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Solid-State Reaction and Vacancy-Type Defects in Bilayer Fe/Hf Studied by the Slow Positron Beam
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作者 K. Yamada T. Sasaki +5 位作者 T. Nagata I. Kanazawa R. Suzuki T. Ohdaira K. Nozawa F. Komori 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2015年第2期233-239,共7页
The positron annihilation lifetimes and the Doppler broadening by slow positron beam are measured in thin Fe films with thickness 500 nm, a thin Hf film with thickness 100 nm, and the bilayer Fe (50 nm)/Hf (50 nm) on ... The positron annihilation lifetimes and the Doppler broadening by slow positron beam are measured in thin Fe films with thickness 500 nm, a thin Hf film with thickness 100 nm, and the bilayer Fe (50 nm)/Hf (50 nm) on quartz glass substrate. We have analyzed the behavior in vacancy-type defects in each layer through some deposition temperatures and annealing. It is observed that the thin Fe film, the thin Hf film, and the bilayer Fe (50 nm)/Hf (50 nm) already contain many vacancy-type defects. We have investigated the change of densities of the vacancy-carbon complex and the small vacancy-cluster with carbons, through solid-state amorphization of Fe (50 nm)/Hf (50 nm) bilayer. 展开更多
关键词 Metallic Films POSITRON ANNIHILATION Measurement SOLID-STATE Reaction FE Film Diffusion vacancy-type defects
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NTDCZSi中空位缺陷的退火研究
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作者 张维连 孙军生 闫淑霞 《河北工业大学学报》 CAS 1996年第4期36-38,共3页
用正电子湮灭寿命谱技术研究了NTDCZSi的辐照损伤退火行为.发现辐照后的CZSi中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高,这些缺陷不断分解,直到1100℃仍有极少量空位型缺陷存在。
关键词 中子嬗变掺杂 空位型缺陷 半导体 退火
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用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响
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作者 贺慧芳 陈志权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期386-391,共6页
利用水热法合成了Bi_2Te_3纳米粉末,并在300—500℃的温度范围内对其进行等离子烧结.X射线衍射测试表明制得的Bi_2Te_3粉末是单相的.对于300—500℃范围内烧结的样品,扫描电子显微镜观察发现随着烧结温度的升高样品颗粒明显增大,但是根... 利用水热法合成了Bi_2Te_3纳米粉末,并在300—500℃的温度范围内对其进行等离子烧结.X射线衍射测试表明制得的Bi_2Te_3粉末是单相的.对于300—500℃范围内烧结的样品,扫描电子显微镜观察发现随着烧结温度的升高样品颗粒明显增大,但是根据X射线衍射峰的宽度计算得到的样品晶粒大小并没有明显的变化.正电子湮没寿命测试结果表明,所有的样品中均存在空位型缺陷,而这些缺陷很可能存在于晶界处.正电子平均寿命随着烧结温度的升高而单调下降,说明较高的烧结温度导致了空位型缺陷浓度的降低.另外,随着烧结温度从300℃升高到500℃,样品的热导率从0.3 W.m^(-1)·K^(-1)升高到了2.4 W·m^(-1)·K^(-1),这表明在纳米Bi_2Te_3中,空位型缺陷和热导率之间存在着密切的联系. 展开更多
关键词 Bi_2Te_3 正电子 空位型缺陷 热导率
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RAFM钢中H^+辐照空位型缺陷的慢正电子束研究
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作者 张梓晗 宋力刚 +7 位作者 靳硕学 曹兴忠 孙建荣 洪志远 李小燕 李锦钰 燕青芝 王宝义 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期8-14,共7页
为研究低活化铁素体/马氏体(Reduced Activation Ferritic/Martensitic,RAFM)钢的辐照损伤机理,利用慢正电子技术研究了H^+辐照RAFM钢时所产生的空位型缺陷及其对于材料微观结构的影响。H^+能量和剂量分别为100keV和1×10^15cm^-2、... 为研究低活化铁素体/马氏体(Reduced Activation Ferritic/Martensitic,RAFM)钢的辐照损伤机理,利用慢正电子技术研究了H^+辐照RAFM钢时所产生的空位型缺陷及其对于材料微观结构的影响。H^+能量和剂量分别为100keV和1×10^15cm^-2、1×10^16cm^-2、1×10^17cm^-2。慢正电子束多普勒展宽测量结果可得,S参数随着剂量的增大而增大,W参数呈现正相反的趋势。样品中主要辐照区域为142~348nm,此范围内有大量缺陷产生,辐照产生的主要为空位型缺陷,其中多为氢-空位复合体缺陷,辐照缺陷的浓度随着H+剂量的增大而增加。空位型缺陷的尺寸大小也随着辐照剂量的增大而有所变化,辐照剂量达到10^17cm^-2时,S-W曲线斜率发生变化,故辐照缺陷类型发生明显变化,有较大尺寸的缺陷产生。 展开更多
关键词 RAFM钢 H^+辐照 慢正电子束技术 空位型缺陷
原文传递
微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷 被引量:5
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作者 余学功 杨德仁 +2 位作者 马向阳 李立本 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1286-1290,共5页
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布 ,然后在 10 5 0~ 12 5 0℃下 Ar气中退火不同时间 .实验结... 研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布 ,然后在 10 5 0~ 12 5 0℃下 Ar气中退火不同时间 .实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸 voids相关的 FPD缺陷的密度大量减少 ,其体内这种 FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样 ,在高温下才能被有效的消除 .这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的 voids的产生 ,而且掺氮硅中 展开更多
关键词 硅单晶 直拉硅 掺氮 空洞型缺陷 半导体 Voids缺陷 流水花样缺陷
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空位型晶体缺陷对CuAlBeCr形状记忆性能的影响 被引量:1
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作者 陈明 何丽珠 +1 位作者 张水合 王天民 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期59-62,共4页
本文研究了2种成分的CuAlBeCr合金不同热处理状态在300℃范围内空位型缺陷的回复行为以及合金的形状记忆效应,探讨了空位型缺陷对合主记忆性能的影响,并由此解释了时效对合金记忆性能的影响.结果表明,空位型晶体缺陷主... 本文研究了2种成分的CuAlBeCr合金不同热处理状态在300℃范围内空位型缺陷的回复行为以及合金的形状记忆效应,探讨了空位型缺陷对合主记忆性能的影响,并由此解释了时效对合金记忆性能的影响.结果表明,空位型晶体缺陷主要影响合金逆转变的起始温度,在空位大量回复的温度范围内时效可显著降低合金逆转变的起始温度。 展开更多
关键词 形状记忆合金 空位型 晶体缺陷
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SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究 被引量:1
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作者 吴凤美 沈德勋 +3 位作者 滕敏康 陈岭 唐杰 张德宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期18-23,共6页
用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2... 用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响. 展开更多
关键词 GAAS 正电子湮没 寿命
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