原位生长出整齐的ZnO纳米线阵列。纳米线的平均直径和长度分别为50 nm和5μm,且沿[0001]方向高度择优生长。测试了基于纳米线阵列的湿敏器件对不同湿度电容和电阻响应,并分析了它的工作机制。实验结果表明,... 采用水热法在Au/Ni叉指电极上原位生长出整齐的ZnO纳米线阵列。纳米线的平均直径和长度分别为50 nm和5μm,且沿[0001]方向高度择优生长。测试了基于纳米线阵列的湿敏器件对不同湿度电容和电阻响应,并分析了它的工作机制。实验结果表明,这些器件具有相对较大的灵敏度和较短的响应和恢复时间,从而说明ZnO纳米线阵列在湿敏领域有很好的应用前景。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 湿度传感器 电容 电阻

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低温CVD法在玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列 被引量：7

4

作者 夏文高 陈金菊 邓宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期258-260,共3页

采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,... 采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO(002)衍射峰。表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量。 展开更多

关键词 化学气相沉积 zno纳米线阵列 低温生长

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退火温度对ZnO纳米线阵列形貌、结构和光学特性的影响 被引量：5

5

作者 殷磊 丁和胜 +3 位作者 袁兆林 任亚杰 张鹏超 邓建平 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期370-376,共7页

为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米线阵列,利用化学浴沉积法,在石英玻璃基底上制备ZnO纳米线阵列,在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵列分别进行400、600和800℃的退火1h处理,利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-... 为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米线阵列,利用化学浴沉积法,在石英玻璃基底上制备ZnO纳米线阵列,在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵列分别进行400、600和800℃的退火1h处理,利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪分别研究了它们的形貌、晶相结构和光学特性。结果显示,退火处理后,ZnO纳米线平均直径有所增加,800℃退火后,相邻ZnO纳米线产生粘结。随着退火温度增加,ZnO纳米线阵列的结晶质量逐渐提高,退火至600℃时,其结晶质量最佳;在可见光区的光学透过率和光学带宽随退火温度增加而下降。未退火和退火400℃的ZnO纳米线阵列,仅在390nm波长处附近出现一个很弱的近带边发射峰,当退火温度在600℃以上时,近带边发射峰迅速增强,并出现一个较弱绿色发光带。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 化学浴沉积法 退火温度 光致发光(PL)

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片上制备横向结构ZnO纳米线阵列紫外探测器件 被引量：4

6

作者 李江江 高志远 +4 位作者 薛晓玮 李慧敏 邓军 崔碧峰 邹德恕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期255-263,共9页

将纳米技术与传统的微电子工艺相结合,片上制备了横向结构氧化锌(Zn O)纳米线阵列紫外探测器件,纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间,再除去斜向的多余纳米线,其余工艺步骤与传统工艺相同.分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金... 将纳米技术与传统的微电子工艺相结合,片上制备了横向结构氧化锌(Zn O)纳米线阵列紫外探测器件,纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间,再除去斜向的多余纳米线,其余工艺步骤与传统工艺相同.分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金属电极的器件结构:由于Cr电极对其上纵向生长的纳米线有抑制作用,导致横向生长纳米线长度可到达对侧电极,光电响应方式为受表面氧离子吸附控制的光电导效应,光电流大但增益低,响应速度慢,经二次电极加固,纳米线根部与电极金属直接形成肖特基接触,光电响应方式变为光伏效应,增益和速度得到了极大改善;由于Au电极对其上纵向生长的纳米线有催化作用,导致溶质资源的竞争,相同时间内横向生长的纳米线不能到达对侧,而是交叉桥接,但却形成了紫外光诱导的纳米线间势垒结高度调控机理,得到的器件特性为最优,在波长为365 nm的20 mW/cm^2紫外光照下,1 V电压时暗电流为10^(-9)A,光增益可达8×10~5,响应时间和恢复时间分别为1.1 s和1.3 s. 展开更多

关键词 紫外探测器 zno纳米线阵列 横向生长 光生载流子

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高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征 被引量：3

