多组分缓冲层W梯度掺杂DLC复合薄膜研究 被引量：8

1

作者 杨义勇 彭志坚 +3 位作者 付志强 邬苏东 陈新春 王成彪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期34-40,共7页

用离子束辅助非平衡中频磁控溅射技术,在Si,高速钢或不锈钢基体上分别沉积得到了具有多组分过渡金属层缓冲的W梯度掺杂类金刚石碳(DLC)膜,研究了W靶电流对DLC膜组成、结构和性能的影响。实验表明,随着W靶电流增大,薄膜中W掺杂量增加,W... 用离子束辅助非平衡中频磁控溅射技术,在Si,高速钢或不锈钢基体上分别沉积得到了具有多组分过渡金属层缓冲的W梯度掺杂类金刚石碳(DLC)膜,研究了W靶电流对DLC膜组成、结构和性能的影响。实验表明,随着W靶电流增大,薄膜中W掺杂量增加,W的碳化物含量增加,sp^3结构含量减少;薄膜的纳米硬度和弹性模量逐渐增大,且材料抗塑性参数H/E随之增大;随W靶电流增大,材料与基体结合力增强,划痕实验临界载荷在80—100 N之间,材料摩擦系数增大;但磨损率因W掺杂而明显减小,且随W靶电流增大而减小。样品表面元素分布均匀,粗糙度(R_a)较小,R_a值在7.56—15.8 nm之间。 展开更多

关键词 复合镀膜技术 DLC薄膜 w掺杂 摩擦学性能

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W掺杂量和退火温度对W-VO_(2)物相结构及相变性能的影响

2

作者 孙恒辉 雷心瑜 +3 位作者 袁新强 蒋鹏 张伟 张立斋 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期44-52,共9页

钨掺杂M相二氧化钒(W-VO_(2)(M))有效降低了VO_(2)金属相(低温单斜相,M)到绝缘体相(高温四方金红石相,R)的可逆相转变温度(T_(c)),显著提高了VO_(2)在智能窗领域的应用价值。然而,W-VO_(2)(M)所表现出的较宽热滞回线宽度(ΔT_(c)>10... 钨掺杂M相二氧化钒(W-VO_(2)(M))有效降低了VO_(2)金属相(低温单斜相,M)到绝缘体相(高温四方金红石相,R)的可逆相转变温度(T_(c)),显著提高了VO_(2)在智能窗领域的应用价值。然而,W-VO_(2)(M)所表现出的较宽热滞回线宽度(ΔT_(c)>10℃)对其应用造成了一定的限制。为了解决这一问题,本研究以降低W-VO_(2)(M)的ΔT_(c)为目标,研究了W掺杂量与退火温度对W-VO_(2)物相结构及相变性能的影响。结果表明:随着W掺杂量的增加,W-VO_(2)粉体的T_(c)降低,并且ΔT_(c)较窄;退火温度的升高可以提高W-VO_(2)粉体的结晶度和分散度,但温度过高,会加速VO_(2)晶体结构的破坏,使其在恢复到室温后无法从R相转变为M相;当W掺杂量为6.0 at%,退火温度为700℃时,采用水热-退火两步法制备得到的W-VO_(2)(M)粉体表现出接近室温使用的T_(c)(T_(c)=36.83℃),同时具有较窄的ΔT_(c)(ΔT_(c)=6.63℃)。 展开更多

关键词 w掺杂 水热-退火两步法 w-VO_(2)(M) 智能窗 相变性能

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W掺杂VO_(2)(M)粉体研究进展

3

作者 孙恒辉 周汶燕 +3 位作者 王丹 袁新强 蒋鹏 张伟 《热加工工艺》 北大核心 2024年第10期10-15,21,共7页

W掺杂M相VO_(2)(W-VO_(2)(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_(2)(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个... W掺杂M相VO_(2)(W-VO_(2)(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_(2)(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO_(2)(M)粉体的研究情况,分析了W、Ti共掺杂M相VO_(2)(W/Ti-VO_(2)(M))粉体研究的可行性。最后,提出W/Ti-VO_(2)(M)与SiO2复合形成核-壳结构(W/Ti-VO_(2)(M)@SiO2)粉体的研究思路。 展开更多

