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用纳米Al_2O_3制备超高致密度ZAO靶材 被引量：8
1
作者 范锦鹏 赵大庆 +1 位作者 吴敏生 董民超 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期44-47,共4页
将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯... 将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯体同步均匀的烧结 ,避免了大气孔的产生。 展开更多
关键词 纳米级 致密度 无压烧结 粒径 纳米AL2O3 靶材 制备 气孔 粒子 比表面积
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高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析 被引量：8
2
作者 许积文 王华 +1 位作者 任明放 杨玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1457-1459,1463,共4页
以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO∶Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω.cm数量级。高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,... 以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO∶Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω.cm数量级。高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少。低电阻率在于Al3+对Zn2+替代产生的自由电子。同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关。 展开更多
关键词 zao靶材 纳米粉体 致密度 电阻率 黑点
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氧化锌铝(ZAO)陶瓷靶材制备及其薄膜性能 被引量：5
3
作者 杨伟方 梁展鸿 +2 位作者 侯亚奇 庄大明 张弓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期59-63,共5页
溶胶-凝胶方法制备的ZnO和Al2O3混合粉末经冷压预成型加真空低压烧结,制备了高致密度(相对密度99%)、低成本的ZAO陶瓷靶材。研究了ZAO靶材与无氧铜的粘接性能。用中频交流磁控溅射ZAO靶材的工艺制备了ZAO薄膜。利用SEM和XRD分析测试了... 溶胶-凝胶方法制备的ZnO和Al2O3混合粉末经冷压预成型加真空低压烧结,制备了高致密度(相对密度99%)、低成本的ZAO陶瓷靶材。研究了ZAO靶材与无氧铜的粘接性能。用中频交流磁控溅射ZAO靶材的工艺制备了ZAO薄膜。利用SEM和XRD分析测试了陶瓷靶材断口形貌以及靶材和薄膜的结构。试验结果表明:制得的ZAO靶材具有良好的粘接性和溅射性能,内部组织致密,靶材中有明显的ZnAl2O4相。在优化沉积工艺条件下,制备的ZAO薄膜方块电阻为35Ω,电阻率可达3.84×10-4Ω.cm,可见光透过率(λ=550 nm)可达91.1%。沉积态的ZAO薄膜具有很好的结晶性,并呈现(002)择优取向。ZAO薄膜有明显的紫外吸收限,带隙Eg约为3.76 eV。ZAO靶材的工业化磁控镀膜试验也取得了较好的结果。 展开更多
关键词 zao 陶瓷靶材 薄膜 磁控溅射 电阻率 透过率
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ZAO薄膜使用射频溅射法生长之参数的研究 被引量：2
4
作者 耿茜 汪建华 王升高 《应用化工》 CAS CSCD 2006年第12期910-912,917,共4页
以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明... 以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明,制备薄膜的最佳条件为:溅射压强0.4 Pa,溅射功率200 W,基片温度300℃。 展开更多
关键词 zao陶瓷靶材 zao薄膜 RF溅射 XRD 原子力显微镜
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衬底温度对ZnO：Al薄膜结构和性能的影响 被引量：5
5
作者 徐玮 于军 +2 位作者 王晓晶 袁俊明 雷青松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期665-668,共4页
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和... 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。 展开更多
关键词 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 zao薄膜
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氧化锌铝（ZAO）靶材的制备及性能研究 被引量：5
6
作者 杨晓峰 李强 +2 位作者 鲜晓斌 蒋春丽 邓广平 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 2009年第1期350-352,共3页
采用冷等静压成型（CIP）、低真空烧结和热等静压（HIP）烧结技术制备ZAO靶材，采用排水法、SEM、XRD、光谱发射法（ICPOES）分析了2种烧结方法制备的ZAO靶材的密度、结晶状态和组织成分。结果表明，ZAO细粉经压力造粒后，CIP成型压坯... 采用冷等静压成型（CIP）、低真空烧结和热等静压（HIP）烧结技术制备ZAO靶材，采用排水法、SEM、XRD、光谱发射法（ICPOES）分析了2种烧结方法制备的ZAO靶材的密度、结晶状态和组织成分。结果表明，ZAO细粉经压力造粒后，CIP成型压坯相对密度可达75％以上，该压坯经低真空高温烧结，相对密度达到95％，而采用HIP低温烧结的靶材可达到98％以上，靶材结晶完整，组织成分均匀。 展开更多
关键词 zao靶材 冷等静压 热等静压 致密性
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靶材自制ZAO薄膜的制备与光电性能 被引量：3
7
作者 江民红 刘心宇 李海麒 《微细加工技术》 EI 2008年第1期21-25,共5页
采用传统陶瓷烧结工艺,制得性能良好的Al掺杂ZnO陶瓷靶。以此靶为溅射源,利用射频磁控溅射法制备ZAO薄膜,着重研究了400℃保温2 h重复退火次数对ZAO薄膜的组织结构及光电性能的影响。结果表明,随着重复退火次数的增加,薄膜晶体结构保持... 采用传统陶瓷烧结工艺,制得性能良好的Al掺杂ZnO陶瓷靶。以此靶为溅射源,利用射频磁控溅射法制备ZAO薄膜,着重研究了400℃保温2 h重复退火次数对ZAO薄膜的组织结构及光电性能的影响。结果表明,随着重复退火次数的增加,薄膜晶体结构保持不变,薄膜结晶质量提高,但晶格尺寸逐渐变小;同时,随着退火次数增加,样品的平均透光率虽稍下降,但所有样品的透光率仍保持在80%以上,呈现良好的透光性;除经3次重复退火的样品外,退火使其它样品的紫外吸收边从375 nm附近移至360 nm左右;重复退火次数的增加使样品的电阻率先明显降低,再有较大的回升,之后又降低,当重复退火两次时,电阻率降至最低,为8.5×10-4Ω.cm。对上述现象、结果及机理进行了详细讨论。 展开更多
关键词 陶瓷靶 zao薄膜 射频磁控溅射 循环退火 电阻率 透光率
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高导电性ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备 被引量：13
8
作者 龙涛 朱德贵 王良辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期31-34,共4页
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组... 用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组织结构及靶材的电学、力学性能和薄膜制备的主要实验参数对其光、电性能的影响。 展开更多
关键词 陶瓷靶材 zao透明导电薄膜 热等静压 直流磁控溅射
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基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究 被引量：12
9
作者 肖华 王华 任鸣放 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期158-164,共7页
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3... 阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。 展开更多
关键词 磁控溅射 zao透明导电薄膜 溅射靶材 光电特性
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溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响
10
作者 陆峰 徐成海 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期586-590,共5页
采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射... 采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80%,最低电阻率为4.5×10^(-4)Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求。 展开更多
关键词 zao薄膜 直流反应溅射 溅射功率 靶基距
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