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不同氩气气压下钒靶HIPIMS放电特性的演变 被引量:5
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作者 李春伟 田修波 +1 位作者 巩春志 许建平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期103-109,共7页
目的以V靶为例,研究高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)放电时不同工作气压下靶脉冲电流及等离子体发射光谱的表现形式和演变规律,为HIPIMS技术的进一步广泛应用提供理论依据。方法利用数字示波器采集HIPIMS脉冲放电电流波形,并利用发射光谱仪... 目的以V靶为例,研究高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)放电时不同工作气压下靶脉冲电流及等离子体发射光谱的表现形式和演变规律,为HIPIMS技术的进一步广泛应用提供理论依据。方法利用数字示波器采集HIPIMS脉冲放电电流波形,并利用发射光谱仪记录不同放电状态下的光谱谱线,分析不同气压下V靶HIPIMS放电特性的演变规律。同时,利用HIPIMS技术成功制备了V膜,并利用扫描电子显微镜观察了V膜的截面形貌。结果不同氩气气压下,随着靶脉冲电压的增加,靶电流峰值、靶电流平台值及靶电流平均值均单调增加,而且增加的速度越来越快,但靶电流峰值的增加速度明显高于平台值,这是由于脉冲峰值电流由气体放电决定所致。不同气压下,Ar0、Ar+、V0和V+四种谱线峰的光谱强度均随靶电压的增加而增加,相同靶电压时,其光谱强度随着气压的增加而增加。当气压为0.9 Pa、靶电压为610 V时,Ar和V的离化率分别为78%和35%。此外,利用HIPIMS技术制备的V膜光滑、致密,无柱状晶生长形貌特征。结论较高的工作气压和靶脉冲电压有利于获得较高的系统粒子离化率,但HIPIMS放电存在不稳定性。合适的工作气压是获得优质膜层的关键。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 氩气气压 V靶 放电靶电流 放电光谱特性 V薄膜
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直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响 被引量:4
2
作者 李春伟 田修波 +3 位作者 刘天伟 秦建伟 巩春志 杨士勤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期109-113,共5页
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响。结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相。薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减... 采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响。结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相。薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减小后增大,最小仅为0.488nm。薄膜沉积过程中离子吸引效应和溅射效应的竞争导致薄膜沉积速率随着偏压的增大先减小后增大。20℃时镀V薄膜样品在偏压为-100V时耐蚀性最佳,其腐蚀电位比基体提高了0.425V,腐蚀电流下降了2个数量级以上。镀V薄膜样品经过200和300℃加热处理后,其耐蚀性提高,但是与基体相比,经200℃处理后的镀V薄膜样品腐蚀电流最大降低了1个数量级,而经300℃处理后的镀V薄膜样品耐蚀性与基体相比提高并不明显。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 V薄膜 直流偏压 铝合金 耐蚀性
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Microstructure and corrosion resistance of vanadium films deposited at different target-substrate distance by HPPMS 被引量:2
3
作者 Chun-Wei Li Xiu-Bo Tian +2 位作者 Tian-Wei Liu Jian-Wei Qin Chun-Zhi Gong 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第5期587-593,共7页
High power pulsed magnetron sputtering(HPPMS), a novel physical vapor deposition technology, was applied to prepare vanadium films on aluminum alloy substrate in this paper. The influence of target–substrate dista... High power pulsed magnetron sputtering(HPPMS), a novel physical vapor deposition technology, was applied to prepare vanadium films on aluminum alloy substrate in this paper. The influence of target–substrate distance(Dt–s)(ranging from 8 to 20 cm) on phase structure, surface morphology, deposition rate, and corrosion resistance of vanadium films was investigated. The results show that the vanadium films are textured with a preferential orientation in the(111) direction except for that fabricated at 20 cm. With Dt–sincreasing, the intensity of(111) diffraction peak of the films decreases and there exists a proper distance leading to the minimum