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微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析 被引量：12
1
作者 丁万昱 徐军 +4 位作者 李艳琴 朴勇 高鹏 邓新绿 董闯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1363-1368,共6页
利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiN... 利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低. 展开更多
关键词 SINX 磁控溅射 傅里叶变换红外吸收光谱 x射线电子谱
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一种Fe—Mn—Cr奥氏体合金钝化膜的AES／XPS研究 被引量：1
2
作者 朱雪梅 钟曙晖 张彦生 《大连铁道学院学报》 1996年第1期55-59,共5页
以俄歇电子谱仪与Ｘ射线光电子谱仪研究了Ｆｅ—２３Ｍｎ一５Ｃｒ合金表面在ＩＭＮａ２ＳＯ４水溶液中所形成的钝化膜．实验结果说明：①钝化膜的外层富含氧，钝化膜的中层富含铬与锰；②在钝化膜中，铬、锰与铁分别呈Ｃｒ３＋，Ｍｎ３... 以俄歇电子谱仪与Ｘ射线光电子谱仪研究了Ｆｅ—２３Ｍｎ一５Ｃｒ合金表面在ＩＭＮａ２ＳＯ４水溶液中所形成的钝化膜．实验结果说明：①钝化膜的外层富含氧，钝化膜的中层富含铬与锰；②在钝化膜中，铬、锰与铁分别呈Ｃｒ３＋，Ｍｎ３＋，Ｆｅ３＋及Ｆｅ０，氧形成Ｍ—Ｏ键；③钝化膜很可能由Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３与微量金属铁混合组成． 展开更多
关键词 奥氏体合金 钝化膜 俄歇电子能谱 x射线电子谱
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Yb_(2.75)C_(60)价带光电子能谱
3
作者 李宏年 何少龙 李海洋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期244-247,共4页
用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带... 用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带的杂化效应不可忽略 ,有部分Yb 6s电子分布在Yb C6 0 杂化能带上 . 展开更多
关键词 光电子能谱 电子态密度 镱 费米能级 稀土化合物超导体 晶体结构 x射线电子谱 杂化效应
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掺钨二氧化钒薄膜的制备与分析 被引量：15
4
作者 刘向 崔敬忠 +1 位作者 梁耀廷 李智 《真空与低温》 2004年第2期85-88,共4页
通过调研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法。在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜。对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺... 通过调研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法。在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜。对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺钨后薄膜的近红外透射率也随之减小。通过X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的微观结构和组分进行了分析。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 磁控溅射法 个数 相变温度 VO2 数量级 透射率 x射线光电子谱 硅片 电学性能
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镀锡钢板铬酸盐钝化膜的X射线光电子谱分析 被引量：11
5
作者 齐国超 贡雪南 +1 位作者 孙德恩 刘春明 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期875-878,共4页
使用X射线光电子能谱(XPS)全元素扫描分析方法对镀锡钢板铬酸盐钝化膜的成分进行了分析研究.结果表明,组成钝化膜的主要元素为Cr,O,Sn和C.通过Ar+溅射对钝化膜进行深度剖析表明,C元素来自于表面的污染而不是膜层本身;Cr和O元素随着Ar+... 使用X射线光电子能谱(XPS)全元素扫描分析方法对镀锡钢板铬酸盐钝化膜的成分进行了分析研究.结果表明,组成钝化膜的主要元素为Cr,O,Sn和C.通过Ar+溅射对钝化膜进行深度剖析表明,C元素来自于表面的污染而不是膜层本身;Cr和O元素随着Ar+溅射的进行含量逐渐降低,而Sn元素的含量却逐渐增加.溅射约360 s后,Sn元素的含量已达到了80%以上,此时所对应的钝化膜的厚度约为20 nm.通过窄幅扫描对钝化膜的相组成进行了分析,结果表明钝化膜主要由Cr(OH)3,Cr2O3,Sn及其氧化物构成. 展开更多
关键词 x射线光电子谱 镀锡钢板 钝化膜 全元素扫描 窄幅扫描
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O_2在U和U-Nb合金表面吸附的XPS研究 被引量：9
6
作者 伏晓国 刘柯钊 +3 位作者 汪小琳 柏朝茂 赵正平 蒋春丽 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期575-578,共4页