关键词 w掺杂 VO_(2)(M)粉体 热致相变 智能窗

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钨掺杂金红石型二氧化钛的光催化分解水析氧活性 被引量：5

4

作者 吴道新 陈启元 +2 位作者 李洁 尹周澜 夏畅斌 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期730-735,共6页

以钛酸丁酯为原料,用低温超声水解方法合成不同掺杂W浓度的金红石型TiO2光催化剂,采用XRD、PL、DRS和BET等技术进行催化剂性能的表征。在光源为高压汞灯和氙灯、Fe3+为电子受体、悬浮液pH值为2.0的条件下,考察W掺杂对金红石型TiO2的光... 以钛酸丁酯为原料,用低温超声水解方法合成不同掺杂W浓度的金红石型TiO2光催化剂,采用XRD、PL、DRS和BET等技术进行催化剂性能的表征。在光源为高压汞灯和氙灯、Fe3+为电子受体、悬浮液pH值为2.0的条件下,考察W掺杂对金红石型TiO2的光催化分解水析氧活性的影响。结果表明:当W掺杂量为1.0%～4.0%(摩尔分数)时,W掺杂没有引起金红石型TiO2晶型的改变,表面形成氧空位,在导带底附近形成施主能级,有利于光生电子和空穴的分离,掺杂催化剂光致发光强度与其光催化析氧活性的变化趋势一致;当W掺杂量为2.0%时,掺杂催化剂的光催化分解水析氧活性最高,在紫外光和可见光下光催化分解水的析氧速率分别为148.8μmol/(L·h)和102.9μmol/(L·h),分别比金红石型TiO2掺杂改性前的析氧速率提高了30.6%和65.7%. 展开更多

关键词 金红石型TIO2 钛酸丁酯 超声水解 掺杂钨 光催化分解水 析氧

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W掺杂Cr_(2)O_(3)薄膜的制备及其在异丁烯气体检测中的应用 被引量：1

5

作者 王鹏家 彭宝营 +1 位作者 吴伟 巩亚东 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期4549-4557,共9页

为了实现对异丁烯气体的有效检测,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在氧化铝基底表面合成氧化铬(Cr_(2)O_(3))及W掺杂Cr_(2)O_(3)(W/Cr_(2)O_(3))薄膜。通过SEM、TEM、XRD及XPS等检测手段对Cr_(2)O_(3)及W/Cr_(2)O_(3)薄膜的微观... 为了实现对异丁烯气体的有效检测,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在氧化铝基底表面合成氧化铬(Cr_(2)O_(3))及W掺杂Cr_(2)O_(3)(W/Cr_(2)O_(3))薄膜。通过SEM、TEM、XRD及XPS等检测手段对Cr_(2)O_(3)及W/Cr_(2)O_(3)薄膜的微观形貌、晶体结构和元素结合价态进行分析。结果表明:Cr_(2)O_(3)薄膜厚度约为20μm,由粒径为50 nm左右的纳米颗粒组成,其结构较松散,而W掺杂Cr_(2)O_(3)后所获薄膜结构致密,颗粒粒径约为15 nm,尺寸明显减小,Cr_(2)O_(3)及W/Cr_(2)O_(3)薄膜均具有单一的六方相晶体结构。气敏测试结果表明,在400℃工作温度条件下,基于W/Cr_(2)O_(3)薄膜所制备的气体传感器相较于Cr_(2)O_(3)气体传感器对2×10^(-5)异丁烯的灵敏度由原来的1.11提升为3.55,并展现出良好的稳定性、抗湿性和气体选择性。 展开更多

关键词 w掺杂 Cr_(2)O_(3)薄膜 气体传感器 异丁烯 敏感机制

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W掺杂锐钛矿相TiO_2电子能带结构的第一性原理研究 被引量：4

6

作者 郑树凯 吴国浩 +2 位作者 赵瑞 刘素平 刘磊 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期16-20,共5页