7

作者 冯秋菊 冯宇 +7 位作者 梁红伟 王珏 陶鹏程 蒋俊岩 赵涧泽 李梦轲 宋哲 孙景昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期154-158,共5页

在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂Zn... 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。 展开更多

关键词 As掺杂 zno纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光

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ZnO纳米线阵列修饰对材料表面浸润性调控 被引量：1

8

作者 曹建国 罗昊 +2 位作者 焦杨 经光银 白晋涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第15期2083-2086,共4页

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO薄膜,利用溶剂热沉积法获得大面积均匀ZnO纳米线阵列。通过对水在ZnO材料表面的浸润性研究,发现薄膜材料表面的粗糙度对ZnO膜亲水性有增强作用,而周期性ZnO阵列微结构表面可以实现其疏水性质增强效果。同时从... 采用溶胶-凝胶法制备了ZnO薄膜,利用溶剂热沉积法获得大面积均匀ZnO纳米线阵列。通过对水在ZnO材料表面的浸润性研究,发现薄膜材料表面的粗糙度对ZnO膜亲水性有增强作用,而周期性ZnO阵列微结构表面可以实现其疏水性质增强效果。同时从理论上分析了这两种现象的物理机制,讨论了空气填隙对ZnO纳米线阵列表面的浸润性质的敏感性。制备出ZnO纳米线阵列的表观接触角约为103°,具有较强的疏水性质,可为进一步的ZnO光流控研究提供实验基础。 展开更多

关键词 zno薄膜 zno纳米线阵列 粗糙度 浸润性 接触角

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二氧化锡纳米管阵列的可控合成 被引量：1

9

作者 王朝阳 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2016年第1期107-110,共4页

利用ZnO纳米线阵列为模板,在导电衬底上对SnO_2纳米管阵列进行大规模可控合成.合成的样品具有较大的比表面积和优异的导电性,可广泛应用于锂电池、气体传感器等领域.

关键词 SnO2纳米管阵列 zno纳米线阵列 大规模可控合成

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用湿化学法在石英玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列

10

作者 余翔 梁智文 +3 位作者 张龙 黄宝郎 张启华 麦文杰 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期55-57,99,共4页

运用湿化学法在石英玻璃衬底上制备了ZnO纳米线阵列,用SEM、XRD和分光光度计对其形貌、晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明:所制备的ZnO纳米线为六角纤锌矿结构,其直径为60～200nm,长度为0.1～3μm;ZnO纳米线的光致发光(PL)峰值为3... 运用湿化学法在石英玻璃衬底上制备了ZnO纳米线阵列,用SEM、XRD和分光光度计对其形貌、晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明:所制备的ZnO纳米线为六角纤锌矿结构,其直径为60～200nm,长度为0.1～3μm;ZnO纳米线的光致发光(PL)峰值为380nm,在波段为340～380nm时有很强的吸收峰,具有优越的紫外光响应特性;ZnO纳米线阵列具有高度取向性。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 zno薄膜 湿化学法 光致发光

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ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征 被引量：1

11

作者 汤儆 郑晶晶 +2 位作者 徐炜 田晓春 林建航 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2613-2617,共5页

在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上,利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜.然后利用存储有HCI刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分... 在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上,利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜.然后利用存储有HCI刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分别对ITO衬底上的ZnO薄膜的结构、形貌和电化学性质进行表征. 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 电沉积 琼脂糖印章 扫描电化学显微镜

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基于微接触印刷的ZnO紫外传感器特性研究 被引量：1

12

作者 孙永娇 高翻琴 +2 位作者 赵振廷 张文栋 胡杰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第2期50-53,共4页

采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备。利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征... 采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备。利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征,并对制备的ZnO纳米线传感器进行了紫外特性测试。测试结果表明:随着紫外光强度的增加,传感器的光暗电流比和光响应度也随之增加。当紫外传感器偏压在4.5 V时,其光暗电流比为80.8,响应度可达4.05 A/W。 展开更多

关键词 微接触印刷 水热法 zno纳米线阵列 紫外传感器

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ZnO纳米线阵列的生长机制 被引量：1

13

作者 安春霞 姜威 魏平 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2009年第5期64-67,共4页