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析研究了２９８ Ｋ时Ｏ２在金属Ｕ和 Ｕ－Ｎｂ合金清洁表面的原位吸附过程，作为对照还研究了在纯 Ｎｂ表面的吸附吸附各阶段 ＸＰＳ图谱的变化揭示了Ｏ２在Ｕ，Ｎｂ和 Ｕ－Ｎｂ合金表面的吸附将导致... 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析研究了２９８ Ｋ时Ｏ２在金属Ｕ和 Ｕ－Ｎｂ合金清洁表面的原位吸附过程，作为对照还研究了在纯 Ｎｂ表面的吸附吸附各阶段 ＸＰＳ图谱的变化揭示了Ｏ２在Ｕ，Ｎｂ和 Ｕ－Ｎｂ合金表面的吸附将导致ＵＯ２； ＮｂＯ和 Ｎｂ２Ｏ５等多种产物形成定量分析表明，Ｏ２在 Ｕ和 Ｕ－Ｎｂ合金表面的饱和吸附量大约分别为４５Ｌ和４０Ｌ（１Ｌ＝１．３３×１０－４　Ｐａ·ｓ），而Ｏ２在金属Ｎｂ上的饱和吸附量仅约为１０Ｌ． 展开更多
关键词 表面吸附 x射线光电子谱 铀 铀铌合金 氧气 腐蚀
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递进式脉冲激光沉积CN_x薄膜的组织结构与摩擦学特性 被引量：9
7
作者 郑晋翔 郑晓华 +2 位作者 沈涛 杨芳儿 宋仁国 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期155-160,共6页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线光电子谱仪(XPS)等对薄膜的形貌、化学成分和微观结构进行了表征。采用球-盘式磨损试验机在大气(相... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线光电子谱仪(XPS)等对薄膜的形貌、化学成分和微观结构进行了表征。采用球-盘式磨损试验机在大气(相对湿度48%～54%)环境下测试了薄膜的摩擦学特性。结果表明,递进式PLD技术可显著提高CNx薄膜的含氮量。当激光通量从5.0J/cm2提高至10.0J/cm2时,薄膜含氮原子数分数由23.8%上升至29.9%,膜中N-sp2 C键的含量上升,N-sp3 C键和sp3 C-C键的含量下降,薄膜的磨损率从2.1×10-15 m3/(N.m)上升至9.0×10-15 m3/(N.m)。摩擦系数为0.15～0.23,激光通量5.0J/cm2沉积的薄膜有最佳摩擦学性能。 展开更多
关键词 薄膜 氮化碳 脉冲激光沉积 摩擦与磨损 x射线光电子谱
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氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化 被引量：5
8
作者 祝洪良 杨德仁 +4 位作者 汪雷 裴艳丽 阙端麟 张寒洁 何丕模 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1049-1052,共4页
研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保... 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于 110 0℃的条件下 ,氮气才能与硅表面发生反应 ,生成氮化硅 (Si3 N4 )薄膜 ,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应 ,生成二氧化硅 (SiO2 )薄膜 . 展开更多
关键词 氮化硅 x射线光电子谱 氮化
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新型半导体清洗剂的清洗工艺 被引量：6
9
作者 曹宝成 于新好 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期777-781,共5页
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度... 报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定 ,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在 ,一般DGQ 1、DGQ 2的配比浓度在 90 %到 98%之间 ;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时 ,增溶能力最强 ,因而清洗液的温度定在 6 0℃ . 展开更多
关键词 半导体 清洗剂 清洗工艺 红外吸收谱 x射线光电子谱
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电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化 被引量：5
10
作者 王晓强 栗军帅 +3 位作者 陈强 祁菁 尹旻 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期269-273,共5页
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种... 利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高 ,而且具有良好的 ( 111)结晶取向性 ,晶粒尺寸大于30 0nm ,样品中无Al的残留 .结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理 . 展开更多
关键词 低温生长 电感耦合等离子体 x射线光电子谱 硅薄膜 衬底 分光 CVD 电子密度 结晶取向 晶化
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丁二酸改性电子墨水用球形SiO_2颗粒的FTIR及XPS分析 被引量：5
