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水冷陶瓷增殖剂包层氚输运分析
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作者 张兵 赵雪丽 +1 位作者 马学斌 刘松林 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期301-308,共8页
基于2015版本中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层模块设计特点,建立详细的氚输运分析模型,对不同包层模块(包括不同的增殖区)、载氚气回路、冷却剂回路和蒸汽发生器中的氚输运进行分析。结果表明不同包层模块氚的浓度... 基于2015版本中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层模块设计特点,建立详细的氚输运分析模型,对不同包层模块(包括不同的增殖区)、载氚气回路、冷却剂回路和蒸汽发生器中的氚输运进行分析。结果表明不同包层模块氚的浓度、渗透量、滞留量均不同,全堆所有包层模块增殖区中氚的滞留量为6.62×10-2g,结构材料中氚滞留量为2.01g,载氚气和冷却剂回路中氚滞留量分别为4.03×10-4g和0.19g,氚通过蒸汽发生器的渗透量为20mg·y-1,冷却剂回路中氚渗透到管道外的量为0.1mg·y-1。 展开更多
关键词 中国聚变工程实验堆 水冷陶瓷增殖剂包层 氚分析
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