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了W掺杂前后锐钛矿相TiO2的能带结构、电子态密度及吸收光谱。计算结果表明,W掺杂后锐钛矿相TiO2的禁带宽度减小,且其费米能级移至导带内;W原子对最近邻的Ti和O原子的电子态有显著影响,而对离其较... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了W掺杂前后锐钛矿相TiO2的能带结构、电子态密度及吸收光谱。计算结果表明,W掺杂后锐钛矿相TiO2的禁带宽度减小,且其费米能级移至导带内;W原子对最近邻的Ti和O原子的电子态有显著影响,而对离其较远的Ti和O原子的电子态基本无影响;W掺杂导致锐钛矿相TiO2对紫外光和可见光的吸收减弱,与实验所得W掺杂前后TiO2薄膜的透射光谱显示的结果较一致。 展开更多

关键词 锐钛矿相TIO2 w掺杂 能带结构 电子态密度 第一性原理计算

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钨掺杂介孔TiO_2微球紫外光下降解罗丹明B的研究 被引量：4

7

作者 郑健 田颖 程国伟 《大连交通大学学报》 CAS 2016年第4期105-109,共5页

以钛酸四异丙酯为钛源,钨酸铵为钨源,通过水热法制备了W掺杂介孔TiO_2微球.所得样品用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、氮吸附、紫外可见漫反射等测试方法表征.以罗丹明B为目标降解物,考察了钨掺杂介孔TiO_2在紫外光下对罗丹明B的催化活... 以钛酸四异丙酯为钛源,钨酸铵为钨源,通过水热法制备了W掺杂介孔TiO_2微球.所得样品用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、氮吸附、紫外可见漫反射等测试方法表征.以罗丹明B为目标降解物,考察了钨掺杂介孔TiO_2在紫外光下对罗丹明B的催化活性.结果表明,TiO_2微球平均孔径10 nm左右.钨掺杂对TiO_2微球结构与晶型没有影响,但是缩小了二氧化钛的光吸收范围,适量掺杂钨离子后,TiO_2吸收边产生蓝移,吸收波长从384 nm缩短为378 nm.钛钨摩尔比为0.2%的钨掺杂TiO_2活性最好,对罗丹明B降解率较未掺杂TiO_2提高约30%. 展开更多

关键词 介孔二氧化钛微球 钨掺杂 水热合成 光催化活性

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MoSi2和（Mo,W）Si2涂层的宽温域氧化过程 被引量：2

8

作者 毛绍宝 杨英 +1 位作者 李海庆 张世宏 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期826-835,共10页

采用包渗法在Mo及Mo-W基体上分别制备MoSi2及(Mo,W)Si2涂层,研究了W掺杂对MoSi2涂层抗氧化性能的影响规律和作用机理。结果表明,W元素固溶到MoSi2涂层中,形成(Mo,W)Si2固溶体,涂层微观结构更加致密化。在1600℃高温下静态氧化,(Mo,W)Si... 采用包渗法在Mo及Mo-W基体上分别制备MoSi2及(Mo,W)Si2涂层,研究了W掺杂对MoSi2涂层抗氧化性能的影响规律和作用机理。结果表明,W元素固溶到MoSi2涂层中,形成(Mo,W)Si2固溶体,涂层微观结构更加致密化。在1600℃高温下静态氧化,(Mo,W)Si2涂层抗氧化失效时间长达70 h,1200℃下氧化1000 h仍具有良好的防护性能,抗氧化性能大幅提升。加入W元素阻碍了Si元素与基体间的扩散反应,降低了涂层中Si元素的消耗速率,显著增强了(Mo,W)Si2涂层抗高温氧化性能。在500℃低温下静态氧化50 h,与MoSi2涂层相比,(Mo,W)Si2涂层氧化产生明显的"Pest"现象,涂层严重粉化失效。加入W元素降低了涂层中Si元素的扩散速率,导致低温下涂层表面无法形成致密氧化层,加剧涂层的快速氧化。 展开更多

关键词 w掺杂 MoSi2涂层 高温氧化 “Pest”效应 宽温域

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Sn、W掺杂对Ag/Ni材料界面结合性能的影响

9

作者 贾佶颖 王景芹 郭培健 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2022年第11期38-43,共6页