11
作者 伍媛婷 王秀峰 +1 位作者 王列松 程冰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期649-654,共6页
采用丁二酸对球状亚微米级SiO2颗粒进行表面改性,以提高SiO2颗粒于四氯乙烯溶剂中的电泳性能,制备适于电子墨水用的白色电泳颗粒。利用傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱(XPS)和Zeta电位粒度仪,研究了丁二酸改性SiO2颗粒的表面键合... 采用丁二酸对球状亚微米级SiO2颗粒进行表面改性,以提高SiO2颗粒于四氯乙烯溶剂中的电泳性能,制备适于电子墨水用的白色电泳颗粒。利用傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱(XPS)和Zeta电位粒度仪,研究了丁二酸改性SiO2颗粒的表面键合情况及其在四氯乙烯溶剂中的Zeta电位变化情况。研究发现,丁二酸仅有一端的羧基与SiO2颗粒表面的羟基发生酯化反应,而且当丁二酸的用量为3g(50mL乙腈中)时,接枝于SiO2颗粒表面的丁二酸的量达到最大值,此时C1s(O—CO)/Si(原子比)有最大值为5.77×10-2。Zeta电位测试结果表明,丁二酸改性后的SiO2颗粒在四氯乙烯中的Zeta电位比改性前的SiO2颗粒提高了约5.5倍。 展开更多
关键词 电子墨水 二氧化硅 表面改性 傅立叶红外光谱 x射线光电子谱
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脉冲激光沉积CN_x薄膜的微观组织结构表征 被引量：5
12
作者 杨芳儿 沈涛 +2 位作者 郑晓华 郑晋翔 陈占领 《浙江工业大学学报》 CAS 2013年第4期369-374,共6页
利用脉冲激光烧蚀CNx靶,在室温至450℃基片温度时沉积CNx薄膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼光谱(Raman)等对CNx薄膜的表面形貌、化学成分、结晶性以及价键状态进行了分析.结果表明:所得CNx薄膜呈非晶状... 利用脉冲激光烧蚀CNx靶,在室温至450℃基片温度时沉积CNx薄膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼光谱(Raman)等对CNx薄膜的表面形貌、化学成分、结晶性以及价键状态进行了分析.结果表明:所得CNx薄膜呈非晶状态,表面形貌与沉积温度密切相关,基片温度高于150℃时薄膜表面较为光滑.随着基片温度的增加,薄膜中C—N键的面积分数从31.2%逐渐减少至14.1%,N—sp3C和N—sp2C键的面积分数随之减少,300℃时最利于形成sp3键.Raman光谱中比值ID/IG总体呈上升趋势,G峰的位置向高波数(高频)方向移动且半高宽(FWHM)下降,薄膜由CNx薄膜的无序结构逐渐向高有序化程度类石墨结构转变,石墨化程度增加. 展开更多
关键词 薄膜 氮化碳 x射线光电子谱 拉曼光谱 脉冲激光沉积
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热轧高强钢板酸洗后表面黄斑成因及腐蚀行为研究 被引量：1
13
作者 李育霖 《宝钢技术》 CAS 2023年第4期46-51,59,共7页
试验研究高强钢酸洗板表面出现黄斑的原因及其腐蚀行为。采用X射线光电子谱(XPS)分析黄斑组成,利用金相分析酸洗黄斑和组织的关系,研究水洗槽中氯离子含量对黄斑形成的影响,通过丝束电极技术(WBE)研究高强钢在低氯离子溶液中的腐蚀行为... 试验研究高强钢酸洗板表面出现黄斑的原因及其腐蚀行为。采用X射线光电子谱(XPS)分析黄斑组成,利用金相分析酸洗黄斑和组织的关系,研究水洗槽中氯离子含量对黄斑形成的影响,通过丝束电极技术(WBE)研究高强钢在低氯离子溶液中的腐蚀行为。结果表明:酸洗板表面黄斑主要由Fe_(2)O_(3)和FeOOH构成,水洗槽中氯离子能够加速钢板表面的吸氧腐蚀,诱发Fe_(2)O_(3)形成。高强钢中碳元素含量的增加会增加其铁素体相比例,从而导致黄斑产生速度加快。丝束电极测试同样验证氯离子含量增加会加剧金属的腐蚀现象。 展开更多
关键词 高强钢 酸洗黄斑 x射线光电子谱 丝束电极技术
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过滤阴极真空电弧法制备四面体非晶碳薄膜 被引量：3
14
作者 韩杰才 朱嘉琦 孟松鹤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第2期118-122,共5页
利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及... 利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及纳米压痕(Nano-Indenter)仪器测试薄膜的性能和结构。结果表明:试验制备的薄膜是四面体非晶碳薄膜,其中sp3键含量高达80%以上,薄膜表面纯净,几乎没有大颗粒的污染,表面粗糙度(Rq)小于0.3nm(取样面积1μm2),薄膜硬度可达50GPa,杨氏弹性模量高于550GPa。 展开更多
关键词 四面体非晶碳薄膜 过滤阴极真空电弧 拉曼光谱 x射线光电子谱 纳米压入仪 制备
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利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性质 被引量：5
15
作者 修向前 野崎真次 +3 位作者 岛袋淳一 池上隆兴 王大志 汤洪高 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期182-186,共5页
