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射频微系统2.5D/3D封装技术发展与应用 被引量:27
1
作者 崔凯 王从香 胡永芳 《电子机械工程》 2016年第6期1-6,共6页
2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射... 2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射频微系统领域的应用及挑战,为射频微系统集成封装技术研究提供参考。 展开更多
关键词 2.5D/3D封装 射频微系统 硅通孔 圆片级封装 热管理
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一种基于BCB键合技术的新型MEMS圆片级封装工艺 被引量:8
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作者 何洪涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期629-633,651,共6页
苯并环丁烯(BCB)键合技术通过光刻工艺可以直接实现图形化,相对于其他工艺途径具有工艺简单、容易实现图形化的优点。选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,采用该技术成功加工出具有三层结构的... 苯并环丁烯(BCB)键合技术通过光刻工艺可以直接实现图形化,相对于其他工艺途径具有工艺简单、容易实现图形化的优点。选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,采用该技术成功加工出具有三层结构的圆片级封装某种惯性压阻类传感器。依据标准GJB548A对其进行了剪切强度和检漏测试,测得封装样品漏率小于5×10-3Pa.cm3/s,键合强度大于49N,满足考核要求。 展开更多
关键词 MEMS 圆片级封装(wlp) 苯并环丁烯(BCB) 光刻 密封
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高可靠先进微系统封装技术综述 被引量:2
3
作者 赵科 李茂松 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期115-120,共6页
在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺... 在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺的全面融合,使封装可靠性、封装效率得到极大的提升,封装寄生效应得到有效抑制。文章概述了微系统封装结构及类型,阐述了高可靠晶圆级芯片封装(WLP)、倒装焊封装(BGA)、系统级封装(SIP)、三维叠层封装、TSV通孔结构的实现原理、关键工艺技术及发展趋势。 展开更多
关键词 系统级封装 晶圆级封装 倒装焊BGA封装 2.5D/3D叠层封装 通孔技术
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再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究 被引量:5
4
作者 茹茂 翟歆铎 +4 位作者 白霖 陈栋 郭洪岩 李越生 肖斐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期702-708,共7页
再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线... 再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线圆片级封装样品进行了板级跌落试验,首先分析了器件在基板上不同组装点位的可靠性差异;然后依次探讨了不同节距和焊球尺寸、再布线结构对器件可靠性的影响;最后,对失效样品进行剖面制样,采用数字光学显微进行形貌表征。在此基础上,结合有限元分析对再布线结构和铜凸块结构的圆片级封装的可靠性和失效机理进行深入地阐释。 展开更多
关键词 圆片级封装(wlp 再布线层(RDL) 板级跌落 失效分析 有限元分析(FEA)
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圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究 被引量:3
5
作者 罗驰 叶冬 +1 位作者 刘建华 刘欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期501-503,508,共4页
对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法。
关键词 圆片级封装 无铅焊料 凸点下金属 凸点
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C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量:3
6
作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 晶圆极封装(wlp) 覆膜 插入损耗
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圆片级封装工艺简介及其最新发展趋势 被引量:4
7
作者 乔中辰 汪佳颖 何文文 《中国集成电路》 2013年第9期59-62,共4页
圆片级封装(Wafer Level Package)是近期快速崛起的创新性先进封装工艺。因其适应消费性电子产品对轻薄短小特性的需求,故而被市场广泛接受和推崇。本文将会介绍WLP的工艺流程和工艺控制,在可靠度上的挑战,和探讨圆片级封装的最新发展... 圆片级封装(Wafer Level Package)是近期快速崛起的创新性先进封装工艺。因其适应消费性电子产品对轻薄短小特性的需求,故而被市场广泛接受和推崇。本文将会介绍WLP的工艺流程和工艺控制,在可靠度上的挑战,和探讨圆片级封装的最新发展趋势。 展开更多
关键词 圆片级封装 重布线层 板级可靠性测试
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再布线圆片级封装的温度循环可靠性研究 被引量:2
8
作者 杨东伦 翟歆铎 +2 位作者 陈栋 郭洪岩 肖斐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期709-714,共6页
圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注。按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了WLP器件结构对可靠性的影响。结果表明,随样品... 圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注。按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了WLP器件结构对可靠性的影响。结果表明,随样品节距减小,器件的可靠性降低;相同节距时,焊球直径越小可靠性越低。通过失效分析发现了3种与互连结构有关的失效模式,其中一种与RDL结构直接相关,且对大节距的WLP器件可靠性产生了较大影响。结合有限元模拟,对再布线结构圆片级封装的失效机理进行了深入地分析。 展开更多
关键词 圆片级封装(wlp 再布线层(RDL) 温度循环 失效分析 有限元分析(FEA)
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MEMS低温圆片级键合密封工艺研究 被引量:2
9
作者 葛羽屏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第1期105-107,共3页
研究了一种使用非光敏苯并环丁烯(BCB)材料的低温硅片级键合,并将其用于压力谐振传感器封装。采用AP3000作为BCB中的黏结促进剂,将谐振片与硅片或Pyrex 7740玻璃晶圆键合,程序简单,低成本,密封性能较高,且键合温度低于250℃。通过拉伸实... 研究了一种使用非光敏苯并环丁烯(BCB)材料的低温硅片级键合,并将其用于压力谐振传感器封装。采用AP3000作为BCB中的黏结促进剂,将谐振片与硅片或Pyrex 7740玻璃晶圆键合,程序简单,低成本,密封性能较高,且键合温度低于250℃。通过拉伸实验,这种键合的剪切强度高于40MPa。所以此硅片级键合适用于压力传感器的封装。 展开更多
关键词 苯并环丁烯(BCB) 键合 谐振器 压力传感器 微机电系统(MEMS) 圆片级封装(wlp) 密封
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制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制 被引量:1
10
作者 王水弟 胡涛 贾松良 《电子工业专用设备》 2003年第1期38-42,共5页
介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅... 介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。 展开更多
关键词 圆片级封装 凸焊点 喷镀 电镀设备 微电子 wlp
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一种真空度可调的圆片级封装技术 被引量:1
11
作者 罗蓉 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期534-537,共4页
提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪... 提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪切力和品质因数Q值测试,剪切力测试结果证明封装样品键合强度达到5 kg以上,圆片级真空封装后陀螺的品质因数Q值约为75 000,对该陀螺的品质因数进行了历时1年的跟踪测试,在此期间品质因数Q的最大变化量小于7‰,品质因数测试结果表明封装具有较好的真空特性。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 圆片级封装(wlp) 密封 深反应离子刻蚀(DRIE) 金硅共晶键合
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圆片级封装的板级跌落可靠性研究 被引量:1
12
作者 叶晓通 陈栋 +2 位作者 张黎 李越生 肖斐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期804-809,共6页
圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距... 圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距、焊球尺寸、PCB焊盘工艺等因素对样品可靠性的影响。对失效样品进行了切片制样,通过金相显微镜、能量色散X射线光谱(EDX)和扫描电子显微镜进行了分析,研究了WLP器件失效机理及其与器件焊球尺寸、节距之间的关系,讨论了底部填充料对WLP封装可靠性的改进作用。 展开更多
关键词 圆片级封装 板级可靠性 跌落实验 失效分析 金属间化合物
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FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
13
作者 奚嘉 陈妙 +3 位作者 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期692-698,共7页
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。... Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式。结果表明,Fe Ni UBM焊点剪切力高于Cu UBM。Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的Cu Ni Sn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力。断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于Fe Ni UBM。 展开更多
关键词 圆片级封装(wlp) 凸点下金属(UBM) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC)
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