采用第一性原理赝势法,计算并分析Ag(110)/Ni(211)界面体系的能量与电子结构,讨论Sn、W掺杂前后对Ag/Ni界面性质的影响。结果表明:影响Ag/Ni界面结合稳定性的主要原因是Ag(spd)与Ni(spd)轨道的杂化作用和Ag-Ni金属键的结合强度。在Ag/N... 采用第一性原理赝势法,计算并分析Ag(110)/Ni(211)界面体系的能量与电子结构,讨论Sn、W掺杂前后对Ag/Ni界面性质的影响。结果表明:影响Ag/Ni界面结合稳定性的主要原因是Ag(spd)与Ni(spd)轨道的杂化作用和Ag-Ni金属键的结合强度。在Ag/Ni界面掺杂Sn、W原子后,掺杂体系的分离功增加,界面能降低,利于界面结合强度的增强。Sn、W的掺杂加强了Ag、Ni原子轨道的杂化作用,还增加了Ni与Sn、Ag与W、Ni与W原子间的杂化轨道,促进Ni-Sn、Ag-W、Ni-W金属键的形成,从而提升了界面结合的稳定性。 展开更多

关键词 第一性原理 Ag/Ni界面 Sn、w掺杂 界面结合稳定性

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固相合成W掺杂LiFePO_4/C及其电化学性能 被引量：1

10

作者 刘红飞 贾铁昆 《宁夏大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第2期144-146,共3页

采用一步固相法合成碳包覆W掺杂Li1-xWxFePO4/C.结果表明：合成产物具有完整的橄榄石型LiFePO4晶体结构,颗粒尺寸为2~5μm;当W的掺入量为0.02摩尔分数时具有最好的倍率放电性能和循环性;在0.1 C倍率充放电时具有153.8 mA.h/g的放电比容... 采用一步固相法合成碳包覆W掺杂Li1-xWxFePO4/C.结果表明：合成产物具有完整的橄榄石型LiFePO4晶体结构,颗粒尺寸为2~5μm;当W的掺入量为0.02摩尔分数时具有最好的倍率放电性能和循环性;在0.1 C倍率充放电时具有153.8 mA.h/g的放电比容量;在1 C倍率充放电时,具有135.7 mA.h/g的放电比容量. 展开更多

关键词 锂离子电池 磷酸铁锂 正极材料 固相合成法 钨掺杂

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Nb,Mo,Ti,Ta,W掺杂硅化石墨扫描电镜研究 被引量：1

11

作者 葛学贵 曹宏 +3 位作者 黄少云 陈亦凡 靳化才 杨蜜纯 《地质科技情报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期77-82,共6页

以硅粉的 1% ,2 %～ 10 % ( w B)将 Nb,Mo,Ti,Ta,W等 5种金属粉掺入硅粉中 ,用液硅渗透法 ( LSP)制备出系列掺杂硅化石墨样品。对这些样品抗折、抗拉强度测试结果表明 :Nb( 6 % ) -硅化石墨性能最优 ,抗拉强度提高了 2 0 %～ 2 7% ;Mo( ... 以硅粉的 1% ,2 %～ 10 % ( w B)将 Nb,Mo,Ti,Ta,W等 5种金属粉掺入硅粉中 ,用液硅渗透法 ( LSP)制备出系列掺杂硅化石墨样品。对这些样品抗折、抗拉强度测试结果表明 :Nb( 6 % ) -硅化石墨性能最优 ,抗拉强度提高了 2 0 %～ 2 7% ;Mo( 1% )、Mo( 5 % )掺杂效果次之 ;而 Ti( 7% )、Ta( 3% )、W( 7% )等的掺杂反使材料强度降低。扫描电子显微镜 ( SEM)分析显示 :Nb( 6 % )掺杂使抗拉强度增强的原因在于 ,新的铌与碳的间隙化合物相的生成 ,减小了硅化石墨显微结构的尺寸 ,且使材料外层及内核结构均匀、致密、统一 ,因而能有效分散应力集中 ,缓冲裂纹扩张 ,增大承载截面 ,从而提高材料力学性能。相反 Ti( 7% )、Ta( 3% )等掺杂后 ,尽管使材料外层结构致密 ,但内部结构疏松 ,晶粒、孔隙尺寸大小不一 ,形态各异 ,内、外结构极不统一 。 展开更多