研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在... 研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在作者实验的范围内 ,最优化的 TMGa流量为 0 .0 8sccm (TMAm=10 sccm时 ) ,XPS分析结果表明此时的 Ga/ N比为 1.0 3.这是第一次在高 / 比下得到立方 Ga N.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方 Ga N薄膜 ,黄光峰很弱 。 展开更多
关键词 生长 立方氮化钙 高频等离子体化学气相沉积 x射线光电子谱 蓝宝石衬底 光学性质
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射频反应磁控溅射法制备N掺杂p型氧化亚铜薄膜 被引量：5
16
作者 林龙 李斌斌 +2 位作者 鲁林峰 沈鸿烈 刘斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期570-573,共4页
通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2... 通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2.47 eV左右,同时薄膜的电学性能趋于稳定。当N2/O2流量比率为0.6时,薄膜电阻率为1.5Ω.cm,空穴浓度为2.16×1019cm-3,霍尔迁移率为0.5 cm2.V-1.s-1。 展开更多
关键词 氧化亚铜 磁控溅射 霍尔效应 x射线光电子谱
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浮法玻璃下表面渗锡的X射线光电子谱 被引量：3
17
作者 刘世民 秦国强 +2 位作者 许哲峰 于栋利 李东春 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1535-1538,共4页
利用X射线光电子谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对国内外浮法玻璃样品(样品A和样品B)下表面渗锡情况进行了对比分析。结果表明:在浮法玻璃下表面900nm范围内,2种样品中的锡离子在渗锡面均以Sn0,Sn^(2+),Sn^(4+)3种价态存在... 利用X射线光电子谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对国内外浮法玻璃样品(样品A和样品B)下表面渗锡情况进行了对比分析。结果表明:在浮法玻璃下表面900nm范围内,2种样品中的锡离子在渗锡面均以Sn0,Sn^(2+),Sn^(4+)3种价态存在,Sn^(2+)在整个渗锡量中均占最大比例。在近表面区,渗锡均以Sn^(2+)态为主,Sn0和Sn^(2+)含量之和均占到总渗锡量的90%以上,且样品A渗锡量远远高于样品B的渗锡量。样品A的不同锡离子相对含量沿深度变化较大,而样品B的不同锡离子相对含量沿深度变化小于1%。结合扫描电子显微镜形貌观察可知:钢化虹彩现象是由钢化处理中,Sn^(2+)转变为Sn^(4+)的氧化反应导致的体积膨胀引起的。在该反应过程中单胞体积增大3%。综合XPS与钢化虹彩实验结果可知,XPS分析可以有效而精确地提供浮法玻璃中锡的价态以及含量信息。 展开更多
关键词 浮法玻璃 锡 x射线光电子谱 钢化虹彩
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清洗后硅片表面的电子结构 被引量：4
18
作者 曹宝成 于新好 +2 位作者 马谨 马洪磊 刘忠立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期496-499,共4页
介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它... 介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准 展开更多
关键词 表面清洗 红外吸收谱 x射线光电子谱 原子力显微镜
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用X射线光电子谱研究Pt和CeO_2间的相互作用 被引量：2
19
作者 刘振祥 谢侃 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期448-451,共4页
用X射线光电子谱研究了CeO2 和Pt间的相互作用 ,探讨了通过相互作用能提高CeO2 的氧化还原反应活性的机理 ,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较。对高结合能端O 1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论。
关键词 氧化铈 x射线光电子谱 CEO2 PT 铂 催化活性 汽车尾气催化剂 薄膜 相互作用
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用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成 被引量：4
20
作者 赵亮 王德君 +2 位作者 马继开 陈素华 王海波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期121-125,共5页
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较... 利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 x射线光电子谱 超薄氧化膜
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