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线... 通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线图谱和X射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制. 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 化学气相沉积 生长机制

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Ag_3PO_4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂的研制及光催化降解罗丹明B研究 被引量：1

14

作者 刘家玮 许诺 +3 位作者 代志远 杨炜光 杨骐铭 罗艳 《江西化工》 2014年第2期73-77,共5页

水热法制备了ZnO纳米线阵列后,用逐级化学浴沉积法将Ag3PO4沉积在阵列上形成Ag3PO4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂。运用XRD、SEM、EDS、紫外-可见漫反射光谱、光电流性能测试、光催化降解等技术手段对Ag3PO4/ZnO纳米线阵列的形貌结构、光... 水热法制备了ZnO纳米线阵列后,用逐级化学浴沉积法将Ag3PO4沉积在阵列上形成Ag3PO4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂。运用XRD、SEM、EDS、紫外-可见漫反射光谱、光电流性能测试、光催化降解等技术手段对Ag3PO4/ZnO纳米线阵列的形貌结构、光电性能等进行表征。探讨了逐级化学浴沉积Ag3PO4的次数对其光催化效率的影响。光电性能测试表明,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列具有比纯ZnO纳米线阵列更高的光生电流密度,光响应更好。与纯ZnO纳米线阵列相比,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列材料对罗丹明B的光降解效率显著提高,降解速度是纯ZnO纳米线阵列的7.7倍,沉积5次的复合阵列的光催化活性最高。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 Ag3PO4 光催化降解 罗丹明B

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反应源温度对ZnO纳米线阵列定向性及发光性能的影响

15

作者 赵勇 陈贤 +4 位作者 刘兵发 程国安 唐建成 方利广 盛广沪 《真空》 CAS 2012年第2期66-70,共5页

以Au薄膜为催化剂、ZnO与碳混合粉末为反应源,采用碳热还原法在单晶Si衬底上制备了ZnO纳米线阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计对样品的表征,研究了反应源温度对ZnO纳米线阵列的定向性和光致发光性能的... 以Au薄膜为催化剂、ZnO与碳混合粉末为反应源,采用碳热还原法在单晶Si衬底上制备了ZnO纳米线阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计对样品的表征,研究了反应源温度对ZnO纳米线阵列的定向性和光致发光性能的影响。样品在源温度920℃条件下沿(002)方向择优生长,定向性最好,温度过低不利于ZnO纳米线阵列密集生长,而温度过高导致Zn原子二次蒸发,因而也不利于纳米线阵列的定向和择优生长;样品在源温度880℃有最强的近紫外带边发射,表明温度过高和过低都不利于ZnO晶体结构的优化;由于ZnO纳米线在缺氧氛围下生长,氧空位是缺陷存在的主要形式,因此所有样品都有较强的绿光发射。温度升高导致纳米线生长速度提高而增加了氧空位缺陷数量,从而使样品绿峰强度增强并在源温度920℃时达最大值,但温度的进一步升高可导致ZnO纳米线表面Zn元素的蒸发而降低氧空位缺陷的数量,从而抑制绿峰强度。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 温度 定向性 光致发光

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ZnO纳米线阵列/PVK光电二极管制备与特性

16

作者 袁兆林 王燕 +2 位作者 何龙旺 任亚杰 帅春江 《陕西理工学院学报（自然科学版）》 2016年第3期83-86,92,共5页

采用水热方法在氧化铟锡（ITO）涂覆的玻璃基底上生长出良好取向排列的氧化锌（ZnO）纳米线阵列,采用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射仪（XRD）分别测试ZnO纳米线阵列的形貌和晶相结构。测试结果表明：在基底上形成致密、良... 采用水热方法在氧化铟锡（ITO）涂覆的玻璃基底上生长出良好取向排列的氧化锌（ZnO）纳米线阵列,采用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射仪（XRD）分别测试ZnO纳米线阵列的形貌和晶相结构。测试结果表明：在基底上形成致密、良好取向排列的ZnO纳米线阵列,纳米线的直径为40～50 nm,长度在200～300 nm,具有六方纤锌矿结构。进一步与p型聚乙烯咔唑（PVK）混合,形成p-n异质结器件,研究该器件在暗态和光照下的电流密度-电压（J-V）特性。结果显示：该器件为光电二极管,在暗态和光照下的整流率分别为216和110。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 水热法 光电二极管 整流率