关键词 掺杂 硅化石墨 扫描电子显微镜 镍 钛 钨 抗拉强度

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W掺杂对Zn0.98Al0.02O陶瓷热电性能的影响

12

作者 李怀明 孙秋 宋英 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1959-1962,共4页

采用溶胶-凝胶法合成了Zn0.98-xAl0.02WxO(x=0、0.005、0.01、0.02)前驱粉体,在1400℃、N2氛围下烧结5h将其煅烧成块状陶瓷。通过XRD和SEM对样品的组成和形貌进行表征,并研究了W掺杂对Zn0.98Al0.02O陶瓷热电性能的影响。热电测试结果表... 采用溶胶-凝胶法合成了Zn0.98-xAl0.02WxO(x=0、0.005、0.01、0.02)前驱粉体,在1400℃、N2氛围下烧结5h将其煅烧成块状陶瓷。通过XRD和SEM对样品的组成和形貌进行表征,并研究了W掺杂对Zn0.98Al0.02O陶瓷热电性能的影响。热电测试结果表明:材料的塞贝克系数绝对值|S|随W的掺入量的增加而先减小后增大,电导率则呈现相反的变化趋势。773K时,x=0.005样品的功率因子最大,达到3.6×10^-4W/(m·K),比Zn0.98Al0.02O提高了2倍。此外,W的掺杂有效降低了材料的热导率。773K时,x=0.005样品的无量纲优值(ZT值)达到最大,为0.03,比Zn0.98Al0.02O提高了2.3倍。 展开更多

关键词 Zn0.98Al0.02O陶瓷 热电性能 氧化锌 w掺杂

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KBT CuW铁电陶瓷晶粒异常生长和巨介电性能研究

13

作者 张凯新 方频阳 +2 位作者 郅冲阳 宋刚刚 惠增哲 《西安工业大学学报》 CAS 2023年第4期315-322,共8页

为了探究Cu/W掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)铁电陶瓷显微组织和介电性能的影响,文中采用固相反应法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Ti_(4-x)(Cu_(0.5)W_(0.5))_(2 x)O_(15)(KBT-CuW_(x),x分别为0.00,0.01,0.02,0.03)陶瓷。采用X射线... 为了探究Cu/W掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)铁电陶瓷显微组织和介电性能的影响,文中采用固相反应法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Ti_(4-x)(Cu_(0.5)W_(0.5))_(2 x)O_(15)(KBT-CuW_(x),x分别为0.00,0.01,0.02,0.03)陶瓷。采用X射线衍射分析仪表征陶瓷的相结构,扫描电子显微镜分析陶瓷的显微组织形貌,利用精密阻抗分析仪测试室温下不同频率(100 Hz~107 Hz)的介电常数ε′和介电损耗tanδ,并测试不同温度(303~453 K)下的阻抗谱,最后利用Arrhenius公式计算得到KBT-CuW陶瓷电导率和温度关系。研究结果表明:KBT-CuW陶瓷为正交相结构并且伴有异常长大的晶粒出现;随着Cu^(2+)和W^(6+)含量的增加,陶瓷中大晶粒尺寸逐渐减小,数量逐渐增加,其介电常数显著提高,x=0.03陶瓷在100 Hz下介电常数达到了106;KBT-CuW陶瓷的低频巨介电响应与异常长大晶粒引起的缺陷偶极子和界面响应有关。 展开更多

关键词 KBT陶瓷 巨介电常数 Cu/w掺杂 异常生长晶粒

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CaMn_(1-x)W_xO_3(0.05≤x≤0.20)体系电荷有序的建立与消失 被引量：2

