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平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能 被引量：3
1
作者 王岭 潘礼庆 +2 位作者 孙加林 洪彦若 赵月娥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期641-643,共3页
研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后，薄膜表面致密均匀，无裂纹，薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率，... 研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后，薄膜表面致密均匀，无裂纹，薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率，完全可以作为固体电解质使用。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 ysz薄膜 制备 性能
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Y_2O_3稳定ZrO_2薄膜的结构和光学特性 被引量：4
2
作者 吴师岗 张红鹰 +3 位作者 夏志林 田光磊 邵建达 范正修 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1092-1096,共5页
用电子束蒸发法制备出四种不同Y2O3含量的Y2O3稳定ZrO2(YSZ)薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定薄膜的结构和光学性能.结果表明:随着Y2O3含量的增加,ZrO2薄膜从单斜相向高温相(四方相和立方相)转变,获得了结构稳定的YSZ薄膜;YSZ薄膜的晶粒... 用电子束蒸发法制备出四种不同Y2O3含量的Y2O3稳定ZrO2(YSZ)薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定薄膜的结构和光学性能.结果表明:随着Y2O3含量的增加,ZrO2薄膜从单斜相向高温相(四方相和立方相)转变,获得了结构稳定的YSZ薄膜;YSZ薄膜的晶粒尺寸都比ZrO2薄膜的大,但随着Y2O3加入量的增加,晶粒尺寸有减小的趋势,薄膜表面也趋向光滑平整.所有YSZ薄膜的透射谱线都与ZrO2薄膜相似,在可见光和红外光区都有较高的透过率.Y2O3的加入还可以改变薄膜的折射率,在一定范围内可得到所需的任意折射率. 展开更多
关键词 ysz薄膜 Y2O3含量 结构 光性
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阳极对YSZ薄膜SOFC性能的影响 被引量：1
3
作者 陈孔发 吕喆 +1 位作者 艾娜 苏文辉 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期143-144,共2页
研究了两种阳极对YSZ薄膜固体氧化物燃料电池(SOFC)性能的影响。NiO-YSZ阳极和NiO-SDC-YSZ阳极支撑的YSZ薄膜电池,在800℃时的开路电压分别为1.09 V和0.87 V,最大功率密度分别为0.86 W/cm2和0.16 W/cm2。NiO-SDC-YSZ阳极电池的电极总阻... 研究了两种阳极对YSZ薄膜固体氧化物燃料电池(SOFC)性能的影响。NiO-YSZ阳极和NiO-SDC-YSZ阳极支撑的YSZ薄膜电池,在800℃时的开路电压分别为1.09 V和0.87 V,最大功率密度分别为0.86 W/cm2和0.16 W/cm2。NiO-SDC-YSZ阳极电池的电极总阻抗比NiO-YSZ阳极电池的高出58%。 展开更多
关键词 NiO-ysz阳极 NiO-SDC-ysz阳极 SOFC 浆料旋涂法 ysz薄膜
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YSZ薄膜的制备及应用 被引量：1
4
作者 潘礼庆 王岭 +1 位作者 孙加林 洪彦若 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期372-376,共5页
研究了在NASICON基板上使用溅射法制备的YSZ薄膜的结构、晶相和导电性 ,实验表明 ,刚制备的YSZ薄膜经 75 0℃常规退火处理后 ,薄膜表面致密、均匀、无裂纹 ,具备良好的导电性能。YSZ NASICON组合再加上Ba(NO3) 2 辅助电极构成的NOX气体... 研究了在NASICON基板上使用溅射法制备的YSZ薄膜的结构、晶相和导电性 ,实验表明 ,刚制备的YSZ薄膜经 75 0℃常规退火处理后 ,薄膜表面致密、均匀、无裂纹 ,具备良好的导电性能。YSZ NASICON组合再加上Ba(NO3) 2 辅助电极构成的NOX气体传感器在 45 0℃下响应迅速 (响应时间约为 3min)、稳定 ,能检测到 1 0ppm量级的NO2 气体。 展开更多
关键词 ysz薄膜 电导率 气体传感器 溅射镀膜 制备
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同质外延YSZ薄膜的制备与结构表征
5
作者 李俊宝 杨丽 周益春 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第3期56-61,共6页
利用脉冲激光沉积在YSZ[100]基底上同质外延生长不同组分的YSZ薄膜.研究发现,当生长温度为300℃时,薄膜为非晶态,而在温度为650℃时,掺杂10%氧化钇(摩尔分数)的YSZ具有立方结构,而掺杂6%和8%氧化钇的YSZ薄膜同时具有立方和四方结构.通... 利用脉冲激光沉积在YSZ[100]基底上同质外延生长不同组分的YSZ薄膜.研究发现,当生长温度为300℃时,薄膜为非晶态,而在温度为650℃时,掺杂10%氧化钇(摩尔分数)的YSZ具有立方结构,而掺杂6%和8%氧化钇的YSZ薄膜同时具有立方和四方结构.通过调控生长工艺条件,以及利用具有不同组分的薄膜与基底来构造不同的应变状态,可以制备具有不同结构的YSZ外延薄膜. 展开更多
关键词 ysz薄膜 PLD 同质外延