surface roughness of 0.65 nm. The deposition rate decreases with Dt–sincreasing. All the V-coated aluminum samples possess better corrosion resistance than the control sample. The sample fabricated at Dt–sof 12 cm demonstrates the best corrosion resistance with the corrosion potential increasing by 0.19 V and the corrosion current decreasing by an order of magnitude compared with that of the substrate. The samples gain further improvement in corrosion resistance after annealing, and if compared with that of annealed aluminum alloy, then the corrosion potential of the sample fabricated at 20 cm increases by 0.415 V and the corrosion current decreases by two orders of magnitude after annealed at 200 °C. If the annealing temperature further rises to 300 °C, then the corrosion resistance of samples increases less obviously than that of the control sample. 展开更多
关键词 High power pulsed magnetron sputtering Vanadium films Target–substrate distance MICROSTRUCTURE Corrosion resistance
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高离化率电-磁场协同增强HiPIMS高速沉积特性 被引量:3
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作者 李春伟 田修波 +1 位作者 姜雪松 徐淑艳 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期84-92,共9页
为了使高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在保持高离化率的条件下实现HiPIMS高速沉积过程,采用电场与磁场双外场协同作用改善HiPIMS放电与沉积特性.研究了电-磁场协同增强HiPIMS((E-MF)HiPIMS)和常规HiPIMS制备钒膜时的基体离子电流密度... 为了使高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在保持高离化率的条件下实现HiPIMS高速沉积过程,采用电场与磁场双外场协同作用改善HiPIMS放电与沉积特性.研究了电-磁场协同增强HiPIMS((E-MF)HiPIMS)和常规HiPIMS制备钒膜时的基体离子电流密度、发射光谱、钒膜表面形貌及表面粗糙度、截面形貌及沉积速率等,并探讨了(E-MF)HiPIMS模式的放电机理.研究表明:与HiPIMS相比,钒靶(E-MF)HiPIMS放电时的平板工件基体离子电流密度峰值增加了6倍,铜靶(E-MF)HiPIMS放电时的筒状工件基体离子电流密度峰值增加了13倍.(E-MF)HiPIMS放电时的Ar 0谱线、Ar+谱线、V 0谱线和V+谱线强度均显著增强,氩和钒的粒子离化率增加.(E-MF)HiPIMS制备的钒膜由V(111)和V(211)组成.(E-MF)HiPIMS制备的钒膜表面更加光滑平整且表面粗糙度由15.0 nm减小为9.6 nm;钒膜生长结构更加致密且沉积速率增加了约30%,而筒状工件转动条件下(E-MF)HiPIMS制备的铜膜的沉积速率增加了约50%.(E-MF)HiPIMS是一种高离化率高沉积速率的新型放电模式,该方法可有效规避常规HiPIMS较低沉积速率的技术缺陷. 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 钒膜 离化率 沉积速率 基体离子电流密度
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溅射气压对铝合金表面HPPMS沉积钒薄膜摩擦学性能的影响 被引量:1
5
作者 李春伟 田修波 +3 位作者 刘天伟 秦建伟 巩春志 杨士勤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1017-1022,共6页
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜。研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响。结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5Pa时,衍射峰... 采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜。研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响。结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5Pa时,衍射峰最强且择优取向最明显;同时,V薄膜表面质量最好,其表面粗糙度最小仅为0.267nm。室温下V薄膜样品的耐磨性能与基体相比有大幅提高,当气压为0.5Pa时,摩擦系数可由基体的0.57下降到0.28,磨痕表面无明显的剥落迹象,表现出最佳的摩擦磨损性能。经过200和300℃加热处理后的V薄膜样品的摩擦系数与基体相比具有稳定的低值,这是由于表面氧化造成的。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS) V薄膜 溅射气压 摩擦系数 退火
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工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究
6
作者 李春伟 田修波 +4 位作者 徐淑艳 郑权 张群利 陈春晟 张旭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期400-406,共7页
