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题名二维WS2薄膜的制备及光电特性
被引量：1
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作者
丁馨
徐铖
许珂
朱静怡
马锡英
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机构
苏州科技大学数理学院
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第5期366-371,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(31570515)
江苏省十三五重点学科资助项目(20168765)
+1 种基金
苏州科技大学科研基金资助项目(XKZ201609)
江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX17_2061,KYCX18_2551)。
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文摘
以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2薄膜不仅在466 nm处有很强的蓝光发射,还在617和725 nm处有显著的红光发射,前者可能是由于量子尺寸效应引起的分立能级的发光,后者则分别对应WS2单层和多层的本征发射。最后,研究了WS2/Si异质结的光电效应和温度效应,发现随照射光功率或温度的增加,异质结的电流显著增大,说明WS2/Si异质结对光照和温度非常敏感,可用于制备太阳电池和光探测器等新型光电子器件。
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关键词
硫化钨(ws2)薄膜
化学气相沉积(CVD)法
ws2/si异质结
光电特性
温度效应
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Keywords
tungsten sulfide(ws2)film
chemical vapor deposition(CVD)method
ws2/si heterojunction
photoelectric property
temperature effect
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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