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YSZ/YSZ-NiO电解质薄膜在低温条件下的电学特性研究
6
作者 康振锋 郑平平 +5 位作者 薄青瑞 许彦彬 刘华艳 苏海莹 贾晓静 丁铁柱 《真空》 CAS 2015年第5期35-38,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法,在多孔支撑的NiO-YSZ阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现,YSZ电解质薄膜在300-500℃之间,其电导活化能最小值... 采用脉冲激光沉积(PLD)法,在多孔支撑的NiO-YSZ阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现,YSZ电解质薄膜在300-500℃之间,其电导活化能最小值为0.86e V,电导率可达到7.96×10-5s/cm。 展开更多
关键词 低温固体氧化物燃料电池 电导率 AC交流阻抗谱 ysz薄膜 PLD
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流延法制备8YSZ薄膜 被引量：3
7
作者 文有强 刘宁 +2 位作者 李凯 陈涵 郭露村 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2012年第1期26-30,共5页
采用非水基流延法制备了8mol%氧化钇稳定氧化锆薄膜,研究了球磨时间、固含量、有机添加剂含量及除泡工艺对8YSZ浆料流变性能的影响,通过SEM表征烧结体表面形貌,用电化学阻抗仪对烧结体进行电导率测试。结果表明:分散剂用量1.25wt%,球磨... 采用非水基流延法制备了8mol%氧化钇稳定氧化锆薄膜,研究了球磨时间、固含量、有机添加剂含量及除泡工艺对8YSZ浆料流变性能的影响,通过SEM表征烧结体表面形貌,用电化学阻抗仪对烧结体进行电导率测试。结果表明:分散剂用量1.25wt%,球磨时间15h,浆料的粘度最小,分散效果最好;增塑剂与粘结剂比例为0.7,粘结剂加入量6.5～8.5wt%,二次球磨后,真空除泡可获得适合流延的浆料;生坯1450℃烧结4h,烧结体晶界清晰、致密度较好;烧结体在300～800℃随温度的升高电导率逐渐增大,在800℃时离子电导率达0.046S/cm。 展开更多
关键词 8ysz薄膜 流延 流变性能 电导率
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溅射法制备的YSZ薄膜电性能
8
作者 马景廷 王岭 《河北理工学院学报》 1999年第4期58-61,共4页
应用交流阻抗谱技术研究了用射频磁控溅射法在Ａｌ２Ｏ３ 基板上制备的ＹＳＺ薄膜电性能。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ薄膜经６００℃以上热处理后具有较高的电导率，完全可以作为固体电解质使用。
关键词 射频磁控溅射法 ysz薄膜 电性能 固体电解质薄膜
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YSZ纳米粉料流延成型电解质薄膜性能研究 被引量：6
9
作者 韩敏芳 彭苏萍 +2 位作者 杨翠柏 王玉倩 李伯涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期540-542,共3页
　探索了以YSZ纳米粉体为原料,采用流延成型的方法制备YSZ电解质薄膜的工艺过程,具体探讨了不同粒度粉体流延后坯体的性能,结果表明,纳米范围内颗粒粒度粗可以获得致密度较高的坯体。但在烧结过程中,细粒度粉料表现出更好的性能,实验制... 　探索了以YSZ纳米粉体为原料,采用流延成型的方法制备YSZ电解质薄膜的工艺过程,具体探讨了不同粒度粉体流延后坯体的性能,结果表明,纳米范围内颗粒粒度粗可以获得致密度较高的坯体。但在烧结过程中,细粒度粉料表现出更好的性能,实验制备的YSZ电解质薄膜的面积比电阻在1123K,比德国D样品大幅度下降。573～1023K的阻抗谱显示出实验制备的YSZ电解质试样的晶粒、晶界和电极处的阻抗都明显降低,综合性能明显优于国外同类产品。流延成型工艺可以获得尺寸为100mm×100mm×0.125mm的8YSZ电解质薄片,这为平板式SOFC在中国的快速发展做好了材料上的准备。 展开更多
关键词 ysz 纳米粉料 流延成型 电解质薄膜 性能 固体氧化物燃料电池
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可用于氧气传感器的新型高离子电导YSZ薄膜制备方法
10
作者 马可贞 张靖松 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期24-30,共7页
基于微机电系统的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜氧气传感器因其小型化、集成化优势而成为新一代氧气传感器的最佳技术路线.集成化小型化的关键在于获取工作温度低,离子电导率高的YSZ薄膜.本工作探究了脉冲激光沉积技术在降低YSZ薄膜工作温... 基于微机电系统的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜氧气传感器因其小型化、集成化优势而成为新一代氧气传感器的最佳技术路线.集成化小型化的关键在于获取工作温度低,离子电导率高的YSZ薄膜.本工作探究了脉冲激光沉积技术在降低YSZ薄膜工作温度和提高其离子电导率方面的应用;通过在高真空下采用脉冲激光沉积技术,多次沉积与原位氧退火交替实施获取了厚度约为200 nm的YSZ薄膜,分析了沉积与退火温度对薄膜结构、成分、电学性能和氧气气敏性能的影响.此外,本文还验证了氧离子在氧空位中传输是薄膜的主要传导机制,且具有较低的氧离子激活能0.227 eV,最后进行了氧气敏感测试.结果表明:采用PLD法可将YSZ薄膜的工作温度从1073 K降低至873 K,这为基于MEMS的微型YSZ薄膜氧气传感器的研发进行了有效探索. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ysz薄膜 离子电导 氧气敏感特性
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