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脉冲激光诱导下ZnO纳米线阵列中非平衡载流子的扩散理论

17

作者 高美玲 程汉 罗昊 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期397-399,共3页

为解决脉冲激光激发均匀半导体材料ZnO纳米线中所产生的非平衡载流子在一维情况下时间、空间的演化理论模型。采用级数展开法,求解非平衡载流子连续性方程,确定载流子随坐标和时间变化的解析解,并结合溶液法制备出的ZnO纳米线阵列,讨论... 为解决脉冲激光激发均匀半导体材料ZnO纳米线中所产生的非平衡载流子在一维情况下时间、空间的演化理论模型。采用级数展开法,求解非平衡载流子连续性方程,确定载流子随坐标和时间变化的解析解,并结合溶液法制备出的ZnO纳米线阵列,讨论在激发波长360纳米的激光激发下非平衡载流子浓度时空关系。所提出的级数展开求解法与经典的傅里叶方法,以及本征函数法得到的结果是一致的,并可用于确立脉冲激光诱导的非平衡载流子浓度扩散动力学。 展开更多

关键词 扩散 非平衡载流子 激光脉冲诱导 zno纳米线阵列

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CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极的制备及光电化学性能研究

18

作者 毛永强 王继仁 李娜 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期52-54,共3页

采用电沉积法将CdS和CdSe纳米颗粒沉积在ZnO纳米线阵列上得到CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪等对所得样品结构和形貌进行表征,并通过紫外-可见分光光度计和电化学工作站测试其光吸收性能... 采用电沉积法将CdS和CdSe纳米颗粒沉积在ZnO纳米线阵列上得到CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪等对所得样品结构和形貌进行表征,并通过紫外-可见分光光度计和电化学工作站测试其光吸收性能和光电化学性能。结果发现,相对纳米颗粒单敏化CdS/ZnO光电极而言,纳米颗粒共敏化CdSe/CdS/ZnO光电极具有更好的可见光吸收性能,进而提高短路电流密度和光电转换效率分别到9.56mA/cm2和1.89%。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列 电沉积法 CdS/CdSe纳米颗粒共敏化 光电化学性能

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基于ZnO纳米线阵列和P3HT的混合光电二极管特性 被引量：5

19

作者 袁兆林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期36-41,共6页

为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列(ZNWA),然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己基噻吩(P3HT)层,形成结构为ITO/ZNWA/P3HT/Ag的光电二极管。系... 为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列(ZNWA),然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己基噻吩(P3HT)层,形成结构为ITO/ZNWA/P3HT/Ag的光电二极管。系统研究了此光电二极管在暗态和在太阳模拟器的光照下的电流-电压(I-V)特性。实验结果表明,器件在暗态和光照下都表现出良好的二极管特性。暗态下,在偏压±2V处的整流率为3 211,理想因子为1.8、低开启电压为0.5V和反偏饱和电流为1.13×10-7 A。在20mW/cm2光照下,在偏压±2V处的整流率为39.1、开启电压为0.3V。器件中产生了大量的光生载流子,根据器件的能级结构图和光生载流子的输运过程对此光电二极管的光响应机理进行了解释。 展开更多

关键词 zno纳米线阵列(ZNWA) 化学浴沉积法 光电二极管 整流率

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自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质 被引量：2

20

作者 王许杰 方芳 +4 位作者 楚学影 方铉 李金华 魏志鹏 王晓华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期306-311,共6页

利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO... 利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究。研究结果显示:这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质,在低温(85 K)下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰,通过理论公式计算受主结合能为118 meV。在变温光致发光光谱中,FA发射峰位随温度的变化符合理论模型。 展开更多

关键词 水浴法 自支撑 Ag掺杂zno花状纳米线阵列 光学性质

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