基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶... 基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶基间距、脉冲频率和脉冲宽度等工作参数对基体离子电流的调制作用规律。利用扫描电镜观察了钒膜的截面形貌特征。结果表明:在相同的靶电压下,基体离子电流平均值随工作气压的增加而增加并逐渐达到饱和值;随靶基间距的增加基体离子电流平均值逐渐减小;随脉冲频率的增加基体离子电流平均值逐渐减小后趋于稳定;当脉冲宽度为150μs时的基体离子电流平均值高于脉冲宽度为200μs时的基体离子电流平均值。工作参数对膜层的制备具有调制作用,在适中的工作参数下,电场增强Hi PIMS获得的钒膜与基底结合良好、膜层致密完整。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 辅助阳极 工作气压 靶基间距 钒膜 放电特性
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磁控溅射法制备二氧化钒薄膜及其性能表征 被引量:15
7
作者 韩宾 赵青南 +1 位作者 杨晓东 赵修建 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期717-721,共5页
采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒(VO2)薄膜。研究了在300℃沉积温度下,不同溅射时间(5-35min)对VO2薄膜结构和性能的影响。用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光... 采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒(VO2)薄膜。研究了在300℃沉积温度下,不同溅射时间(5-35min)对VO2薄膜结构和性能的影响。用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征。结果表明:薄膜在低温半导体相主要以四方相畸变金红石结构存在,在(011)方向出现明显择优取向生长,随着溅射时间的延长,晶粒生长趋于完整,晶粒尺寸增大:对溅射时间为35min的薄膜热处理,发现从室温到90℃范围内,薄膜方块电阻的变化接近3个数量级;由于本征吸收,薄膜在可见光范围透过率较低,且随膜厚的增加而逐渐降低;在1500~4000cm^-1波数范围内,原位测量薄膜样品加热前后(20和80℃)的红外反射率,发现反射率的变化幅度随着膜厚增加而提高,最高可达59%。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 磁控溅射 溅射时间 晶粒尺寸 膜厚
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V_2O_5薄膜在传感器上的研究进展 被引量:13
8
作者 李莉 童茂松 翁爱华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1482-1484,1488,共4页
V2O5薄膜具有优异的物理、化学性质,在化工催化、电子、电化学等许多领域有广泛的应用,由于V2O5薄膜对还原性气体和湿度具有良好的敏感特性,其在气体和湿度传感器上的研究也日渐广泛,因此本文综述了V2O5为基体的薄膜在气体传感器和湿度... V2O5薄膜具有优异的物理、化学性质,在化工催化、电子、电化学等许多领域有广泛的应用,由于V2O5薄膜对还原性气体和湿度具有良好的敏感特性,其在气体和湿度传感器上的研究也日渐广泛,因此本文综述了V2O5为基体的薄膜在气体传感器和湿度传感器上的研究进展及存在的问题和解决的思路。 展开更多
关键词 V2O5薄膜 气体传感器 湿度传感器
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V_2O_5薄膜的电学性质及其应用 被引量:7
9
作者 童茂松 戴国瑞 +2 位作者 高鼎三 Galina Zakharova Olga Pozdniakova 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期36-38,10,共4页
综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。
关键词 电致变色 敏感特性 氧化钒薄膜 结构 电学性质
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溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的结构及特性研究 被引量:10
10
作者 何琼 许向东 +5 位作者 温粤江 蒋亚东 马春前 敖天宏 黄锐 孙自强 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2013年第3期35-38,共4页
利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。... 利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。结果表明,退火时间明显地影响溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的化学结构及光电性能:退火时间过短,薄膜中有机成分不能完全分解、并且结晶度低;退火1h时,薄膜主要成分为V2O5和VO2,此时薄膜电阻低、但光吸收性弱;退火2h以上,薄膜中的主要成分为V2O5,此时薄膜电阻变大、但光吸收性有所加强。研究了退火时间对溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜的化学结构及光电特性的影响,揭示了相关的微观机理。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 溶胶-凝胶 退火
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氢水平衡法制备二氧化钒薄膜及XPS能谱分析 被引量:6
11
作者 葛欣 尚志航 +1 位作者 秦岩 卢志玉 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第6期819-821,共3页
采用溶胶 -凝胶法 ,结合氢水平衡还原处理得到了二氧化钒薄膜 ,对薄膜的 XPS能谱分析及对反应体系的热力学分析表明 。
关键词 制备 XPS能谱 分析 溶胶-凝胶法 氢水平衡法 二氧化钒薄膜 X射线光电子能谱 热力学
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溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性 被引量:8
