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宽禁带半导体器件的发展
被引量：
23
1
作者
毕克允
李松法
《中国电子科学研究院学报》
2006年第1期6-10,共5页
概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、...
概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。
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关键词
宽禁带半导体器件
相控阵雷达
电子战系统
水下光通信
精确制导
下载PDF
职称材料
SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题
被引量：
6
2
作者
李效白
《微纳电子技术》
CAS
2004年第11期1-6,共6页
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。
关键词
宽禁带
SIC
GAN
半导体材料
多形体
电流塌陷效应
陷阱效应
冻析效应
离子注入
下载PDF
职称材料
题名
宽禁带半导体器件的发展
被引量：
23
1
作者
毕克允
李松法
机构
中国公司电子科学研究院
中电科技集团公司第
出处
《中国电子科学研究院学报》
2006年第1期6-10,共5页
文摘
概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。
关键词
宽禁带半导体器件
相控阵雷达
电子战系统
水下光通信
精确制导
Keywords
wbg
semiconductor device
phase
array
radar
EW
systems,
precision
control
and
guide,
optical
communication
under
water
分类号
TP309 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题
被引量：
6
2
作者
李效白
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第11期1-6,共6页
文摘
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。
关键词
宽禁带
SIC
GAN
半导体材料
多形体
电流塌陷效应
陷阱效应
冻析效应
离子注入
Keywords
wbg
SiC
GaN
semiconductor
material
semiconductor device
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带半导体器件的发展
毕克允
李松法
《中国电子科学研究院学报》
2006
23
下载PDF
职称材料
2
SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题
李效白
《微纳电子技术》
CAS
2004
6
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职称材料
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