14

作者 郭焕银 张世雄 严国清 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期4-11,共8页

通过对样品磁化强度-温度(M-T)曲线、磁化强度-磁场强度(M-H)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线及部分样品ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对CaMn1-xWxO3(x=0.05,0.07,0.10,0.12,0.14,0.16,0.20)体系磁结构的影响。结果表明,随着W掺杂量的增加,... 通过对样品磁化强度-温度(M-T)曲线、磁化强度-磁场强度(M-H)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线及部分样品ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对CaMn1-xWxO3(x=0.05,0.07,0.10,0.12,0.14,0.16,0.20)体系磁结构的影响。结果表明,随着W掺杂量的增加,体系磁结构发生了复杂的变化过程。当掺杂量x≤0.07时,体系为铁磁(FM),反铁磁(AFM)和顺磁(PM)态的共存,随掺杂量增加,FM态减弱,AFM态增强;当x=0.10,0.12时,体系建立电荷有序(charge ordering,CO)态,AFM/CO态共存于相变温度以下,且电荷有序温度TCO随掺杂量增加而增加;当x≥0.14时,体系电荷有序(CO)态减弱并消失。 展开更多

关键词 Mn位w掺杂 磁结构 电荷有序 建立

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点缺陷对γ-TiAl(100)表面O原子吸附和扩散影响的第一性原理研究 被引量：1

15

作者 周立颖 王福合 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1387-1391,共5页

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了γ-TiAl(100)表面附近空位、Si和W掺杂的形成能,以及它们对O原子在该表面附近吸附和扩散的影响.计算结果表明,在掺杂体系中,Si原子更容易替代表面第1层Al原子的位置,而W原子更容易替代表面第2层T... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了γ-TiAl(100)表面附近空位、Si和W掺杂的形成能,以及它们对O原子在该表面附近吸附和扩散的影响.计算结果表明,在掺杂体系中,Si原子更容易替代表面第1层Al原子的位置,而W原子更容易替代表面第2层Ti原子的位置,且2者均使其近邻吸附O原子的吸附能升高.因此,Si更容易偏析在表面第1层上,而W更容易偏析在表面第2层上,且抑制了O原子在γ-TiAl(100)表面的吸附.在空位缺陷体系中,表面第1层Ti原子空位比Al原子空位更易形成.在干净表面、Ti空位表面,Si掺杂和W掺杂表面体系中,O原子从表面上到表面下第2层扩散的能垒分别为1.98,1.34,2.53和2.69 eV,相对于干净表面,Ti空位缺陷的形成使得O原子在,γ-TiAl(100)表面附近的扩散更加容易,而Si和W掺杂使得O原子在γ-TiAl(100)表面上的扩散更加困难. 展开更多

关键词 Γ-TIAL (100)表面 Si掺杂 w掺杂 空位 O的扩散

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W掺杂ZnO纳米线型矿业安全用NO2气敏材料研究 被引量：1

16

作者 李慧萱 滕飞 +2 位作者 刘明昊 李瑞敏 沈岩柏 《金属矿山》 CAS 北大核心 2020年第5期215-220,共6页

以二氯化锌(ZnCl2·2H2O)、碳酸钠(Na2CO3)为前驱体,钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,采用水热法制备不同W掺杂浓度的ZnO纳米线,并对其结构形貌和NO2气敏性能进行研究。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构性能进... 以二氯化锌(ZnCl2·2H2O)、碳酸钠(Na2CO3)为前驱体,钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,采用水热法制备不同W掺杂浓度的ZnO纳米线,并对其结构形貌和NO2气敏性能进行研究。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构性能进行表征,表明W掺杂浓度对ZnO纳米线的结构和形貌基本没有影响,所获产物为直径50~80 nm、长度2.0~5.2μm的六方纤锌矿结构ZnO纳米线,其表面光滑,结晶度优良,分散性良好。针对NO2的气敏特性结果表明,W掺杂浓度为1%时,ZnO纳米线可获得对NO2气体的最大灵敏度,其最佳工作温度为200℃,且具有优良的选择性、可逆性和重现性。通过电子耗尽层理论和反应活性位点对气敏机理进行了分析和探讨。 展开更多

关键词 ZNO纳米线 w掺杂NO2 气敏特性 矿业安全

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Hf／Ta／W单掺锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质的第一性原理研究

17

作者 方志平 夏桐 +2 位作者 雷博程 张丽丽 黄以能 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2406-2411,共6页