12
作者 何琼 许向东 +6 位作者 温粤江 蒋亚东 敖天宏 樊泰君 黄龙 马春前 孙自强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期329-335,共7页
采用溶胶凝胶法,在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析.结果表明,溶胶凝胶法获取V2O5薄膜的... 采用溶胶凝胶法,在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析.结果表明,溶胶凝胶法获取V2O5薄膜的最佳退火温度为430℃,低于此温度不利于使有机溶剂充分分解,高于此温度则V—O键发生裂解、形成更多的低价态氧化钒.本文制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数和光吸收率,适合应用在非制冷红外探测器中.本文揭示了溶胶凝胶法制备氧化钒薄膜的生长机理. 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 溶胶凝胶 光电特性 生长机理
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常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜 被引量:2
13
作者 吴淼 胡明 +1 位作者 吕宇强 刘志刚 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期806-809,共4页
常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数(TCR)氧化钒薄膜.通过设计正交试验,系统分析了Ar和O_2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响.对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温... 常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数(TCR)氧化钒薄膜.通过设计正交试验,系统分析了Ar和O_2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响.对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试,TCR达到-3.3%/K,室温方块电阻为28.5kΩ,个别样品的TCR达到-4%/K以上.扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的形貌分析显示,这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜,晶粒尺寸在纳米数量级.X射线光电子能谱(XPS)分析发现,高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近+4价.所有结果表明,制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求,且该工艺能与CMOS工艺兼容. 展开更多
关键词 直流对靶磁控溅射 氧化钒薄膜 电阻温度系数 正交试验
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V_2O_5薄膜在连续激光防护中的应用研究 被引量:6
14
作者 骆永全 王伟平 罗飞 《应用激光》 CSCD 北大核心 2005年第6期381-383,共3页
用磁控离子溅射法在玻片上沉积了V2O5薄膜,并进行了X射线衍射和常温下光谱透过率测量。分别用1064nm和1319nm连续激光辐照样品,实时测量了V2O5薄膜的温度变化,以及由于温度变化引起相变后对激光透过率的变化。结果表明:在平均入射功率为... 用磁控离子溅射法在玻片上沉积了V2O5薄膜,并进行了X射线衍射和常温下光谱透过率测量。分别用1064nm和1319nm连续激光辐照样品,实时测量了V2O5薄膜的温度变化,以及由于温度变化引起相变后对激光透过率的变化。结果表明:在平均入射功率为8.1W、光斑直径2mm时,V2O5薄膜对1064nm激光的透过率由相变前的55%变为相变后的25.5%,响应时间约24ms;在平均入射功率为8.9W、光斑直径2mm时,其对1319nm激光的透过率由相变前的63%变为相变后的27.9%,响应时间约40ms。对实验结果进行了分析并介绍了V2O5薄膜的相变原理及其在激光防护上的应用。 展开更多
关键词 激光防护 光限幅 V2O5薄膜 热致相变
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二氧化钒薄膜的制备和应用研究新进展 被引量:5
15
作者 杨玚 路远 +1 位作者 杨华 徐凯 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期875-882,共8页
VO2在68℃左右时发生半导体—金属态的固-固相变,且相变前后光学和电学性能发生突变,该特性使VO2薄膜在红外智能窗、电致光开关器件、激光防护材料、自适应隐身材料等领域受到广泛研究。制备VO2薄膜的方法包括磁控溅射法、脉冲激光沉积... VO2在68℃左右时发生半导体—金属态的固-固相变,且相变前后光学和电学性能发生突变,该特性使VO2薄膜在红外智能窗、电致光开关器件、激光防护材料、自适应隐身材料等领域受到广泛研究。制备VO2薄膜的方法包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法、金属热蒸发法等,理想的制备参数是当前研究的重点。本文总结了近年来VO2在制备方法和应用发展上的研究现状,对进一步深入研究VO2薄膜的各项性能及应用具有借鉴意义。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 制备方法 应用进展
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氧化钒薄膜在玻璃基片上的生长研究 被引量:4
16
作者 魏雄邦 吴志明 +1 位作者 王涛 蒋亚东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期364-368,共5页
