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W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
1
作者
胡永达
蒋明
+2 位作者
杨邦朝
崔嵩
张经国
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期311-315,共5页
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板...
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa .
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关键词
w
-
sio
2
浆料
共烧界面
微观结构
氮化铝
多层共烧
导带
浆料
烧结应力
陶瓷
钨
二氧化硅
集成电路
封装
基板材料
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职称材料
题名
W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
1
作者
胡永达
蒋明
杨邦朝
崔嵩
张经国
机构
电子科技大学信息材料工程学院
信息产业部电子四十三所
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期311-315,共5页
基金
信息产业部电子科学研究院预研课题 (3 0 .2 .2 .5 -1) .
文摘
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa .
关键词
w
-
sio
2
浆料
共烧界面
微观结构
氮化铝
多层共烧
导带
浆料
烧结应力
陶瓷
钨
二氧化硅
集成电路
封装
基板材料
Keywords
aluminum nitride
co_fire multi_layer ceramic substrate
conductive paste, sintering stress
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.94
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题名
作者
出处
发文年
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1
W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
胡永达
蒋明
杨邦朝
崔嵩
张经国
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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参考文献
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