运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X(Hf、Ta、W)单掺锐钛矿相TiO_2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,X掺锐钛矿相TiO_2,使得掺杂后体系的体积增大,并随着X掺杂浓度的增加而增大;掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO_2的要小... 运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X(Hf、Ta、W)单掺锐钛矿相TiO_2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,X掺锐钛矿相TiO_2,使得掺杂后体系的体积增大,并随着X掺杂浓度的增加而增大;掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO_2的要小;由能带图可知,Ta、W单掺后,费米能级进入导带,说明这两种单掺体系属于N型半导体;随着不同浓度Hf、Ta、W的掺入,发现吸收光谱都发生了不同程度的红移,其中Ta、W掺杂体系的光响应范围覆盖了整个可见光区域,对比所有掺杂体系发现Ti_(0. 9375)W_(0. 0833)O_2在可见光区域的光响应能力最强,这些现象说明X的掺入大大提升了TiO_2光催化能力。 展开更多

关键词 锐钛矿TIO2 Hf/Ta/w掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理

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W掺杂对β-Ga_2O_3导电性能影响的理论研究 被引量：8

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作者 郑树文 范广涵 +1 位作者 何苗 赵灵智 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期332-338,共7页

采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量... 采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低.当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强.当增加W的掺杂量,Ga2(1-x)W2x O3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致. 展开更多

关键词 β-Ga2O3 电导率 w掺杂 密度泛函理论

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钨掺杂对锂离子电池LiNiO2正极材料性能的影响 被引量：7

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作者 孔祥泽 李东林 +5 位作者 王子匀 贺欣 李童心 周小荣 樊小勇 苟蕾 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1169-1175,共7页

采用溶胶-凝胶法制备了钨掺杂镍酸锂正极材料(LiNi1-xWxO2,x=1%、3%),研究了钨掺杂对LiNiO2正极材料电化学性能的影响。结果表明,钨掺杂明显地改善了LiNiO2的充放电循环性能,在100mA·g-1的电流密度和2.5~4.5V电压范围的测试条件下,... 采用溶胶-凝胶法制备了钨掺杂镍酸锂正极材料(LiNi1-xWxO2,x=1%、3%),研究了钨掺杂对LiNiO2正极材料电化学性能的影响。结果表明,钨掺杂明显地改善了LiNiO2的充放电循环性能,在100mA·g-1的电流密度和2.5~4.5V电压范围的测试条件下,LiNi0.99W0.01O2材料循环400次后的容量保持率为62.51%,而LiNiO2在相同循环条件下的保持率仅为47.06%。同时,钨掺杂也提升了LiNiO2的充放电倍率性能,掺杂材料在每一个倍率下放电比容量均高于未掺杂材料。 展开更多

关键词 锂离子电池 LINIO2 钨掺杂 电化学性能

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钨掺杂对LiNi_(0.88)Co_(0.09)Mn_(0.03)O_(2)前驱体生长的影响及其电化学性能

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作者 程磊 赵义 +3 位作者 黄斌 赵早文 李延伟 李伟 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期1251-1262,共12页

采用钨掺杂的前驱体为原料合成LiNi_(0.88)Co_(0.09)Mn_(0.03)O_(2)正极材料。X射线衍射分析表明,钨掺杂可抑制前驱体晶体沿垂直于c轴的方向生长。扫描电镜结果表明,随着钨掺杂量的增加,正极材料的一次颗粒粒度呈减小的趋势。电化学表... 采用钨掺杂的前驱体为原料合成LiNi_(0.88)Co_(0.09)Mn_(0.03)O_(2)正极材料。X射线衍射分析表明,钨掺杂可抑制前驱体晶体沿垂直于c轴的方向生长。扫描电镜结果表明,随着钨掺杂量的增加,正极材料的一次颗粒粒度呈减小的趋势。电化学表征证实钨掺杂的优势。掺钨量为0.4%(质量分数)的正极材料相比空白样品具有显著提高的电化学性能,以10C电流密度分别在25和45℃下循环100周后,分别具有94.68%和89.63%的容量保持率。同时,钨掺杂还可抑制材料在循环时产生晶间裂纹。因此,得益于钨掺杂对材料成分调节及微观结构调控的协同作用,锂离子在材料中的扩散速率增加,材料的结构稳定性提高。 展开更多

关键词 钨掺杂 前驱体生长 结构稳定性 循环寿命 锂离子电池

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