采用直流反应磁控溅射法,在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明,厚度影响着薄膜的颗粒大小... 采用直流反应磁控溅射法,在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明,厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态,随着薄膜厚度的增加,薄膜的颗粒增大,晶化增强;薄膜具有明显的垂直于衬底表面的"柱"状择优生长特征.对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析,证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响,随着薄膜厚度的增加,薄膜的方阻减小,方阻温度系数升高,薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大,薄膜的金属.半导体相变逐渐趋于明显. 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 玻璃 厚度 直流磁控溅射
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采用泵浦探测技术研究VO2薄膜相变特性 被引量:4
17
作者 侯典心 路远 +2 位作者 冯云松 豆贤安 刘志伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-147,共8页
为研究纳秒激光作用下的VO_2薄膜的相变特性,采用泵浦-探测技术进行实验。首先,利用直流磁控溅射法制备VO_2薄膜,经X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明样品质量较高。然后,测量VO_2薄膜在波长532 nm处的透过率随温度的变化情况... 为研究纳秒激光作用下的VO_2薄膜的相变特性,采用泵浦-探测技术进行实验。首先,利用直流磁控溅射法制备VO_2薄膜,经X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明样品质量较高。然后,测量VO_2薄膜在波长532 nm处的透过率随温度的变化情况,发现透过率随温度升高由32%上升到37%,与红外波段完全相反。在此基础上,选择1 064 nm泵浦光和532 nm探测光研究激光参数中能量密度和重频对VO_2薄膜相变特性的影响,同时结合ANSYS有限元软件对纳秒激光作用下VO_2薄膜的单脉冲温升情况进行分析。结果表明:VO_2薄膜在大于30 m J/cm2的纳秒激光能量密度作用下,单脉冲温升可达相变温度,最小相变响应时间在14 ns左右。进一步提高纳秒激光能量密度,其相变响应时间略有增加但变化不大。在100 Hz以内改变纳秒激光重频对VO_2薄膜的相变响应基本无影响。VO_2薄膜的相变恢复时间随着纳秒激光能量密度的增大而呈自然指数增加,其变化过程与基底材料和纳秒激光参数密切相关。因此,可以通过优化VO_2薄膜基底材料参数提高其激光防护效果。 展开更多
关键词 VO2薄膜 泵浦-探测 纳秒激光 532NM激光 相变响应时间 相变恢复时间
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磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜 被引量:3
18
作者 李云龙 付花睿 +3 位作者 张霄 周广迪 游才印 沈乾龙 《金属功能材料》 CAS 2017年第3期18-24,共7页
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由... 采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO_2(M),VO_2(M,B)和V_6O_(13)的混合结构,并且晶化程度逐渐提高。氧分压6.67%的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST。氧分压10%的薄膜具有-2.38%/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×10~4Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 相转变温度 电阻温度系数(TCR) 磁控溅射
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退火对IBED氧化钒薄膜结构和性能的影响 被引量:2
19
作者 谢建生 李金华 袁宁一 《微细加工技术》 2004年第4期36-40,63,共6页
对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻 温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数。实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的... 对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻 温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数。实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的不同而改变。退火温度低于临界结晶温度时,很难使薄膜结晶成二氧化钒结构;高于临界温度较多的退火或形成VO2结构后再长时间退火,都会使VO2多晶薄膜中的钒分解降价,使薄膜的结构退化、性能变差。IBED多晶VO2薄膜在室温附近的电阻温度系数可达到4%/K以上。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 退火 离子束增强沉积
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掺杂氧化钒薄膜的制备及其热光特性 被引量:2
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作者 杨爱国 杨子健 +3 位作者 杨建红 冯浩 李冠斌 崔敬忠 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期200-202,207,共4页
以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析。实验及测试结果表明,... 以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析。实验及测试结果表明,在氧化钒薄膜中掺入Ti杂质与掺入Al杂质相比,对薄膜的热光性质的改变所起的作用更为明显。增大Ti杂质的含量对薄膜的电阻-温度特性、相变温度,以及相变滞豫区的改善比较明显,但提高了薄膜的相变温度,而掺Al引起的变化规律与此相反。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 磁控溅射 掺钛 掺铝
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