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高电压梯度的ZnO变阻器 被引量:7
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作者 陈洪存 肖鸣山 吴良学 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1993年第4期27-29,共3页
通过超细粉碎和低温烧结工艺.制造成了具有高电压梯度的ZnO变阻器.本文简要报告高电压梯度的ZnO变阻器的制造工艺和性能.
关键词 zno变阻器 高电压梯度 变阻器
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提高ZnO变阻器电性能的研究 被引量:2
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作者 翟维琴 姚政 +2 位作者 金继华 祝铭 郑嘹赢 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1758-1761,1764,共5页
ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用。本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂。并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流... ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用。本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂。并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流冲击等电性能有了大幅度的改善。 展开更多
关键词 zno变阻器 残压比 高阻层 通流容量 振动磨 行星磨
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掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究
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作者 杨明珠 吕树臣 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2006年第2期48-52,共5页
本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电... 本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电性能的影响.当SnO2含量增加时,漏电流明显增大;而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系,且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度(1.0 mol%).SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响.添加适当含量的B i2O3会提高变阻器的电性能,而过量时则会使变阻器性能劣化.我们得到了漏电流为0.34 A,非线性系数为62,压敏电压为1063V1 mA/mm性能良好的变阻器. 展开更多
关键词 zno变阻器 掺杂SnO2 微观结构 压敏电压
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Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响
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作者 杨明珠 牟海维 吕树臣 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期149-152,共4页
本文采用沉淀法以SnCl2.H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大;而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol%时达到极大值。通过适当的掺杂,得到了漏电流为0... 本文采用沉淀法以SnCl2.H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大;而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol%时达到极大值。通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器。 展开更多
关键词 zno变阻器 Sn掺杂 电性能
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Influence of grain size on distribution of temperature and thermal stress in ZnO varistor ceramics 被引量:12
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作者 陈青恒 何金良 +3 位作者 谈克雄 陈水明 严民昱 唐建新 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2002年第4期337-347,共11页
The nonuniformity of temperature distribution within ZnO varistor ceramics would decrease its energy absorption capability. In this paper, the distributions of current, temperature and thermal stress within the micros... The nonuniformity of temperature distribution within ZnO varistor ceramics would decrease its energy absorption capability. In this paper, the distributions of current, temperature and thermal stress within the microstructures of ZnO varistor ceramics are simulated using Voronoi diagram models. The results show that the current concentrates through a few paths in ZnO varistor due to the nonuniformity of ZnO grain size and the variety of electrical characteristics of grain boundaries, which induces local high temperature and great thermal stress when injecting impulse current into ZnO varistor, and leads to melting puncture or cracking failure. The influence of the ZnO grain size on the distributions of temperature and thermal stress within ZnO varistor ceramics is analyzed in detail. The energy absorption capability of ZnO varistor ceramics can be greatly improved by increasing the uniformity of ZnO grain size or decreasing the average size of ZnO grains. 展开更多
关键词 zno varistor ceramics Voronoi diagram CURRENT TEMPERATURE thermal stress
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